半导体物理第2章课件.ppt_第1页
半导体物理第2章课件.ppt_第2页
半导体物理第2章课件.ppt_第3页
半导体物理第2章课件.ppt_第4页
半导体物理第2章课件.ppt_第5页
免费预览已结束，剩余1页可下载查看

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

1 第一章半导体中的电子状态思考题与练习题 1 实际半导体与理想半导体的区别是什么 2 以As掺入Ge中为例 说明什么是施主杂质 施主杂质电离过程和n型半导体 3 以Ga掺入Ge中为例 说明什么是受主杂质 受主杂质电离过程和p型半导体 4 以Si在GaAs中的行为为例 说明 族元素在 族化合物中可能出现的双性行为 2 第三章半导体中载流子的统计分布思考题 5 举例说明杂质补偿的作用 6 说明类氢模型的优点和不足7 InSb的Eg 0 18eV r 17 电子有效质量0 015m0 求 1 施主杂质电离能 2 施主的弱束缚电子基态轨道半径 3 施主杂质相互作用时的浓度 3 第三章半导体中载流子的统计分布思考题 GaP的Eg 2 26eV r 11 1 空穴有效质量0 86m0 求 1 受主杂质电离能 2 受主的弱束缚电子基态轨道半径 3 受主杂质相互作用时的浓度 说明类氢杂质能级以及电离能的物理意义 为什么受主 施主能级分别位于价带之上或导带之下 而且电离能的数值较小 分析化合物半导休PbS中S的问隙原子和缺陷在理论上各形成施主还是受主 根据你的回咎 说明半导体材料自补偿效应的物理意义 纯Ge Si中挂入3族或5族元素后 为什么使半导体导电性能有很大的改变 杂质半导体p型或n型应用很广 但为什么我们很强调对半导体材料的提纯 4 第三章半导体中载流子的统计分布思考题 现有两块外观完全相同的硅单晶 其中一块是高纯度的本征硅 另一块是含有深 浅施主和受主能级完全补偿的半导体 举出两种能识别它们的实验方法 并说明实验原理 说明掺杂对半导体导电性能的影响 说明半导体中浅能级杂质和深能级杂质的作用有何不同 什么叫杂质补偿 什么叫高度补偿的半导体 杂质补偿有何实际应用 5 第三章半导体中载流子的统计分布思考题 杂质能级为什么位于禁带之中 能带图上如何表示中性和电离杂质 杂质电离后在半导体中产生些什么 把不同种类的施主杂质掺入同一种半导体材料中 杂质的电离能和轨道半径是否不同 把同一种杂质掺入到不同的半导体材料中 例如Ge或Si 杂质的电离能和轨道半径又是否都相同 6 第三章半导体中载流子的统计分布思考题 何谓深能级杂质 它们电离以后有什么特点 为什么金元素在Ge或Si中电离后可以引入多个施主或受主能级 现有两块外观完全相同的硅单晶 其中一块是高纯度的本
人人文库> 全部分类> 应用文书 > 技术指导

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论