第四节 电位移 有电介质时的高斯定理.doc

8-4 电位移 有电介质时的高斯定理 在高斯面内不仅会有自由电荷，而且还会有极化电荷。这时，高斯定理应有些什么变化呢？我们仍以在平行平板电容器中充满各向同性的均匀电介质为例来进行讨论。在如下图所示的情形中，取一闭合的正柱面作为高斯面，高斯面的两端面与极板平行，其中一个端面在电介质内，端面的面积为。设极板上的自由电荷面密度为，电介质表面上的极化电荷面密度为。由高斯定理，有 （8-12）式中分别为。我们不希望在式（8-12）中出现极化电荷，利用前节讨论的结果，我们可以计算出 （8-13）把它代入（8-12）有或 （8-14）现在不妨，令 （8-15）其中叫做电介质的电容率。那么式（8-14）可写成 （8-16）式中称作电位移，而则是通过任意闭合曲面的电位移通量。的单位为讨论：证明:关于的证明电介质中的电场强度应为考虑到的方向与的方向相反，以及与的关系式（8-9），可得电介质中电场强度的值为故 因为 ，从而可得 由于、，故上式亦可写成即式（8-16）虽是从平行板电容器得出的，但可以证明在一般情况下它也是正确的。故 有电介质时的高斯定理可叙述如下：在静电场中，通过任意闭合曲面的电位移通量等于该闭合曲面内所包围的自由电荷的代数和，其数学表达式为 （8-17）可以看出，电位移通量只和自由电荷联系在一起。电位移矢量，电场强度和电极化强度之间的关系为 （8-18） 讨论：E、D和P之间的关系 下面简述一下电介质中电场强度，电极化强度和电位移之间关系。设平板电容器两极板间充满了相对电容率为的均匀电介质，在电介质中，极化电荷面密度为，由极化电荷产生的电场强度 （1）介质中的电场强度 （2）实验证实 （3）由式（2），式（3）得 （4）将式（1）代入式（4）并利用，可得电介质中电极化强度与电场强度之间的关系为写成矢量有 （5）电位移矢量的定义式 （6）由式（5）和式（6），可得该式虽然是从各向同性电介质的情形得到的，但无论是各向同性的或是各向异性的电介质都适用。 也就是说，在一般情况下，是两个矢量之和。 可见，是在考虑了电介质极化这个因素的情形下，被用来简化对电场规律的表述而设定的。一、 例题1例1 把一块相对电容率的电介质，放在极板间相距的平行平板电容器的两极之间。放入之前，两极板的电势差是1000V。试求两极板间电介质内的电场强度，电极化强度，极板和电介质的电荷面密度，电介质内的电位移。解 放入电介质前，电容器中的电场强度为放入电介质后，由式（8-9）知电介质中的电场强度为由式8-15可得电介质中的电位移为由式8-18可得电介质的电极化强度为无论两极板间是否放入电介质，两极板自由电荷面密度的值为由式（8-11），电介质中极化电荷面密度的值为二、例题2一平行平板电容器充满两层厚度为的电介质（图示），它们的相对电容率分别为，极板面积为。求（1）电容器的电容；（2）当极板上的自由电荷密度的值为时，两介质分界面上的极化电荷面密度。解 （1）设两极板上电荷面密度分别为+和-，两电介质中的电场强度分别为。在图中，选上、下底面积为的正柱面为高斯面，上底面在导体极板内，下底面在相对电容率为的电介质内，侧面的法线与电场强度垂直。柱面内自由电荷为。根据电介质中的高斯定理，有得由式（8-15）可得相对电容率为的电介质中的电场强度为仿此可得两极板的电势差为由电容定义，此电容器的电容为（2）由式（8-11），（8-18），可得分界面处第一层电介质的极化电荷面密度为第二层电介质的极化电荷面密度为三、例题3求充有介质的圆柱形电容器的电容。常用的圆柱形电容器，是由半径为的长直圆柱导体和同轴的半径为的薄导体圆筒组成，并在直导体与圆筒之间充以相对电容率为的电介质（ 图示）。 设直导体和圆筒单位长度上的电荷分别为。 求（1）电介质中的电场强度、电位移和极化强度；（2）电介质内、外表面的极化电荷面密度；（3）此圆柱形电容器的电容。解 （1）由于电荷分布是均匀对称的，所以电介质中的电场也是柱对称的，电场强度的方向沿柱面的径矢方向。 作一与圆柱导体同轴的柱形高斯面，其半径为、长为。 因为电介质中的电位移与柱形高斯面的两底面的法线垂直，所以通过这两底面的电位移通量为零。 根据电介质中的高斯定理，有，得由，得电介质中的电场强度为 （1）电介质中的极化强度为（2）由式（1）可知电介质两表面处的电场强度分别为和所以，电介质两表面极化电荷面密度（参阅第8-4节）的值分别为（3）由式（1）可得圆柱形电容器两极间电势差为把式（2）代入电容器电容定义，可