CMOS工艺流程.ppt_第1页
CMOS工艺流程.ppt_第2页
CMOS工艺流程.ppt_第3页
CMOS工艺流程.ppt_第4页
CMOS工艺流程.ppt_第5页
已阅读5页，还剩44页未读， 继续免费阅读

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

1 1 清华工艺录像 N阱硅栅CMOS工艺流程 2 初始氧化 3 光刻1 刻N阱 4 N阱形成 N阱 5 Si3N4淀积 6 光刻2 刻有源区 场区硼离子注入 N阱 7 场氧1 N阱 8 光刻3 N阱场区磷离子注入 N阱 9 场氧2 N阱 10 栅氧化 N阱 11 多晶硅淀积 N阱 12 光刻4 刻NMOS管硅栅 磷离子注入形成NMOS管 用光刻胶做掩蔽 13 光刻5 刻PMOS管硅栅 硼离子注入及推进 形成PMOS管 用光刻胶做掩蔽 14 磷硅玻璃淀积 N阱 15 蒸铝 光刻7 刻铝 光刻8 刻钝化孔 图中展示的是刻铝后的图形 16 N阱硅栅CMOS工艺流程 17 CMOS集成电路工艺 以P阱硅栅CMOS为例 1 光刻I 阱区光刻 刻出阱区注入孔 18 2 阱区注入及推进 形成阱区 19 3 去除SiO2 长薄氧 长Si3N4 20 4 光II 有源区光刻 刻出PMOS管 NMOS管的源 栅和漏区 21 5 光III N管场区光刻 N管场区注入孔 以提高场开启 减少闩锁效应及改善阱的接触 22 6 长场氧 漂去SiO2及Si3N4 然后长栅氧 23 7 光 p管场区光刻 用光I的负版 p管场区注入 调节PMOS管的开启电压 然后生长多晶硅 24 8 光 多晶硅光刻 形成多晶硅栅及多晶硅电阻 25 9 光 I P 区光刻 刻去P管上的胶 P 区注入 形成PMOS管的源 漏区 26 10 光 N管场区光刻 刻去N管上的胶 N管场区注入 形成NMOS的源 漏区 27 11 长PSG 磷硅玻璃 28 12 光刻 引线孔光刻 29 13 光刻 引线孔光刻 反刻Al 30 2 简化N阱CMOS工艺演示 31 氧化层生长 32 曝光 33 氧化层的刻蚀 光刻1 刻N阱掩膜版 34 N阱注入 光刻1 刻N阱掩膜版 35 形成N阱 36 氮化硅的刻蚀 N阱 37 场氧的生长 N阱 38 去除氮化硅 N阱 39 重新生长二氧化硅 栅氧 N阱 40 生长多晶硅 N阱 41 刻蚀多晶硅 N阱 42 刻蚀多晶硅 N阱 43 P 离子注入 N阱 44 N 离子注入 N阱 45 生长
人人文库> 全部分类> 应用文书 > 技术指导

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论