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习 题 课-11、 在室温下锗的晶格常数，计算每立方厘米内锗的原子数。2、 若晶格常数，求下列情形的最近邻原子距离：(1)体心单胞 (2) 面心单胞 (3)硅晶格3、 若硅片表面是(100)晶面：(1) 画出在基片表面上硅原子的位置 (2) 求基片表面单位平方厘米内的原子个数(晶格常数为)4、 下图为边长等于1的立方体晶格，写出下面各晶面和晶向的密勒指数 晶面：、 晶向：、5、 假设有一立方晶体系统，画出以下各晶面(001) (123) () (221) ()6、 假设有一立方晶体系统，使用适当的方向标识分别表示下列方向001 123 221 7、 晶体的格子如图所示，为一个立方单胞，在立方体的中心有一个原子，问：(1)它所生成的单胞为哪种单胞 (2)求晶体的单位体积内的原子数，设晶格常数为 (3)设晶体有(110)晶面，求中心位于(110)晶面的单位面积内的原子数(4) 画出单胞 内通过原子中心的方向矢量，并指出方向矢量的密勒指数。8、使用能带模型，形象而简要地说明半导体：(1) 电子、空穴、施主、受主 (2) 本征半导体、n型半导体、p型半导体、非简并半导体、简并半导体9、能带模型，砷化镓的价键模型如图所示，问 (1)当硅原子代替镓原子时，砷化镓的掺杂是p型还是n型？为什么？ (2)当硅原子代替砷原子时，砷化镓的掺杂是p型还是n型？为什么？ (3) 画出掺杂砷化镓的能带图：a 镓原子人位置由硅原子所代替 b 砷原子的位置由硅原子所代替。10、(1) 在热平衡条件下，温度T大于0K，电子能量位于费米能级时，电子态的占有几率是多少？ (2) 若位于，试计算状态在时发现电子的几率。 (3) 在时，若状态被占据的几率等于状态未被占据的几率，此时费米能级位于何处？()11、在室温下(T=300k)的硅样品中，费米能级位于处，分别计算在导带和价带中，电子和空穴的分布几率。12、半导体A的带隙为1ev，而 半导体B的带隙为2ev，在室温(300K)时，两种材料的本征载流子浓度之比是多少？假定载流子有效质量的差可以忽略不计。13、(1)均匀掺杂的p型硅片，在温度T=0K时，平衡状态的空穴和电子浓度是多少的？(2)掺杂浓度为N的半导体N，且所有的杂质全部电离，和，请判断杂质是施主还是受主，并说明理由。(3)一块硅片在平衡条件下保持300K的温度时，其电子的浓度是，空穴的浓度是多少？()(4)在温度T=300K，样品硅的费米能级位于本征费米能级之上0.259ev处，空穴和电子的浓度是多少？(5)非简并锗样品，在平衡条件温度保持在接近室温时，已知：，和，求和。14、求在下列条件下，均
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