电子技术习题(二级管和三级管).doc

。二极管、三极管专题复习一、填空题： 1PN结具有_性能，加_电压时,PN结导通,加_电压时，PN结截止。 2三极管是 控制器件，所谓放大作用，实质上是通过 的变化来控制 有较大变化。3半导体二极管的基本性能是 ，正向电压大于 电压时导通，导通后硅管的正向压降为 V，锗管为 V。4温度上升，二极管的反向饱和电流 。 (增大、减小 )5已知某晶体三极管IB=0.2mA, IC4.0mA，则IE=_ m A, = = _ _。6. 输出特性曲线反映三极管_和_关系的特性曲线。7 8PNP管处于放大状态时，三个电极中_极电位最高。NPN管处于放大状态时，三个电极中_极电位最低。二、 选择题： 1. 万用表测量电子线路中的晶体管测得= -3V、VCE=6V、VBC = -5.4V，则该管是 （ ）。A、PNP型，处于放大工作状态 B、PNP型，处于截止工作状态C、NPN型，处于放大工作状态 D、NPN型，处于截止工作状态2如图所示，V为理想二极管，则UAB为（ ）。3用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把欧姆挡拨到（ ）。AR10K挡 BR1挡 CR100或R1K挡4图2给出了锗二极管和硅二极管的伏安特性曲线，其中硅二极管的伏安特性曲线是由：_。（A）a和c组成 （B）a和d组成 （C）b和c组成 （D）b和d组成abcdUIO5放大电路中某三极管极间电压如图所示，则该管类型及1、2、3极分别为（ ）。A. NPN硅管，E、C、B B. NPN硅管，C、B、EC. PNP锗管，E、C、B D. PNP锗管，B、C、E6测得放大电路中三极管三个电极对地电位如图所示，则该管为（ ）。A. NPN型硅管,1脚为b极、2脚为c极、3脚为e极B. PNP型锗管,1脚为e极、2脚为b极、3脚为c极C. NPN型锗管,1脚为e极、2脚为c极、3脚为 b极D. PNP型硅管,1脚为b极、2脚为c极、3脚为e极7在图2-9所示电路中，V为理想二极管，则A、B两端的电压为( )。A、6V B、6V C、12V D、12V8在图2-10所示电路中，IE1.02mA，Ic1mA，则IB的大小和方向是（ ）。A向左,0.02mA B向右，0.02 mA C向左，2.02 mA D向右，2.02mA9如图所示，三极管处于饱和状态的是（ ）。10如果二极管的正反向电阻都很大，则二极管的状态是（ ）。A正常 B已被击穿 C 内部断路11、如图电路，输出电压为_。A0V B2.4V C3.6V D5V5V13.6V2k2kVO三判断题：（ ）1. PN结只要加正向偏置电压就能导通。（ ）2. 稳压二极管正向使用也有稳压作用。（ ）3. 半导体内部有两种载流子，一种是多数载流子，一种是少数载流子。（ ）4. 少数载流子是空穴的半导体称为N型半导体。（ ）5晶体三极管具有能量放大作用。（ ）6. 对于PNP型管，若VBE0，VBEVCE则该管饱和。（ ）7. 三极管工作在放大状态的电压条件可以写为VBE0，VBC ICM，PC PCM时，管子的放大能力将下降。（ ）9. 可利用两个二极管构成三极管。 （ ）10对NPN管，当VBE0,VBEVCE,该管工作在饱和状态。 四、 分析计算题：1. 若测得某三极管IB=20A时，IC=2mA；IB=60A，IC=5.4 mA，试求该管的。2. 如图2所示的电路，二极管正向压降0.7V，试判断图中二极管是导通还是截止，并求输出电压。3.设下列图中V均为理想管，vi=10sinwt试画出电路的输出波形。4.当VA=3V，VB=0V时，求F点的电位VF。5、判别下列