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電子工程學系計畫名稱：複晶矽鍺與MILC在低溫複晶矽薄膜電晶體上之應用研究者：張俊彥經費來源：行政院國家科學委員會關鍵詞：複晶矽鍺；金屬誘發側向結晶；Kink Effect本研究計畫將以三年時間，研究探討複晶矽鍺（poly-SiGe）與金屬誘發側向結晶（MILC）應用在低溫複晶矽薄膜與其薄膜電晶體的製成技術。我們提出數種不同結構的電晶體、利用蕭特基接觸汲極/源極、傳統MILC與無電鍍MILC等方式來製作複晶矽薄膜電晶體，主要重點在於改善複晶矽電晶體長久以來的致命傷漏電流及kink-effect並提高其導通電流，嘗試做成小尺寸電晶體並探討其短通道效應及可靠度問題等。第一年著重在複晶矽鍺選擇性成長、金屬矽化物蕭特基接觸與MILC資料庫的建立，我們利用不同的壓力、溫度、氣體種類、退火條件、無電鍍濃度、酸鹼值及金屬種類等製成因子，藉由TEM、SEM、XRD、Auger、Raman、薄膜測厚儀等分析儀器找出最佳的製成條件。第二年則利用第一年的資料庫製作複晶矽薄膜電晶體，量測電性，萃取參數並與傳統結構比較，研究分析找出機制。第三年著重在小尺寸電晶體的製作，探討不同結構及不同製成方式電晶體的短通道效應並與傳統結構小尺寸電晶體比較，藉由變溫量測以及電壓stress，討論小尺寸新結構製程薄膜電晶體的可靠度問題及原因。NSC90-2215-E009-072（90N374）-計畫名稱：MILC 低溫複晶矽薄膜電晶體之退火製程開發、新穎結構及小尺寸元件之製作及研究研究者：張俊彥經費來源：行政院國家科學委員會關鍵詞：金屬誘發側向結晶（MILC）；矽鍺；低溫複晶矽薄膜電晶體；小尺寸；短通道效應本計畫將以三年時間，研究探討金屬誘發側向結晶（MILC）在低溫複晶系薄膜及其在低溫複晶矽薄膜電晶體上的應用，並在沈積金屬前加入複晶矽鍺層(poly-SiGe layer)，可用子計畫一的成長條件或以植入（implant）的方式形成，以此poly-SiGe/金屬當作seed layer可在較低的溫度進行退火以降低熱預算，並嘗試做成小尺寸MILC薄膜電晶體，藉由不同的退火條件製作出單晶的薄膜電晶體，以提高電晶體的特性，並探討小尺寸MILC可靠度的問題。第一年著重在MILC資料庫的建立，利用物理氣相沈積（PVD）系統以不同的金屬（Ni、Co、Ti、NiCo等）、不同的沈積溫度等條件沈積在非晶矽薄膜上或有複晶矽鍺層的非晶矽薄膜上，再以不同溫度退火，以XRD、Raman、TEM等分析結晶性。第二年將以第一年的最佳化條件製作低溫複晶矽薄膜電晶體，並作電性分析，探討不同條件成長、退火、與結晶性、電性的關係，進而找出退火條件以降低漏電流。第三年著重在小尺寸的MILC製作，並嘗試將電晶體的通道作在單一的MILC晶粒上而形成單晶薄膜電晶體，並探討其短通道效應與可靠度的問題。NSC90-2215-E009-078（90N380）-計畫名稱：矽鍺源/汲極金氧半電晶體及電感在射頻應用之研究研究者：張俊彥經費來源：行政院國家科學委員會關鍵詞：矽鍺源/汲極電晶體；接觸電阻；金屬矽化物在本研究計畫中，針對矽鍺源/汲極電晶體在高頻特性上做一詳盡的研究。研究顯示利用矽鍺為浮層源/汲極之金氧半電晶體大大的降低了源/汲端的電阻值，當鍺含量增加時，接觸電阻會跟著改善，這些降低的源/汲極電阻可同時改善fT與gm值。NSC90-2215-E009-112(90N402)-計畫名稱：矽化鎳在超大型積體電路之應用研究(II) 研究者：陳茂傑經費來源：行政院國家科學委員會關鍵詞：矽化鎳；NiSi/p+n及NiSi/n+p淺接面；NiSi/p+-Si及NiSi/n+-Si接觸電阻矽化鎳(NiSi)的本質和矽化特性非常具有在深次微米積體電路元件製程上的應用潛力。本計畫擬以吾人已經初步證實可以用ITS方法製作NiSi/p+n淺接面的可行性基礎上，繼續以NiSi為對象研究其在深次微米積體電路應用上的材料特性及製程技術，內容包括NiSi/p+n超淺接面二極體的最佳化製程，NiSi/n+p淺接面二極體的研製及特性量測與分析，以及NiSi/p+-Si和NiSi/n+-Si的接觸電阻探討。NSC90-2215-E009-067（90N369）-計畫名稱：實用銅膜之化學氣相沈積技術研究研究者：陳茂傑經費來源：行政院國家科學委員會關鍵詞：銅化學氣相沉積；銅膜管洞填充(銅栓)；超薄障礙/黏著層銅製程已被認為是未來深次微米積體電路製程之主流技術。為配合研發0.05微米MOS積體電路元件製作之關鍵技術，本子計畫擬以自行設計和組建之具備DLI(direct liquid injection) precursor注入系統、In-situ基板前處理腔、和自動化控制功能的多腔體式(cluster type)實用型低壓化學氣相沉積系統(low pressure CVD system)，以液態的有機金屬複合體Cu(hfac)TMVS當作precursor，進行實用銅膜之化學氣相沉積技術研究，內容包括銅膜在不同基板之成核與沉積研究、不同運載氣體的銅膜沉積效應、銅膜對基板之附著力與銅膜應力之探討、In-situ電漿對基板表面之前處理效應、選擇性銅化學氣相沉積技術研究、管洞填充技術之研究與開發，以及超薄障礙/黏著層對銅金屬之擴散障礙特性之研究等。計畫之最終目標在於能夠較完整的瞭解銅化學氣相沉積(Cu-CVD)之機制，並掌握其沉積技術，建立0.1微米以下微小管洞(via/hole)之銅化學氣相沉積填洞技術，並且完成可與銅膜配合使用之超薄(10nm以下)障礙/黏著層(barrier/adhesion layer)之開發。NSC90-2215-E009-096（90N391）-計畫名稱：超薄氧化層高等可靠性物理暨次世代快閃式記憶體之前瞻性研究(子計畫三)研究者：陳明哲經費來源：行政院國家科學委員會關鍵詞：氧化層；應力引致漏電流；軟崩潰；滲透；電報雜訊；低頻雜訊；1/f雜訊；陷阱至陷阱隧道穿透；電洞；擾動；可靠性；互補式金氧半場效電晶體；直接隧道穿透；快閃式記憶體；毫微米元件。本計畫提出之目的有二，第一目的為具體有效地提昇現階段對超薄氧化層薄膜可靠性物理的了解。首先，一個創新滲透統計模式提供超薄氧化層在經歷應力引致漏電流及軟崩潰發展過程中所產生陷阱之數量，並據以得到應力引致漏電流之電流電壓特性以及軟崩潰後之氧化層電流電壓特性。其二，我們進行實驗以發掘P型通道場效電晶體之應力引致漏電流及軟崩潰對電洞能量的依賴，並配合理論之建立。其三，一種改進的陷阱至陷阱隧道穿透工具將用以靈敏偵測超薄氧化層在應力時所產生的微觀尺度陷阱。此技術也將延伸至P型通道元件。其四，執行電報雜訊技巧以提供應力引致漏電流及軟崩潰之動態特性。此特性可用來萃取陷阱時間常數、陷阱位置以及陷阱分佈。最後，徹底探討低頻或1/f雜訊在氧化層厚度微縮的研究並與其它靈敏測量工具作一比較。第二目的則為第一目的的應用於次世代快閃記憶體的研發。我們將示範如何利用超薄氧化層陷阱產生模式及隧道穿透模式設計出次世代快閃式記憶體應用規格以迄測試鍵的產製、量測及分析。NSC90-2218-E009-043（90N576）-計畫名稱：高效能之快速傅立葉轉換演算法、架構設計及其在數位通信上的應 用研究者：陳紹基經費來源：行政院國家科學委員會關鍵詞：快速傅立葉轉換；低功率；第四代無線通信；正交分頻多工；非對稱 性數位用戶迴路；數位視訊及聲訊廣播；無線通信區域網路；適應性 訊號處理；固定常數乘法；現場可程式邏輯匣陣列；超大型積體電路 設計；數位信號處理器本子計畫主要在探討低功率、快速之傅立葉轉換演算法及超大型積體電路設計及其在數位通信之應用設計，特別是最近極為被看好可能成為第四代無線通信技術之正交分頻調變技術(OFDM)，其核心演算法為FFT/IFFT運算，而在有線寬頻之非對稱性數位用戶迴路通信技術(ADSL)、數位視訊及聲訊廣播、下一代無線通信區域網路亦都利用相近技術，這幾種數位通信技術均被視為現在及未來寬頻上網通信之主流技術。在另一方面數位通信之適應性等化、回音消除濾波器設計亦為一主要課題，我們也將研究FFT/IFFT演算法運用於頻域適應性濾波等化器之設計，同樣的將著重於低功率、低複雜度、高速度的實現。本計畫將為三年之多年計畫，第一年將著重於低功率、低複雜度、高速度FFT/IFFT演算法之研究及設計，及相關的低功率固定係數乘法演算法之設計，同時將探討與FFT/IFFT相關之數位通信應用之理論，如最主要OFDM技術、第四代無線通信技術、寬頻之非對稱性數位用戶迴路通信技術、數位視訊及聲訊廣播、無線通信區域網路、頻域適應性等化、回音消除濾波器理論與技術，並訂定出FFT/IFFT模組之設計規格，同時也將研習FPGA及DSP實現之技術。第二年除了繼續及改善第一年的研究外，將設計出適用於數位信通信應用之FFT/IFFT架構及電路模組，特別是應用於第四代無線通信之OFDM除了設計出軟智慧財外(soft IP)， 我們也將作模組之FPGA及DSP碼之實現以驗證設計之正確性，若時間許可則將FFT/IFFT模組委託晶片廠實現之並作驗證。第三年除了繼續及改善第二年之研究外將開始與其他模組作整合設計及驗證，基本之整合系統將以FPGA實現為主，但同時也將實作改進版之FFT/IFFT模組晶片實現及DSP碼之改進。NSC90-2218-E009-038（90N455）-計畫名稱：低工作電壓奈米碳管場發射電子源之製程研究研究者：鄭晃忠經費來源：行政院國家科學委員會關鍵詞：場發射陣列；奈米碳管；微波電漿；平面顯示器本計畫是利用微波電漿化學氣相沉積系統(Microwave plasma enhanced chemical vapor deposition system) 來成長奈米碳管( Carbon nanotubes)，配合IC製造技術將所合成的奈米碳管製作成為二極場發射陣列以及具有薄膜電晶體控制之場發射元件，以應用於場發射顯示器上。奈米碳管由於具有奈米以下的管狀結構並且其圓柱狀部份滿佈著 p 電子，因此具有很好的場發射能力。而經由本研究室的實驗結果顯示: 奈米碳管具有很高的場發射電流，且起始電壓很低，極有潛力應用於真空微電子元件上，尤其是場發射顯示器。所以本計畫將利用微波電漿化學氣相沉積系統及配合IC技術以製作低電壓操作之場發射陣列。NSC90-2215-E009-074（90N376）-計畫名稱：高均勻載子移動率之低溫複晶矽薄膜電晶體研製研究者：鄭晃忠經費來源：行政院國家科學委員會關鍵詞：低溫複晶矽薄膜電晶體；高載子移動率；準分子雷射退火；鎳矽化物催化再結晶；均勻性本計畫的目標在於開發高均勻及高載子移動率低溫複晶矽薄膜電晶體元件之相關製程模組，並配合製作流程之設計，製作出可應用於主動陣列驅動之液晶顯示器及有機發光二極體顯示器上之高性能、高一致性低溫複晶矽薄膜電晶體。 若要將低溫複晶矽薄膜電晶體應用於主動陣列驅動之液晶顯示器及有機發光二極體顯示器上，元件除了具有高性能的特性外，必須仍具備極佳的一致性。若要達到上述之目標，傳統的製程方式必須加以改進。由於鎳矽化物催化再結晶法具有晶向及晶粒大小高度均勻性，若再配合準分子雷射退火法，勢必可進一步提昇低溫複晶矽薄膜的品質，進而製作出高性能、高一致性低溫複晶矽薄膜電晶體。但是由於鎳矽化物催化再結晶法所形成的複晶矽薄膜仍存有些許的金屬殘留，因而降低了低溫複晶矽薄膜電晶體的電特性，因此如何將殘留的金屬導出也是一個重要的課題，所以本計畫的另一項重點即是以特殊之低溫退火法並配合特殊雜質導入方式作為將殘留金屬導出的方法。本計畫將針對各項製程模組進行改良及研究，以研發出符合高性能、高一致性需求之低溫複晶矽薄膜電晶體元件。NSC90-2215-E009-068（90N370）-計畫名稱：電漿機台製程程序之研究研究者：鄭晃忠經費來源：中山科學研究院關鍵詞：電漿機台；電子回旋；大面積；化學氣相沉積本計劃是高密度電漿設備之製程開發, 配合目前中科院架設ECR機台進度, 作相關電漿特性之測試與半導體製程進一步開發. 依據前一期計劃的成果, 在中科院方面以幾乎完成300ECR機台架設且已完成部分電漿特性的分析與測試, 而在交大方面已經利用半導體中心現有之ECR-CVD機台建立一些薄膜沉積的基本資料與參數, 所以接續目前的工作成果，本計劃工作目標如下；1.與中科院方面繼續共同改善ECR機台的特性以達到電漿特性符合商業量產化需求。2.以中科院方面所完成ECR系統, 初期先以O2電漿進行光阻的蝕刻灰化藉以量測電漿密度，均勻度；及光阻蝕刻速率、均勻度等參數。再依據這些參數來改善設備上的問題以達到機台特性符合商業上蝕刻與薄膜沉積設備之需求。3.以中科院方面ECR系統，了解O2與Ar電漿特性。包含分析其蘭尼爾探針Langmuir probe及Optical Emission Spectroscopy 的量測結果。I90008（90.1.1-90.12.31）-計畫名稱：多媒體架構與數位視訊浮水印在網際網路之應用研究者：蔣迪豪經費來源：行政院國家科學委員會關鍵詞：多媒體架構；MPEG-21；數位視訊浮水印；網際網路；電子商務動態影像專家群委員會已制定幾個成功音視訊的標準，例如 MPEG-1，MPEG-2，MPEG-4 和 MPEG-7。前不久，在動態影像專家群委員會裡有另一個新標準活動其目標在解決多媒體資訊傳輸和各別標準互相交換的機制。這個新標準目前稱作MPEG-21其使命為定義未來電子資訊傳輸系統之“音視訊多媒體架構”。這個新標準活動之短期目標是以概觀的方式作一由上而下的分析來了解消費者的需要和期望。它將因此發展出一套MPEG-21新的要求。在公元2000年3月已有徵求資訊之公告並且在公元2000年7月以前已完成一分份技術報告。在這個新標準 MPEG-21的活動中，對於管理和保護智慧財產權的領域中急需新的技術。這個重要關鍵技術在容許多媒體資訊傳輸過程中之交易個體能輕易的記錄電子多媒體資訊的使用歷史。這些交易個體包括: 多媒體資訊的所有者，多媒體資訊的創作者，媒體傳輸系統業者，發行權利所有者，多媒體資訊購買者， 獨特識別號碼發行者，智慧財產權資料庫管理者，及認證機構。我們可以應用數位視訊浮水印技術來達成這個目標。此數位視訊浮水印可嵌入識別資訊且必須強韌得足以通過多媒體資訊傳輸的過程而不受破壞。本計畫預定在以下的步驟進行: (1) 研究多種現有之非保全數位視訊浮水印技術。(2) 研究各種攻擊數位視訊浮水印策略, 它可能是故意的或者是無意的攻擊。(3) 實現一個數位視訊浮水印技術其強韌度足以通過一些標準測試，例如轉譯碼，重定大小，調制和掃描。(4) 提出改進數位視訊浮水印技術新方法。(5)在數位訊號處理器上實現所研發的數位視訊浮水印技術。NSC90-2213-E009-139（90N345）-計畫名稱：MPEG-4單晶片無線多媒體通訊系統研究者：蔣迪豪經費來源：行政院國家科學委員會關鍵詞：MPEG-4；無線通訊；抗錯編碼；IEEE 802.11規格動態影像專家群委員會已制定幾個成功音視訊的標準，例如 MPEG-1，MPEG-2，MPEG-4 和 MPEG-7。前不久，在動態影像專家群委員會裡有另一個新標準活動其目標在解決多媒體資訊傳輸和各別標準互相交換的機制。這個新標準目前稱作MPEG-21其使命為定義未來電子資訊傳輸系統之“音視訊多媒體架構”。這個新標準活動之短期目標是以概觀的方式作一由上而下的分析來了解消費者的需要和期望。它將因此發展出一套MPEG-21新的要求。在公元2000年3月已有徵求資訊之公告並且在公元2000年7月以前已完成一分份技術報告。在這個新標準 MPEG-21的活動中，對於管理和保護智慧財產權的領域中急需新的技術。這個重要關鍵技術在容許多媒體資訊傳輸過程中之交易個體能輕易的記錄電子多媒體資訊的使用歷史。這些交易個體包括: 多媒體資訊的所有者，多媒體資訊的創作者，媒體傳輸系統業者，發行權利所有者，多媒體資訊購買者， 獨特識別號碼發行者，智慧財產權資料庫管理者，及認證機構。我們可以應用數位視訊浮水印技術來達成這個目標。此數位視訊浮水印可嵌入識別資訊且必須強韌得足以通過多媒體資訊傳輸的過程而不受破壞。本計畫預定在以下的步驟進行: (1) 研究多種現有之非保全數位視訊浮水印技術。(2) 研究各種攻擊數位視訊浮水印策略, 它可能是故意的或者是無意的攻擊。(3) 實現一個數位視訊浮水印技術其強韌度足以通過一些標準測試，例如轉譯碼，重定大小，調制和掃描。(4) 提出改進數位視訊浮水印技術新方法。(5)在數位訊號處理器上實現所研發的數位視訊浮水印技術。NSC90-2218-E009-014(90N431)-計畫名稱：深次微米射頻元件研究者：荊鳳德經費來源：行政院國家科學委員會關鍵詞：射頻技術；次微米電晶體；被動射頻元件由於超大型積體電路技術的微小化（scaling down），使得電路的操作頻率可增高至射頻區域，但對下一代工作於5.25.8 GHz 的無線LAN而言，CMOS技術仍有重重的難關需克服。因此矽晶片射頻技術未來將面臨的主要挑戰即在於提昇電晶體的訊號/雜訊比（S/N ratio）以及元件的射頻特性。而目前之MOSFET技術所遇到的瓶頸如下:1.雖然截止頻率（cut-off frequency）會隨著閘極長度（gate length）的減小而增大，但是量測到的最大頻率（maximum frequency）卻沒有顯著的增加，特別是在閘極寬度（gate width）大的狀態下。2.深次微米元件的最大頻率在飽和區域中與汲極電壓Vd有很大的關係。事實上，深次微米電晶體在飽和區域中的最大頻率甚至還會隨著Vd的增加而減小。3.功率增益（power gain）從-20dB/decade變為-30-40dB/decades的轉換點會隨著微小化而減低，這限制了頻寬以及最大操作頻率。4.目前並沒有具有合理物理意義的等校電路可解釋上述之趨勢。被動元件方面：1.矽基板嚴重的訊號損失和互擾效應（cross-talk effect）是較半絕緣體砷化鎵（GaAs）基板為差的主要原因。2.高訊號損失會導致低Q值（quality factor）電感和低訊號/雜訊比的傳輸線，而對電路造成重大的影響。為了能繼續提昇射頻電路中矽電晶體的效能，必須先解決上述的問題。以下則是我們對未來三年所做的規劃。第一年：1.0.18微米電晶體的製造，S高頻參數的量測，元件截止頻率及最大頻率的確定。2.被動螺旋電感，使用銅導線之金屬-半導體-金屬（MIM）電容的製造，及其S高頻參數的量測。3.電晶體的BSIM3v3模擬以及被動元件的模擬。第二年：1.準確的功率增益及最大頻率之模擬，包括了閘極寬度和汲極偏壓效應。2.開發高電阻矽基板以改善螺旋電感和傳輸線的Q值及訊號損失。3.正確地開發使用於未來電路的傳輸線SPICE模型。第三年：1.研究0.150.13微米電晶體射頻特形。2.分析電晶體元件設計以提昇功率增益和最大頻率。 3.使用高K值的介電質以減少MIM電容的面積使射頻電路的面積得以縮 小。NSC90-2215-E009-052（90N355）-計畫名稱：單一電晶體記憶元件研究者：荊鳳德經費來源：行政院國家科學委員會關鍵詞：毫微米粒子；量子點；快閃記憶體；鐵電記憶體目前Si VLSI CMOS 研發的演進，其電晶體閘極長度已達到20nm (FIN FET, C. Hu)而閘極氧化層等效SiO2的厚度已達到510 (Al2O3 & La2O3, Albert Chin, Symp. On VLSI 1999, 2000-本研究群結果)，因此VLSI CMOS 研發益發困難且漸漸沒有改進的空間，雖然如何或何時方能量產20nm CMOS則尚無法預測，且人類是否能達到20nm technology generation亦屬疑問。除了CMOS Logic外，Si VLSI尚有Memory為另一主流，分為volatile及non-volatile兩種，而volatile Memory則使用了1T1C結構，然non-volatile Memory則使用了1T floating gate的結構。因此有些人提出未來將有可能以Flash memory來取代DRAM (Symp. On VLSI, 1999)。然1T floating gate的結構較1T1C具有節省cell area的功效，而floating gate因hot carrier的問題，將造成Flash memory很難scaling並具有很長erase time的缺點，因此目前均任認為無法以1T floating gate 來取代DRAM (volatile Memory)的1T1C結構。本研究群即是希望能發展出新世代的1T Memory或其他記憶元件結構以應用於DRAM或non-volatile Memory中，並希望能達到同時具有DRAM之快速及Flash memory之data retention。此外，由於我們的1T Memory研究乃在於device physics，因此並不需要0.1mm的lithography，而我們探討的device structure則包含new materials-從最近十分熱門的high-K gate dielectric至nano-particle並甚至於更進一步至quantum dot。因此我們的研究，不但具有前瞻性符合Si new device及Si quantum device (2001 Symp. On VLSI的重點項目)，亦符合學校無0.1mm lithography及製作較工業界更先進12V）；(三)讀寫速度不夠快(四)耐久性(endurance)及資料保存特性(retention)仍待提昇等問題。而在元件設計上，快閃式記憶體目前仍存在二大難題：(一)新結構的設計；（二）低電壓及低功率。因此，快閃式記憶體的研究層次及技術，正面臨嚴重的瓶頸，欲克服這些問題，技術上尤以低功率、低電壓、高密度及高可靠性(reliability)為可行方向。本計畫即著眼於此，吾人規劃三年時程的研究計畫，從事研究一個適合於低電壓、低功率消耗、高效能及高可靠性下一世代的先進快閃式元件。首先從元件的寫入、抹除方式改進著手，建立一個適合低電壓操作之方法，同時思考元件改革設計方式，包含薄(ultra-thin) tunnel oxide（ 70A，JVD Nitride）的製作、低電壓操作方式與低功率、低電壓記憶元件結構的研發、高品質Interpoly oxide的製作。預期研究成果可提供產業界下一世代快閃記憶體的重要參考。 本計畫預期完成的工作有： 第一年計畫，工作目標，主要是在建立一套低電壓、低功率、高效能、高可靠性之快閃式記憶體元件操作模式及元件實作。首先根據各偏壓下之gate current特性，研發新的寫入與抹除機制。其次，根據不同操作偏壓條件輔以元件及製程、元件模擬，對現有n-channel ETOX結構快閃式記憶體做最佳化設計、完成元件製作。待寫入/抹除特性完整分析之後，開始應用本研究群所開發的量測技術，完成該快閃式記憶體作可靠性方面的分析和評估。最後和 Yale University教授T. P. Ma 合作研究對tunnel oxide微縮技術之可行性研究。 第二年計畫，工作的執行，主要是測試第一年研製快閃式記憶元件之低電壓操作下之寫入抹除特性，並利用本研究群開發之元件傷害分析技術，進行可靠性分析(如HC analysis, cycling endurance，data retention)，其目的在於驗證前一年所設計的元件是否達到預期之特性，並提供元件微縮的重要經驗。接著評估P通道快閃記憶體元件在新式操作模式下的寫入抹除特性，並準備第二次快閃記憶體元件之製作，本年度製作之N通道及P通道元件，重點在於引入High-k Inter-Poly-Dielectric 以及 JVD Nitride之技術，以期在元件特性上達到更低電壓及更佳的可靠性。 第三年主要是針對前一年製作完成的p-channel新結構元件(with thin tunnel oxide)，進行完整的P/E cycling可靠性分析；n-channel及p-channel cell scaling的研究；array可靠性測試，以及新操作模式Spice模型的建立。最後結果預期可以有世界級水準的論文發表，研究成果更可做為產業界下一世代快閃記憶體的參考指標。NSC90-2215-E009-093（90N389）-計畫名稱：肖基障金氧半場效體之數值模擬研究者：郭雙發經費來源：行政院國家科學委員會關鍵詞：波茲曼傳輸方程式；奈米元件；肖基障金氧半場效體；熱離子放射；穿隧電流；數值模擬在奈米（nanometer）元件的時代裡，欲將矽半導體元件的尺寸縮小，對積體電路製程工程師而言，確屬相當大的挑戰。在商業上，傳統的金氧半場效體（MOSFET）目前已朝向0.1微米（100奈米）閘極長度的物理極限邁進。為使元件縮小能夠持續下去，選擇他種不同結構的金氧半場效體方案已被提出考慮。在這些方案中，以結構簡單的肖基障（Schottky barrier）金氧半場效體最被看好，而被認為是最具潛力的一種。在此元件中，源極和汲極係由原為金屬接觸的金屬矽化物直接構成。相較於傳統元件利用擴散雜質來形成pn接面，可避免習知的短通道效應，而其操作原理則係由閘極電壓調變來控制肖基障之位能分佈，以決定源極注入通道的電流大小。本計畫主要是利用數值方法來模擬分析奈米尺寸的肖基障金氧半場效體的電學特性。針對奈米元件的高電場熱電子效應，吾人將直接利用波茲曼傳輸方程式確實求解通道區的載子能量分佈，而非假設為傳統的波茲曼分佈。至於肖基障的穿隧電流，則採取量子力學模型，利用Airy函數直接解薛丁格方程式，諒此方法將比採用WKB近似法所計算者更為準確。在奈米元件的模擬分析中，帕松方程式與電流連續方程式需與波茲曼傳輸方程式相結合以提供通道區的電場強度、載子濃度及電流密度之正確分佈。在肖基障金氧半場效體的結構中，由於熱離子放射和穿隧電流現象，會產生較大的漏電流。為了增進此結構的實用性，元件電流的開關比必須被考量。因此，吾人在進行模擬分析的同時亦將討論金屬矽化物的功函數和基底矽的攙雜濃度對此電流開關比的影響。為了進一步驗證這種新數值模擬方法的正確性, 吾人的結果將與現有的傳統漂移擴散模式計算及文獻上的實驗測量特性作比較。NSC90-2215-E009-063（90N365）-計畫名稱：MPEG-4 多媒體通訊技術之研究（II）（總計畫）研究者：杭學鳴經費來源：行政院國家科學委員會關鍵詞：多媒體通訊；MPEG-4；互動聲視訊過去十五年間，多媒體通訊的研究以驚人的速度成長。其成果之一是H.261/H.263，JPEG及MPEG系列標準的制定。這些標準產生許多目前市場上極為流行的商品。另一方面，標準制定活動也鼓舞、推動了多媒體通訊領域研究工作的進展。本計畫的目標即在於研究並實現MPEG-4標準中幾項重要的技術。MPEG-4標準頗為龐大複雜，本整合型計畫將就其中之視訊處理、視訊資料編碼與傳輸以及系統等三大部分予以討論研究，共分五項子計畫：1. MPEG-4相關之彩色影像切割技術研究2. 視訊傳輸的互動迴授型式及錯誤防止3. 比例式視訊編碼技術及視訊通訊終端機技術之研究4. MPEG-4與MPEG-7系統之研究5. 多媒體架構與數位視訊浮水印在網際網路之應用所有子計畫的共同目標是研究MPEG4相關技術，並整合構建一個展示平台，但相關且較為前瞻性的課題也會一併研究。 此計畫分三年進行。目前正進行第一年各子計畫研究項目，第二年嘗試將各子計畫初步整合，第三年則發展出一軟體的Internet Web展示系統，整合各子計畫三年之成果。NSC90-2213-E009-136（90N342）-計畫名稱：MPEG-4 與 MPEG-7系統技術之研究（II）研究者：杭學鳴經費來源：行政院國家科學委員會關鍵詞：多媒體通訊；MPEG-4；MPEG-7；視訊編碼；物件導向編碼本計畫為整合型計畫MPEG-4多媒體通訊技術之研究(二)中的一個子計畫。整個計畫時限為三年，今年為第二年度。過去數年間，