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学院 姓名 学号 任课老师 考场教室_选课号/座位号 密封线以内答题无效电子科技大学2012 - 2013学年第 二 学期期 末 考试 A 卷课程名称： 集成电路工艺 考试形式： 闭卷 考试日期：2013年05月13日 考试时长：120 分钟课程成绩构成：平时 30 %， 期中 %， 实验 %， 期末 70 %本试卷试题由 4 部分构成，共 6 页。题号一二三四合计得分得 分一、填空题（共12分，共6题，每题2分）1、集成电路是把电阻、电容、二极管、晶体管等多个元器件制作在 上，并具有 的电路。 2、集成电路的发展趋势：芯片性能不断提高；芯片可靠性 ；芯片成本 。3、在硅的热氧化中，三种氧化方式的氧化速率不同，其中干氧氧化速率 湿氧氧化速率；水汽氧化速率 湿氧氧化速率。4、在半导体硅中，掺入化学元素B杂质形成 型半导体，掺入化学元素P形成 型半导体。5、LPCVD的意思是 ，Poly-Si的意思是 。6、STI的意思是 ，FOX的意思是 。得 分二、简答题（共56分）1、请描述硅的热氧化；并回答硅热氧化的工艺目的。（8分）2、请回答离子注入的概念。（8分）3、请回答光刻的概念及光刻胶的用途。（8分）4、请写出干法刻蚀过程（8个步骤）。（8分）5、请回答PECVD的概念，并写出PECVD SiO2的化学反应式及沉积温度（注：使用硅烷SiH4）。（8分）6、请回答溅射的概念及溅射的优点。（8分）7、请描述“早期基本的3.0m CMOS集成电路工艺技术”中NMOS管之间的LOCOS隔离原理。（8分）得 分三、计算题（共14分）1、已知某台分步重复式光刻机的紫外光源的波长为365nm、其光学系统的数值孔径为0.7、工艺因子为0.7，试计算该设备光刻的最小线宽。（7分）2、在P型100衬底硅片上，进行磷离子注入，形成N-WELL。已知衬底掺杂浓度为2.41014cm-3，注入能量：180KEV（RP7700、RP1200）注入剂量：3.61013cm-2，试计算磷离子注入分布的最大掺杂浓度Nmax和注入结深。（注：2ln50001/2 4）（7分）得 分四、画图题（共18分）在“早期基本的3.0m CMOS集成电路工艺技术”中，有7大工艺步骤：1）双阱工艺；2）LOCOS隔离工艺；3）多晶硅栅结构工艺；4）源/漏（S/D）注入工艺；5）金属互连的形成；6）制作压点及合金；7）参数测试。请写出其中的多晶硅栅结构工艺和源/漏（S/D）注入工艺的具体工艺流程，并画出多晶硅栅结构工艺和源/漏（S/D）注入工艺所对应的器
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