第二章1三极管.ppt

2 1 1结构特点2 1 2特性曲线2 1 3主要参数 2 1BipolarJunctionTransistor BJT 双极型晶体管 CHAP 2TriodeandFieldEffectTransistors 三极管图片 2 1 1结构特点 StructuresandCharacter 两种 NPNPNP 一 结构 e Emitter 发射极b Base 基极c Collector 集电极 发射结 Je 集电结 Jc 基区 发射区 集电区 特点 b区薄e区掺杂多c区面积大 e b c Je Jc 二 符号 2 1 2特性曲线 CharacterCurve 一 放大条件 二 内部载流子传输过程 三 电流分配关系 四 放大作用 五 特性曲线 外部条件 一 放大条件 内部条件 三区结构与掺杂 Je正偏 Jc反偏 电位关系 NPN VC VB VEPNP VC VB VE 二 内部载流子传输过程 忽略支流 IE IC IB 三极管由二个PN结组成 具有电流控制作用 反向特性 正向特性 ICBO发射极开路时集电结反向饱和电流 受温度影响 IEN转化为集电极电流ICN IEP转化为基极电流 IBN复合损失的电流 共基极直流电流传输系数 三极管中载流子的运动 空穴 电子 发射区 向基极注入电子 发射结正偏基区 电子的传递和复合电子集电区 收集电子 集电结反偏 发射区掺杂浓 基区薄 全部收集 集电结面积大 三 CurrentRelationships 共发射极组态 令 共发射极直流电流放大系数 基极开路时 集电极直通到发射极的电流称穿透电流 四 放大作用 三种组态电路 Common 应用 共射电压放大 电流放大 控制 CommonEmitterCircuit 五 I VCharacteristics Uth on Si0 6 0 8VGe0 1 0 3V 1 InputCharacteristics 二极管正向特性 CE 2 OutputCharacteristics 输出特性划分为三个区域 放大区 发射结正偏集电结反偏 二极管反向特性 截止区 发射结反偏集电结反偏 饱和区 发射结正偏集电结正偏 共发射极交流电流放大系数 输出特性曲线 放大区 饱和区 截止区 三极管的特性曲线 测量三极管三个电极对地电位如图试判断三极管的工作状态 Example1 Example2 饱和区 截止区 UBE 0 7VUCE UBE UBE 0 7V Example3 已知管子工作于放大区 确定类型 并画出管子符号 Summary 找二个最接近的数据 确定Si管还是Ge管 看另一极比前者大还是小 大者为NPN管 小者为PNP管 且该极是集电极 根据管型确定基极还是发射极 画出管子符号 2 1 3主要参数 分为三大类 1 直流参数 电流放大系数1 共射 IC IB uCE const 直流参数交流参数极限参数 2 共基 1 ICBO 关系 ICEO 1 ICBO 2 ICEO 穿透电流 极间反向饱和电流 温度稳定性 2 交流参数 交流电流放大系数1 共射 IC IB uCE const 2 共基 IC IE uCB const 特征频率fT当 下降到1时所对应的频率 当ICBO和ICEO很小时 3 极限参数 ICM IC上升时 会下降 下降到放大区 值的70 时所允许的电流 PCM 超过此值会使管子性能变坏或烧毁 PCM ICVCB ICVCE 1 V BR CBO E极开路时的集电结击穿电压 2 V BR EBO 类上 3 V BR CEO 关系 V BR CBO V BR CEO V BR EBO 反向击穿电压 V BR XXO TemperatureEffect 温度对VBE的影响 T VBE 输入特性曲线左移 温度对ICBO的影响 T ICBO 输出特性曲线上移 Comment 温度升高 ICBO增大 增大 集电极电流IC增大 UBE减小 温度对 的影响 T 输出特性曲线上曲线间距离 五 TestTransistor 判别基极判别集电极和发射极估测电流放大倍数 用万用表测试 测量各极电压 GePNP管 SiNPN管 工作于放大区 半导体三极管的型号 国家标准对半导体三极管的命名如下 3DG110B 第二位 A锗PNP管 B锗NPN管 C硅PNP管 D硅NPN管 第三位 X低频小功率管 D低频大功率管 G高频小功率管 A高频大功率管 K开关管 用字母表示材料 用字母表示器件的种类 用数字表示同种器件型号的序号 用字母表示同一型号中的不同规格 三极管 表02 01双极型三极管