半导体材料应用范文

半导体材料应用第一章 常用半导体材料一、选择题1、PN结加正向电压时，耗尽层将A.变窄 B.基本不变 C.变宽 D.不确定2、当晶体管工作在放大区时，发射结和集电结应为A.前者正偏、后者正偏 B.前者正偏、后者反偏C.前者反偏、后者正偏 D.前者反偏、后者反偏3、在一个由NPN型晶体管构成的放大电路中,关于晶体管三个电极的电位,下列说法正确的是A 集电极电位一定最高 B. 集电极电位一定最低C发射极电位一定最高 D. 基极电位一定最低4、在基本共射极放大电路中，若适当增加RC,则电压放大倍数和输出电阻将分别变化为A放大倍数变大，输出电阻变大 B. 放大倍数变大，输出电阻不变C. 放大倍数变小，输出电阻变大 D. 放大倍数变小，输出电阻变小5、晶体管处于截止状态时，发射结和集电结的偏置情况是。A. 发射结反偏，集电结正偏 B. 发射结、集电结反偏C. 发射结、集电结均正偏 D.发射结正偏、集电结反偏6、工作在放大区的三极管，如果当IB从12A增大到22A时，IC从1mA增加到2mA，那么它的约为A 83 B 91 C 100 D 1677、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将A 增大 B 减小 C 不变 D 变化趋势不明显8、在本征半导体中加入N型半导体，加入元素可形成P型半导体。A、六价；三价 B、五价，三价 C、三价；六价 D、三价；五价9、某NPN型三极管的输出特性曲线如图所示，当VCE=6V时，其电流放大系数为A、=100B、=25C、=150D、=5010、当稳压管在正常稳压工作时，其两端施加的外部电压的特点为 。A. 反向偏置但不击穿 B. 正向偏置但不击穿C. 正向偏置且被击穿 D. 反向偏置且被击穿11、双极型晶体管工作在饱和区的偏置条件是 。A.发射结正偏；集电结正偏 B.发射结正偏；集电结反偏C.发射结反偏；集电结正偏 D.发射结反偏；集电结反偏12、在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，- V，则这只三极管是。ANPN 型硅管 型锗管型硅管 型锗管13、PN结加正向电压时，其正向电流是由的。A多数载流子扩散形成 B. 多数载流子漂移形成C少数载流子扩散形成 D. 少数载流子漂移形成14、工作在放大状态的晶体三极管，流过发射结的电流主要是A漂移电流 B. 复合电流 C. 穿透电流 D.扩散电流15、当温度升高时，晶体管的、ICBO和uBE的变化情况为A、增加，ICBO和uBE减小 B、和ICBO增加，uBE减小 C、和uBE减小，ICBO增加 D、ICBO和uBE都增加16、场效应管本质上是一个A、电流控制电流源器件 B、电流控制电压源器件 C、电压控制电流源器件D、电压控制电压源器件17、在某放大电路中，测得晶体管三个极的静态电位分别为0V、和12V，则这只三极管是A、NPN型硅管 B、NPN型锗管C、PNP型硅管 D、PNP型锗管18、稳压管的稳压区是其工作在A、正向导通 B、正向击穿 C、反向截止 D、反向击穿19、下列三极管中，一定工作在放大状态的是A BCD 20、PN结反向偏置电压的数值增大，但小于击穿电压，则A、其反向电流增大 B、其反向电流减小 C、其反向电流基本不变 D、其正向电流增大21、二极管的反向饱和电流在20时是5A，温度每升高10，其值增大一倍，当温度为40时，反向饱和电流值为A、10A B、15A C、20A D、40A22、某场效应管的转移特性如图，该管为A、P沟道增强型MOS管 B、P沟道结型场效应管C、N沟道增强型MOS管 D、N沟道耗尽型MOS管23AC性 24A、NPN型硅管 B、NPN25A、多数载流子扩散形成 流子扩散形成 二、填空题 1、二极管最主要的特性是 23、本征硅中掺入5越 ；相反少数载流子是 ，掺杂越多，则其数量越 。4、半导体中的多数载流子是由形成的，少数载流子是由产生的。5、PN结外加反向电压时其空间电荷区宽度将PN结中6、温度升高时，二极管的反向饱和电流将7、当温度升高时，晶体管的输出特性曲线之间的间隔。8、工作在放大区的某三极管，如果当IB从12A增大到22A时，IC从1mA变为2mA，那么它的约为 。三、计算题1、在下图所示稳压管稳压电路中，已知稳压管的稳压电压UZ=6V，最小稳定电流IZmin=5mA，最大稳定电流IZmax=25mA；负载电阻RL=600。求：限流电阻R的取值范围。2、电路如图所示，其输入电压uI1和uI2的波形如图所示，二极管导通电压UD。试画出输出电压uO的波形，并标出幅值。3、电路如图所示，设所有稳压管均为硅管，且稳定电压VZ8V，已知vi15sint ，试画出vO的波形。4、在图中，试求下列几种情况下输出端对地的电压UY及各元件中通过的电流。UA=10V