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二000学年第一学期期末考试题(B卷)班级 姓名 学号 评分 课 程工业电子学使用班级98机械任课老师杨志伟教研室主任朱建虹一:是非题(每题2分,共14分)1 N型半导体中既然有多数载流子,则它成为带电体。( )2 温度升高时二极管的反向电流变小。( )3 在共射放大电路中,若三极管增大一倍,则其电压放大倍数也会增大一倍( )4 射极输出器是典型的电压串联型负反馈电路。( )。5 运算放大器的输入级一般采用差动放大器,中间级采用电压放大电路,输出级采用功率放大电路。( )。6 若规定低电平为逻辑“1”,高电平为逻辑“0”,则称为正逻辑。( )。7 或非门的逻辑表达式是Y=A+B ( )二:填空题(每空1分,共30分)1 P型半导体的少数载流子是 , N型半导体的多数载流子是 2 在判断二极管的极性时,如果所测阻值很小,则与红表笔相接的管脚是 极。3 如图1所示,设二极管为理想元件,二极管处于 1k状态,管子两端的电压是 , 电路中的电流是 。 9V4V4 已知在放大时,三极管对地电压如图2所示,则 D各管脚的名称:(1) (2) (3) 该管是 型的。图15 单管电压放大电路是由若干 , 和 组成。6 已知某单管(硅管)放大电路中,=100,Ucc=10V,Rc=5k,如果要求IcQ=4mA,则Rb= 此时UCEQ= 。(硅管UBEQ=0.7V)7 直接耦合放大器须解决的两个问题是(1) 10V 1V 2V(2) 。 (1)(2)(3)8 运算放大器的三种输入方式是(1) 图2(2) (3) 9 根据理想运放“三高一低”的特性,可以得到两个重要的推论,其表达式分别是(1)“虚短”推论: (2)“虚断”推论: 10 转换制数:(1)二进制 十进制:111010=( )十 (2)二进制 八进制:101010=( )八(3)十进制 BCD8421码:62= 11 或非门的逻辑表达式是 ,异或门的逻辑表达式是 。12 图3的逻辑表达式是 ,图4的逻辑表达式是 。13 图5是基本RS触发器Rd, Sd端的状态波形图,画出Q端的状态波形图。A & A =1 & Y B YB &C C 图3 图4Rd Sd 图5Q三:简答题(每题6分,共30分)1 已知硅二极管的开启电压为0.5V,饱和导通电压为0.7V,反向击穿电压为50V。试画出其特性曲线。 +Ucc Rb Rc + C2 C1 + T RL u0 ui2 如图6所示放大电路中,已知Rb=120k, 图6 Rc=2k,Ucc=12V,=100,求该电路的静态工作点。 If Rf3 如图7所示的同相比例电路中R1=2k, 电压放大倍数Af=5,求Rf和R2。I1 R1 V_ R2 V+ + + Ui U0 图7 4 试用基本门电路组成具有下列逻辑功能的逻辑图。Y=AB Y=A+B 4 主从型JK触发器的CP,J,K端的状态 CP波形如图8所示,试画出Q端的状态波形。设初始状态为0态。 J 图8K四:应用题(26分)1(15分)两级阻容耦合放大电路的主要参数如下:Ucc=12V,硅三极管T1,T2的放大系数1=2=50,Rb1=220k,Rc1=1.5k,Rb2=200k,Rc2=1k,负载RL=2k,耦合电容C1=C2=C3=50F,已知rbe=300+(1+)26/IE。(1) 画出电路简图。(2) 求该电路的输出电阻和输入电阻。(3) 求该电路总的
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