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文档简介

1 基于SnS2电子传输层的钙钛矿太阳能电池 1 1 FTO基底生长SnS2纳米材料 2 器件组装及性质测试 目录 2 3 问题及下一步计划 4 工作总结 2 3 材料合成 3 SnS2表面电镜 4 4 5 材料合成 5 合成条件5mmolSnCl4 5H2O20mmol硫代乙酰胺40ml水190 反应6h50 真空干燥1h 反应时间对产物的影响 6 二硫化锡表面电镜 6 合成条件5mmolSnCl4 5H2O20mmol硫代乙酰胺40ml水190 反应9h50 真空干燥1h 反应时间对产物的影响 7 二硫化锡表面电镜 7 合成条件5mmolSnCl4 5H2O20mmol硫代乙酰胺190 反应9hSnS进行表面处理1h50 真空干燥1h 反应时间对产物的影响 8 二硫化锡 硫化锡表面电镜 8 合成条件5mmolSnCl4 5H2O20mmol硫代乙酰胺190 反应12h50 真空干燥1h 反应时间对产物的影响 9 二硫化锡表面电镜 9 合成条件5mmolSnCl4 5H2O20mmol硫代乙酰胺190 反应12hSnS进行表面处理1h50 真空干燥1h 反应时间对产物的影响 10 二硫化锡 硫化锡表面电镜 10 反应时间 9h 反应时间 6h 反应时间 12h 11 11 反应时间 6h 反应时间 9h 反应时间 12h 12 12 合成条件5mmolSnCl4 5H2O20mmol硫代乙酰胺20ml水190 反应9h50 真空干燥1h 反应浓度对产物的影响 13 13 合成条件5mmolSnCl4 5H2O20mmol硫代乙酰胺20ml水190 反应9hSnS进行表面处理1h50 真空干燥1h 反应浓度对产物的影响 14 14 低浓度条件电镜 高浓度条件电镜 反应浓度对产物的影响 15 15 截面电镜 低浓度条件截面电镜 高浓度条件截面电镜 16 16 电池I V测试 17 17 光致发光光谱 18 18 电化学阻抗测试 19 Rs Rt Rc 19 实验存在问题及方案 问题一 在FTO上生长的SnS2与在溶液中生长的形貌截然不同 可能是由于FTO能够引起SnS2的定向生长 方案 测试反应后的溶液的形貌 若与FTO上的形貌不同 说明体相生长与在FTO上生长的不同 即FTO能够引导定向生长 问题二 在FTO上生长的棒状SnS2不够均匀致密 SnS处理后使得表面均匀性更差 方案 重新探究SnS处理的条件 主要是反应温度浓度和时间 20 20 Figure1 MicrostructureofTiO2 SnSfilmsandcrystalstructureofnanocrystallineTiO2andSnS FE SEMimageofTiO2 SnSfilmwithvaryingCBDtime a 0 b 1 c 2 d 3 ande 4h SnS QuantumDotSolarCellsUsingNovelTiCCounterElectrodeandOrganicRedoxCoupl

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