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文档简介

第四讲晶体三极管 一 晶体管的结构和符号 二 晶体管的放大原理 三 晶体管的共射输入 输出特性 五 温度对晶体管特性的影响 四 主要参数 六 PNP型三极管 一 晶体管的结构和符号 高掺杂 多子浓度高 低掺杂且很薄 多子浓度很低 面积大 晶体管有三个极 三个区 两个PN结 中功率管 大功率管 二 晶体管的放大原理 扩散运动形成发射极电流IE 复合运动形成基极电流IB 漂移运形成集电极电流IC 少数载流子的运动 因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区 因基区薄且多子浓度低 使极少数扩散到基区的电子与空穴复合 因集电区面积大 在外电场作用下大部分扩散到基区的电子漂移到集电区 基区空穴的扩散 电流分配 IE IB ICIE 扩散运动形成的电流IB 复合运动形成的电流IC 漂移运动形成的电流 穿透电流 集电结反向电流 共射直流电流放大系数 共射交流电流放大系数 电流分配 IE IB IC 共基直流电流放大系数 共基交流电流放大系数 共射直流电流放大系数 共射交流电流放大系数 三 晶体管的共射输入特性和输出特性 为什么UCE增大曲线右移 对于小功率晶体管 UCE大于1V的一条输入特性曲线可以取代UCE大于1V的所有输入特性曲线 为什么像PN结的伏安特性 为什么UCE增大到一定值曲线右移就不明显了 1 输入特性 2 输出特性 对应于一个IB 就有一条iC随uCE变化的曲线 为什么uCE较小时iC随uCE变化很大 为什么进入放大状态曲线几乎是横轴的平行线 饱和区 放大区 截止区 晶体管的三个工作区域 晶体管工作在放大状态时 输出回路电流iC几乎仅仅决定于输入回路电流iB 即可将输出回路等效为电流iB控制的电流源iC 例 NPN型晶体管各极电位如表所示 试判断工作状态 四 主要参数 直流参数 ICBO ICEO c e间击穿电压 最大集电极电流 最大集电极耗散功率 PCM iCuCE 安全工作区 交流参数 fT 使 1的信号频率 极限参数 ICM PCM U BR CEO U BR CBO c b间击穿电压 五 温度对晶体管特性及参数的影响 1 对ICBO的影响 2 对输入特性的影响 3 对输出特性的影响 六 PNP型三极管 放大原理与NPN型三极管基本相同 只是两者的PN结方向相反 工作在放大区时 同样要求发射结正偏 集电结反偏 即 uBE Uon uBC 0 讨论一 1 分别分析uI 0V 5V时T是工作在截止状态还是导通状态 2 已知T导通时的UBE 0 7V 若当uI 5V 则 在什么范围内T处于放大状态 在什么范围内T处于饱和状态 通过uBE是否大于Uon判断管子是否导通 临界饱和时的 讨论二 由图示特性求出PCM ICM U BR CEO 2 7 uCE 1V时的iC就是ICM U BR CEO 场效应三极管中参与导电的只有一种极性的载流子 多数载流子 故称
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