关于自对准工艺.ppt_第1页
关于自对准工艺.ppt_第2页
关于自对准工艺.ppt_第3页
关于自对准工艺.ppt_第4页
全文预览已结束

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

自对准工艺 n SiN 在硅片上淀积一层氮化硅膜 刻出S D 保留将作为栅的位置上的SiN 即栅 S D位置自动对准了 S D扩散 去除栅区以外的SiN 厚氧 自对准工艺以Al栅为例 p 去除栅区SiN 栅氧 淀积栅 栅光刻 实际栅光刻时 S D孔也开出 超自对准工艺的主要工序是用通常方法完成基区掺杂后 在硅片上淀积一层未掺杂多晶硅 氧化掉不必要的部分 在整个芯片上淀积氮化硅膜层和二氧化硅膜层 除发射区和集电极接触孔外 其他部位的二氧化硅膜全腐蚀掉 以二氧化硅膜作掩模 把硼注入到未掺杂多晶硅内 然后腐蚀掉氮化硅 稍微过腐蚀一点 再采用选择腐蚀法把未掺杂多晶硅腐蚀去 暴露的基区宽度小于1微米 采用热氧化 同时形成P 区 去掉氮化硅 不用掩模进行硼注入 自对准形成P 基区 再在多晶硅发射极中掺入砷 扩散形成发射区 自对准工艺以Si栅为例 SiN SiN
人人文库> 全部分类> 生活休闲 > 科普知识

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论