半导体用高利用率长寿命溅射靶材的研制.docx

DOI: 10 13290 / j cnki bdtjs 2014 01 015半导体用高利用率长寿命溅射靶材的研制何金江，万小勇，周辰，李勇军，熊晓东，王兴权( 北京有色金属研究总院 有研亿金新材料股公有限公司，北京 100022)摘要: 半导体制造工艺中使用的高纯金属溅射靶材的利用率直接关系到靶材自身的使用寿命 和芯片制作的成本，在靶材研制中需要重点关注。以晶圆制造中广泛应用的高纯铝、铜等靶材为 例，介绍了溅射靶材的发展演变，并以靶材使用前后轮廓测量为基础，研究了 100 300 mm 晶 圆制造用靶材的利用率。结果表明，常规靶材随着尺寸增加和溅射工艺的严格控制，靶材利用率 减小 ( 30% ) 。制备高利用率的大尺寸长寿命靶材，需对靶材的溅射面形貌和靶材厚度等方面 进行结构优化设计，经优化设计后的靶材利用率最大可达到 50% 以上，使用寿命亦显著延长。关键词: 溅射靶材; 半导体; 靶材设计; 利用率; 长寿命中图分类号: TN304文献标识码: A文章编号: 1003 353X ( 2014) 01 0071 07esearch and Preparation of High Utilization ate and Long-Life Sputtering Target Used in SemiconductorHe Jinjiang，Wan Xiaoyong，Zhou Chen，Li Yongjun，Xiong Xiaodong，Wang Xingquan( Grikin Advanced Materials Co ，Ltd ，General esearch Institute for Non-Ferrous Metals，Beijing 100022，China)Abstract: The utilization rate of high-purity sputtering target used for semiconductor manufacturing process is directly related to the targets own life time and the cost of the chip fabrication It is important to pay attention to the utilization problem during target manufacturing The development of sputtering target application was reviewed and the utilization rate of Al and Cu targets from 100 mm to 300 mm wafer manufacturing were investigated through the analysis on profiles of new and spent targets The results show that the utilization rates of conventional targets are less than 30% with the increased target sizes and strict technological requirements After structural optimization design of sputtering surface morphology and target thickness， the utilization rate of the large size target can reach more than 50% with significantly long life timeKey words: sputtering target; semiconductor; target design; utilization ratio; long-lifeEEACC: 05300引言半导体制造技术的发展主要体现在两个方面， 一是不断缩小芯片的特征尺寸，从微米级已逐步缩 减至 28 nm 和 20 nm 及以下，并向微细加工的物理 极限进军; 另一方面，不断扩大 晶 圆 的 尺 寸，从基金项目: 国家科技重大专项资助项目 ( 2011ZX02705 004，2014ZX02501 011)E-mail: hejinjiang grikin com100，200 mm 逐 步 发 展 到 300 mm， 并 逐 步 向450 mm发展。这 些 技 术 的 发展进步和芯片设计、 工艺制程以及相应的制造设备和关键材料的共同推 进 密 切 相 关。 物 理 气 相 沉 积 ( physical vapor deposition，PVD) 在半导体制程上扮演着重要的角 色，芯片制造过程中的金属化工艺如互连线、接 触、通孔、阻挡层和粘结层等薄膜的制备都需要使 用 PVD 完成。磁控溅射利用在靶材背面增加磁场， 通过电场与磁场的交互作用，提高等离子密度，增加溅射沉积 速 率，实现低温高效率溅 射1 2，在 半导体薄膜 PVD 技术中占主导地位。作为一种高 附加值的功能性材料，磁控溅射所用靶材的产品规 格和性能指标也紧随各种溅射设备和工艺的发展而 不断变化和改进。众所周知，半导体制造工艺中使 用的溅射靶材及溅射薄膜的品质要求是所有行业中 要求最高的3。镀膜膜厚均匀性、阶 梯 覆 盖 率 等 直接反映了溅射镀膜的稳定可靠性，是溅射工艺中 非常关键的控制要素2。通常薄膜的厚度均匀性 要求在 5% ( 3) 以下，在先进半导体制造工厂 中内控标准的薄膜均匀性甚至要求达到 3% 以下; 阶梯覆盖率主要和溅射薄膜厚度及填孔深宽比大小 相关，覆盖率越高填孔能力越佳，理想是能达到 100% 。当金属布线的线宽不断向下发展，填孔深 宽比越来越大，对于薄膜的均匀性、填孔能力以及 夹杂物、缺陷等的要求也将愈来愈高，反映到对溅 射靶材的要求即是对材料的微观组织及其均匀性、 缺陷率和化学纯度等品质的严格控制; 而随着晶圆 尺寸的不断增加，相对的溅射靶材尺寸也将随之增 大，除了对靶材内在品质加以控制外，靶材的结构 形状也必须与溅射机台的规格相匹配。伴随溅射技 术的发展，靶材研制单位在努力提升溅射靶材宏微 观性能，以期得到最佳的溅射薄膜。作为溅射镀膜过程中广泛使用的消耗性材料， 靶材的特性直接与溅射稳定性和膜层特性相关，靶 材利用率直接与镀膜成本相关，因此如何提高靶材 的性价比、增加溅射稳定性就成为镀膜生产中迫切 需要解决的 问 题4 6。目 前，关于靶材的微观组 织和性能方面的研究文章不少7 8，但是尚没有 对半导体制造工艺中使用的磁控溅射靶材利用率专 门或系统研究的报道，本文在长期研究半导体用靶 材的基础上，以芯片特征尺寸在微米、亚微米及深 亚微米级时广泛应用于铝、铜互连工艺中的高纯 铝、铜及其合金溅射靶材为例，分 析 研 究 100 300 mm 晶圆生产线用高纯金属靶材的利用率，并 探讨高利用率长寿命靶材的结构设计方法，研制出 高利用率长寿命靶材。1溅射靶材的发展及利用率情况1. 1溅射系统及所用靶材对于早期的以 100 mm 和 150 mm 晶圆为主的 小 尺 寸 生 产 线， 主 要 的 PVD 设 备 是 以 Varian、MC 等厂家生产的溅射设备 为 代 表， 而 对 于 200 mm和 300 mm 大尺寸晶圆生产线，以 Applied Materials 的溅射设备为主。对于 100 mm 晶圆生产线溅射设备，最常见的 是采用 S 枪溅射源的 Varian 公司 ConMag I 溅射机 台，如图 1 ( a) 所示。S 枪溅射采用锥形磁控溅 射靶，阴极靶材为环状锥形，安装在水冷座上。S 枪磁控溅射源的特点是靶材的冷却效果好，允许的 功率密度高。但是由于 S 枪溅射能量分布不均匀， 晶圆通常需要做行星式两维运动来保证沉积的均匀 性。因此在进行大面积的晶圆表面沉积镀膜时，S 枪难以得到推广和发展1。图 1 溅射系统Fig. 1 Sputtering system平面磁控溅射源是大尺寸晶圆溅射中应用最广 的磁控溅射源，适用于连续化、自动化的工业型生 产，通过改变靶面磁场分布能够实现大面积溅射沉 积的均匀性，晶圆不需要做复杂运动。在 150 mm 晶圆溅射镀膜中，除了基于 S 枪溅射源的 ConMagII 机台 外， 各 PVD 厂 商 推 出 的 Quantum， MX 和 ILC 等系列溅射机台均采用平面溅射源来实现。对 于一般工业应用或者小尺寸的平面磁控溅射设备， 靶背面的永磁体固定，主要通过改善永磁体的形状 及布置形式来调整磁场分布以达到获得均匀磁场的 目的。但是由于半导体对于薄膜均匀性的严格要 求，除了磁体设计布局和磁场强度的特殊要求外， 还出现了磁体移动的靶结构。如图 1 ( b) 所示，溅射过程中，靶材背面的磁体按照一定的规律运 动，由磁体产生相应的磁场在靶面来回运动，使电 子跑道扩展，从而使靶的刻蚀变为一个动态过程， 实现对靶材的均匀溅射，提高靶材的利用率。随着 晶圆尺寸的进一步增加，同时集成电路芯片线宽的 缩小，对 工 艺 要求的进一步提 高， 对 于 尺 寸 为 200 mm和 300 mm 晶 圆 制 造，以 Applied Materials 设计的 EnduraTM 系列平面溅射设备为主，在保持磁 场和靶材之间发生相对运动的基础上，对磁场的布 局结构和运动方式等方面做了重要改进; 同时，靶 材与晶圆之间的距离 ( T-S spacing) 能够实现动态 调节，以实现薄膜均匀性2，9。此外，由于存在高 深宽比的孔需要镀膜，在阶梯覆盖率方面都有较高 的要 求，发展出离子化的金属等离子体 ( ionized metal plasma， IMP ) 、 自 离 子 化 等 离 子 体 ( self ionized plasma， SIP )和侧壁覆盖增 强 反 溅 射( enhanced coverage re-sputtering，EnCoe) 等各种 溅射技术10。根据溅射设备和薄膜制备技术的演变发展，常 用的半导体用溅射靶材从几何形状上分为圆形平 面、矩形平面、不规则形状平面和异型非平面等几 种。对于早期的小尺寸生产线设备 ( 150 mm 及以 下，以 Varian、MC 等溅射机台为主) ，使用靶材 有圆形、矩形以及形状不规则的平面靶材和圆锥形 的异 型 靶 材 等， 而 对 以 Applied Materials 为 主 的 200 mm 和 300 mm 溅射设备主要使用的是圆形平 面靶材。而从组成结构上看，靶材通常可分为单体 和复合结构。靶材的组成结构通常需要考虑的因素 包括，靶材的形状构造以及靶材材料的机械强度、 导电导热性、材料机加工性能等，此外靶材原材料 的价格也是重要的参考依据。当靶材的形状复杂、 尺寸大或者材料本身强度低、导电导热性差、难加 工、价格昂贵等时，都需要考虑采用靶材与背板的 复合 结 构。对 于 150 mm 及以下晶圆用小尺寸靶 材，综合考虑各种因素，单体和复合结构靶材均普 遍存在，而在 200 mm 及以上晶圆制造使用的靶材 直径大、厚度薄而溅射用高纯靶材材料的强度通常 较低，单体结构难以保证溅射过程需要的稳定可靠 性，同时单体成型对靶材微观组织的均匀控制、高 精度加工方面的要求提出更高的要求，其制备难度 以及制备成本也随之增大。因而，大尺寸平面靶材 主要是由靶材与高强度金属背板组件形成的复合结构。从溅射使用靶材材料类型来看，200 mm 及以 下晶圆制造，通常以铝制程为主，使用的靶材以 铝、钛为主，而 300 mm 晶圆制造，多使用先进的 铜互连技术，主要使用铜、钽靶材。1. 2 溅射靶材的利用率计算分析在磁控溅射镀膜过程中，由于正交电磁场对溅 射离子的作用关系，在沿电子作旋轮线运动的跑道 上，靶材表面被离子优先溅射，形成溅射沟槽，在 溅射表面将产生不均匀的刻蚀现象。图 2 所示为 100 mm 和 200 mm 晶圆用靶材使用完后典型的溅 射形貌。随着溅射表面出现的不均匀刻蚀，不断消 耗靶材材料，并改变了靶材表面原有的结构，这样 一方面会使得靶材的厚度不断减小，降低靶材的机 械强度导致靶材变形，更严重的可能会击穿靶材; 另一方面，由于溅射表面形貌的改变也会影响溅射 薄膜性能，因而靶材的利用率在达到一定的限额 后，不能再继续使用。因而，靶材利用率的限额也 就是靶材的使用寿命判据，主要是由两方面决定， 一是靶材的厚度经溅射消耗不能小于自身的安全剩 余厚度，另外就是靶材的镀膜性能需要满足芯片工 艺的性能指标要求。图 2 残靶外观Fig. 2 Appearance of spent targets通常，溅射工艺以单片靶材能够实现镀膜的晶 圆出片量来衡量靶材的利用率，靶材的使用寿命则 以千瓦时来计算，它们作为评价靶材优劣的重要性 能指标; 而对于靶材研制来说，更直观的是对使用 报废残靶的分析来评估靶材的使用性能。通过对残靶的剩余质量、表面轮廓分析以及解剖分析，了解 靶材的使用情况，计算靶材材料的利用率。由于靶 材在溅射过程中产生的不均匀刻蚀现象，造成溅射 靶材的利用率普遍低下，特别是对于大尺寸平面靶 材来说，靶材的制造成本越来越高，同时对靶材的 品质要求也是越来越高，靶材的利用率普遍偏低， 造成靶材的使用成本高和生产效率低。对溅射靶材 的利用率和寿命分析，可为溅射镀膜工艺成本核算 和工艺优化提供参考6。如图 3 所示的截面图，靶材原始尺寸的最大外 径为 D，厚度为 H，溅射后的残靶轮廓为图中剖面 线中曲线所示，在直径 d1 和 d2 处形成一定深度的 溅射轨道，安全剩余厚度 h 是溅射残余厚度 h1 和 h2 中的 较 小 值。通 常， 对于直接水冷单体靶材，靶材的安全剩余厚度一般在 5 mm 以上，对于间接 水冷单体靶材或者复合靶材，原则上靶材可以使用 到不被击穿为止，实际上除了贵金属靶材或者设计 厚度控制在 3 mm 左右的磁性靶材外，一般靶材的 安全剩余厚度都控制在 2 mm 以上。靶材利用率 可以通过称量原始靶材质量和残靶的质量来直接计 算，也可以利用残靶轮廓计算出靶材剩余体积，对 比原始靶材体积来进行计算。由残靶分析可知，hmin 越小，而且残靶轮廓越均匀平缓，靶材的利用率也就越高4。图 3 残靶轮廓示意图Fig. 3 Schematic diagram of the spent target profile在长期对于各种靶材研究的基础上，对图 4 所 示的 100 300 mm 晶圆用典型铝及其合金靶材的 利用率进行了统计计算，结果见表 1。对于 S 枪所 使用的靶材如图 4 ( a) 所示，作为一种单体靶材， 其溅射面是一种锥形结构。靶材使用后，最薄处厚 度在 2. 1 2. 4 mm，通过统计计算，铝靶材的实际 利用率为约 40% 。由于该靶材形状设计合理，腐 蚀最深的地方是靶材最厚的地方，以不等厚的靶材 来适用不均匀刻蚀，S 枪靶材的利用率较高。对于 150 mm 晶圆用铝平面靶材，如图 4 ( b) ，溅射过 程中靶材背面的磁体和靶材之间发生相对运动，同时靶材需要承受一定的循环冷却水压，最小残余厚 度通常为 5. 2 5. 8 mm。通过计算，靶材的实际利 用率均小于 35% ，明显小于锥形靶材。以 Applied Materials 设计的 EnduraTM 系列靶材，如图 4 ( c) 和 图 4 ( d) 。考虑到靶材尺寸的增大，兼顾整体强度 要求，Endura 200 靶材的安装法兰是高强度工业铝 合金背板，而高纯铝合金靶材作为溅射主体其背面 并没有背板支撑 ( 通常这种结构可等同看成是单 体靶材) ，靶材通常最小残余厚度为5. 5 6. 5 mm， 通过计算，200 mm 晶圆用铝平面单体靶材的实际 利用率在 25% 左右; 而对于 300 mm 晶圆用靶材， 由于溅射镀膜尺寸的进一步增大，为了保证镀膜的 均匀性，在靶材结构和溅射工艺上的优化，高纯铝 合金靶坯与背板之间必须通过扩散连接形成组件以 提高靶材强度，不计背板厚度，高纯铝合金靶坯自 身残余厚度为 3. 3 4. 0 mm，靶材利用率相对于 单体性质的 Endura 200 靶材的利用率要略高，但 仍不高于 30% 。通过对不同靶材利用率的计算分 析表明，随着尺寸的增大，靶材的利用率是逐渐减 低的，而通过采用高强度背板做支撑，靶材的利用 率略回升，但是基本维持在 30% 以下。大尺寸靶 材的低利用率是由高品质晶圆制造对于薄膜性能要 求决定的。图 4 100 300 mm 晶圆用残靶轮廓示意图Fig. 4 Schematic diagrams of spent target profiles used for 100 300 mm wafer表 1各种型号的靶材利用率Tab. 1 Target utilization of various sputtering systems晶圆尺寸机台型号靶材利用率 / %100 mmConMag I39 42150 mmQuantum30 34200 mmEndura 20022 26300 mmEndura 30023 282高利用率长寿命靶材的研制大尺寸平面靶材的利用率较低，迫切需要降低 薄膜制备成本和提高效率。对溅射系统进行整体的 优化设计，增加靶面刻蚀的均匀性，提高靶材利用 率，从而延长靶的寿命，是磁控溅射镀膜研制的重 要方向。溅射阴极靶的设计优化是其中的关键环节 之一，对于平面靶材而言，除需要重点考虑靶面磁 力线分布特征、磁场运动方式和溅射工艺方法等客 观因素外，从被使用者自身的角度出发，关键在于 如何补偿靶材溅射轨道处的消耗，增加溅射用量， 主要考虑靶的表面结构、初始厚度等特征。根据相 关研究资料来看4 5，11 12，目前高利用率长寿命 靶材的主要设计思路是，根据靶材溅射使用情况， 对靶材溅射靶面溅射消耗最多的部分进行加厚设 计，或者通过提高溅射面表面积，从而弥补靶材溅 射过程中的不均匀消耗，提高靶材的成膜质量，增 加靶材的整体利用率。目前主要的结构设计方法可 以按照靶材是否为单体或复合结构进行区分。2. 1单体靶材的结构设计图 5 为单体靶材结构图，作为最基本的靶材结 构类型，首先须对单体靶材的溅射特征进行研究。 靶材溅射特征如上文所述，其表面刻蚀区的形状对 溅射膜层的质量造成重要影响。刻蚀区形状包括其 宽度以及刻蚀坑的深度。刻蚀区的宽度直接影响膜 厚的分布，刻蚀区域越大，在基片上获得溅射膜层 范围就越广; 刻蚀坑的深度也会影响膜厚的分布， 当刻蚀坑较浅时，可以认为入射离子垂直于靶材平 面，而当靶材出现较深的溅蚀坑时，溅蚀坑表面不 同位置处的入射角是不完全一样的，溅射产额与轰 击靶材表面的离子的入射角密切相关，从而不同位 置处溅射产额发生变化，这会影响沉积到基片上粒 子数目和分布。如图 5 ( a) 所示，对常规平面靶 材而言，当离子以 角轰击已刻蚀靶材表面时，溅 射原子出射角服从余弦分布，当飞溅出的原子落在 长虚线 1 以下时，将不能飞离靶材表面到达基片表 面，因而刻蚀区对应的镀膜厚度和均匀性将较差; 而当进行靶材表面结构设计后，见图 5 ( b) 。在刻 蚀区预先加厚时，将会发现只有当飞溅出的原子落 在长虚线 2 以下时才会重新沉积在靶材表面，显然 对靶材表面优化设计后，溅射产额和镀膜均匀性将 会明显 提 高13。根据平面磁控 溅射的物理模型，考虑靶面溅射电流分布、溅射离子入射角、靶面出 射粒子的角分布、粒子迁移过程中的碰撞和溅射产 额等因素，研究人员针对不同靶面形貌和应用状况 进行溅射沉积过程和薄膜厚度分布的计算分析，对 溅射工艺和靶材结构优化都具有重要的参考 价值14 15。( a) 标准平面靶材( b) 表面结构设计后的靶材图 5 靶材表面溅射原子出射轨迹Fig. 5 Trajectories of emitting atoms from sputtering target综合考虑，对于单体靶材，提高其利用率、增 加寿命的主要方法是在靶材原有尺寸上增加靶材厚 度。同时考虑到单纯地增加靶材的厚度，保持靶材 溅射面平面特征，并不利于溅射，进一步优化是需 要改变溅射表面形貌，在溅射刻蚀最深的区域增加 凸起或者附近区域增加凹槽。以200 mm 晶圆制造 用 Endura 200 铝靶材为例 ( 等同看成单体靶) ，如 图 6 所示，该常规标准靶材利用率是 23% ，溅射 使用寿命约 850 kWh，靶材整体增加一定的厚度， 同时在溅射最深和次深位置的表面加凸起，这种结 构的高效长寿命靶材溅射利用率达到 34% ，寿命 延长到 1 150 kWh。对比两者的残靶溅射轮廓，可 以明显发现，高效长寿命靶材和标准靶材在溅射最图 6 长寿命靶材和标准靶材的残靶轮廓Fig. 6 Profile of long-life and standard spent targets深的地方残余的厚度基本是一致的 ( 约 5. 5 mm) ， 但是高利用率靶材的溅射刻蚀区变宽，相对均匀。 2. 2复合靶材的结构设计复合靶材是由溅射靶坯与背板复合而成，标准 的组件结构见图 7 ( a) 。提高复合靶材利用率的基 本原理和单体靶材一致，结合其结构特征，主要的 实施方法有: 与单体靶材一样，增加靶材的厚度H 并优化溅射面形貌，增加凸起或凹槽，如 图 7( b) ; 选用高强度的背板材料，减小背板厚度， 相当于增加靶材厚 度， 可 以 溅 射 更 深， 如 图 7 ( c) ; 将上述两方面结合起来，能够最大程度提 高靶材的利用率，增加靶材寿命，如图 7 ( d) 。其 中图 7 ( d) 所示的结构，能够综合利用靶材两方 面因素，保证溅射薄膜质量，利用率能够大幅度提 高，在 200 mm 及以上特别是 300 mm 溅射靶材中 应用广泛。是经过结构设计后的 300 mm Cu 靶使用后的轮廓， 从残靶轮廓图上可看出，靶材结构优化设计后，溅 射消耗量大幅增加，经计算靶材利用率达到 51% ， 其使用寿命亦显著增长，厂家反馈靶材最终寿命达 到 2 200 kWh 以上，增幅超过 35% 。在半导体制 造工厂中，通常以薄膜电阻率 ( s ) 值作为表征 薄膜厚度的指标，因此 s 均匀性也就直接体现出 薄膜厚度均匀性，反映出靶材镀膜均匀性一直能够 保持在 5% 以内，满足溅射要求。图 10 是上述长 寿命铜靶材在溅射使用过程监控晶圆上薄膜 s 均 匀性随时间变化图，均匀性均值为 2. 94% ，标准 偏差0. 36，过程控制稳定。因此，通过靶材结构设 计优化后，铜靶材的利用率和溅射寿命大幅度提 高，提升了溅射工作效率，并有效降低了材料成 本。进一步推广，高利用率长寿命靶材的结构设 计，其应用不仅针对铝、铜等靶材，对于稀贵金属 靶材 ( 如钽、银、铂和镍铂等) 而言，同 样 能 够 大幅度提高贵重金属利用率，在节省原材料、减小 成本压力等具有非常积极的意义。图 8 300 mm 晶圆用标准铜靶材使用后轮廓Fig. 8 Profile of standard Cu spent target for 300 mm wafer图 9 300 mm 晶圆用高利用率长寿命铜靶材使用后轮廓Fig. 9 Profile of long-life Cu spent target for 300 mm wafer图 10 高利用率长寿命铜靶材溅射薄膜的电阻率 s 均 匀性 ( ) 测试数据图 7 复合靶材结构示意图Fig. 7 Structure schematics of target-backing plate assemblyFig. 10suniformity data of the thin film using long-life在 300 mm 晶圆制造中，铜制程取代铝制程占 主 导， 因而关于溅射铜靶材的 研 究 较 多。 以 300 mm Cu 溅 射 靶 材 为 例， 该靶材的利用率在 27% 左右，其寿命约 1 600 kWh，残靶轮廓如图 8 所示。与铝靶材相对比，虽然两种靶材的结构上略 有差异，在溅射后形成的轮廓也有差别，但是利用 率计算结果比较一致，普 遍 还 是 低 于 30% 。图 9Cu sputtering target3结论本文在介绍半导体制造工艺中 100 300 mm 晶圆用溅射靶材的具体应用基础上，计算和分析了 靶材的利用率，数据表明，随着晶圆尺寸的增大， 所用靶材的利用率逐渐降低 ( 30% ) ，靶材的使 用效率降低而使得成本增加。在此基础上，结合大尺寸靶材技术的发展趋势，针对单体靶材和复合靶 材，根据其使用特点，介绍了长寿命靶材结构的设 计方法，并通过不同结构的高效长寿命靶材的使用 情况进行对比验证，为靶材结构的优化设计提供参 考思路，在降低靶材的使用成本、提高性价比方面 具有显著的实际应用价值。参考文献:1 田民波 薄膜材料与薄膜技术 M 北京: 清华大 学出版社，2006: 521 5242 TEPMAN A Planar magnetron sputtering source producing improved coating thickness uniformity， step coverage and step coverage uniformity: Unit States，US 5320728 P 1994 06 143 尚再艳，江轩，李勇 军，等 集成电路制造用溅射 靶材 J 稀有金属，2005，29 ( 4) : 475 4774 刘翔宇，赵来，许生，等 磁控溅射镀膜设备中靶 的优化设计 J 真空，2003，50 ( 4) : 16 215 ALLEN A M，YOON K H，GUO T，et al Sputtering target having increased life and sputtering uniformity: WO，WO2008156794 P 2008 12 246 赵嘉学，金凡亚 常见磁控溅射靶材利用率及其计 算方法的探讨 J 核聚变与等离子体物理，2007， 27 ( 1) : 66 727 李洪宾，江轩，王 欣 平 铝 铜 合 金 靶材的微观结构 对溅射沉积 性 能 的 影 响 J 稀 有 金 属，2009，33 ( 3) : 442 4458 高岩，王欣平，何 金 江，等 集 成电路互连线用高 纯铜靶材及相关问题研究 J 半导体技术，2011，36 ( 11) : 826 8309 DEMAAY E， HELME J C， ANDESON Lotating sputtering apparatus for selected erosion: Unit States，US 5252194 P 1993 10 1210 Applied Materials Semiconductor technologies K Unit States: Applied materials 2012: 1 311 PEOT ，HUNT T J，KOENIGSMANN H J，et alExtended life sputter target: WO， WO2005026406P 2005 03 2412 MAX D ， MATHEW ， SNOWMAN A， et al ing type sputtering target: Unit States，US 6638402P 2003 10 2813 BOYDENS F， LEOY W P， PESOONS ， et alThe influence of target surface morphology on the deposition flux during direct-current magnetron sputteringJ Thin Solid Films，2013，531 ( 1) : 32 4114 K