微机原理习题答案-周杰英__张萍06_习题答案.doc

1、半导体存储器可分为哪几个类型？试分别说明它们各自的特点。解：从存取方式来分，有读写存储器RAM和只读存储器ROM。RAM也称为随机存取存储器，CPU在执行程序的过程中能对它进行读出和写入操作。在RAM中可分为双极型（Bipolar）和MOS型RAM两大类。双极型RAM具有很高的存取速度，但是双极型RAM的集成度低，单片容量小，功耗大，成本高。MOS型RAM具有功耗低、集成度高、单片容量大的特点，但存取速度则较慢。MOS型RAM又可以分为静态RAM和动态RAM两种。ROM器件的功能是只许读出，不许写入，一旦有了信息，就不能轻易改变，也不会在掉电时丢失，所以它只能用在不需要经常对信息进行修改和写入的地方。ROM可以分为4种：掩膜ROM、可编程ROM、可擦除、可编程ROM和可电擦除的、可编程ROM等。2、列出半导体存储器的主要性能指标。解：半导体存储器的性能指标有：存储芯片容量、存取速度、可靠性、价格、易失性、集成度、功耗和电源种类等。3、试比较SRAM和DRAM的优缺点。解：SRAM用由6管构成的触发器作为基本电路，不需要刷新电路，而且易于用电池作后备电源。DRAM是利用电容的记忆功能保存信息，由于电容存在漏电电流，即使电源不掉电，电荷会随着电容放电而泄露，从而导致信息丢失，所以需要刷新。与SRAM相比，DRAM的主要优点是集成度高、功耗小、价格低。而不足之处是与CPU的接口电路比较复杂，有两个问题要解决：一个是上面所讲的刷新问题，另一个是地址信号的输入问题。DRAM一般用于组成大容量的内存系统。4、若某微机系统的系统RAM存储器由四个模块组成，每个模块的容量为128K字节，若四个模块的地址是连续的，最低地址为00000H，试指出每个模块的首末地址。解：第一个模块：00000H1FFFFH；第二个模块：20000H3FFFFH；第三个模块：40000H5FFFFH；第四个模块：60000H7FFFFH。5、对于下列芯片，它们的片内地址线各有多少根？若分别用以下芯片组成容量为64K字节的模块，试指出分别需要多少芯片？（1）Intel 2114（1K4位）；（2）Intel 6116（2K8位）；（3）Intel 2164（64K1位）；（4）Intel 3148（4K8位）。解：（1）片内地址线10根。需要128片。（2）片内地址线11根。需要32片。（3）片内地址线16根。需要8片。（4）片内地址线12根。需要16片。6、试比较存储器读周期和写周期的差别。存储器的读周期和写周期的主要差别在于数据出现在数据总线上的时间不同和总线上数据的来源不同。对于存储器的读周期，是在地址线和选通控制线稳定后，被读出的数据才出现在数据总线上，数据来自于存储器；而对于存储器的写周期，则是往存储器内写入新的信息，故在所有选通控制信号出现之前，数据线上应有待写的稳定数据，数据来自于CPU。7、某RAM芯片，容量为4K4位，该芯片有数据线、地址线、片选信号线和读写控制线。请问：RAM#1RAM#2RAM#3RAM#4RAM#530000H32000H34000H37000H38000H图6-31 题7内存模块示意图（1）该RAM芯片有几根地址线？几根数据线？（2）现要在8088为CPU的微机系统中，用该芯片构成右图中RAM#2和RAM#4两个内存模块，请画出扩展这两个模块的存储器连接图。（连接图中可选用三八译码器和与非门等。）解：（1）该RAM芯片有12根地址线，4根数据线。（2）RAM2 地址范围：32000H33FFFH。可分成两组：第一组为32000H32FFFH； 0011 0010 0000 0000 0000 0011 0010 1111 1111 1111第二组为33000H33FFFH0011 0011 0000 0000 00000011 0011 1111 1111 1111RAM4为另一组，地址范围为：37000H37FFFH0011 0111 0000 0000 00000011 0111 1111 1111 1111上面每组用两块RAM芯片组成，共用6片。上面的地址范围可以看出，三组地址范围的高5位A19A15是相同的，都是00110；中间三位A14 A13A12的值分别是010、011、111。因此，可以将A14 A13A12连三八译码器的C、B、A输入引脚，用三八译码器输出选择线、分别作为三组的组选择信号线，连各芯片的引脚。三组地址范围的低12位都是从全0变到全1，用于RAM片内单元的寻址，因此地址总线中的A0A11的连各RAM芯片的地址引脚。 连接图如上所示。8、某微机系统的CPU为8088，且工作于最小方式，原有系统RAM存储器模块的容量为128K字节，其首地址为40000H，现用2128RAM芯片（容量2K8位）扩展一个容量为16K字节的存储器模块，地址和原有RAM模块的地址相连接，试完成该扩展RAM模块的设计。（注：可选用3：8译码器、与门、或门、非门等）。解：原模块：128K=20000H；原模块地址范围：40000H5FFFFH新模块：16K=4000H；新模块