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综合检索报告综 合 检 索 报 告姓名 _ _ 班级 _ _ 学号 _检索课题（中文） _人造金刚石的合成_ （英文）_ The synthesis of synthetic diamond _一、检索策略1、检索词：主题词（中文）:人造金刚石（英文）: synthetic diamond相关词：（中文）_金刚石_ （英文）_ diamond _副主题词：（中文）_人造_（英文）_ synthetic _副主题词：（中文）_合成_（英文）_ synthesis _2、构造检索式（布尔逻辑表达式或网络检索式）金刚石and人造and合成 二、检索来源（本文所查数据库名或其它来源）万方数据库 E.I数据库 维普数据库 欧洲专利局 美国专利局 中国专利局 CALIS学位论文系统 OhioLINKETDs学位论文 谷歌图书网 亚马逊图书网三、检索结果：分别写出篇名、作者、文献来源（期刊指刊名、年、卷期；专利指专利号；学位论文指授予单位，标准指标准号等文摘形式）及摘要（有原文请注明），所有数据库均检索近6年的文献。1、中文期刊（找5篇）：（必备）人造大单晶金刚石合成技术及应用研究现状摘要：随着近几年人造金刚石技术研究的再次发展,大单晶金刚石合成技术成为相关研究者新的研究方向.本文结合当前人造金刚石合成现状,详细介绍了金刚石的合成技术发展,各人研究机构的研究进度,生产设备及合成方法.大单晶金刚石的应用情况等.作者：王东胜 王志勇 董耀华 来源：广东建材2010.26（4）绝缘片在粉末工艺合成人造金刚石中的试验研究摘要：本文介绍了一种用氧化铝陶瓷基片制作的绝缘片,应用在粉末工艺合成人造金刚石中.通过在六面顶压机上进行人造金刚石高温、超高压合成的对比实验,结果表明:绝缘片能有效地改善合成腔体内部的温度分布差异,为金刚石的成核生长提供良好的环境.具有绝缘片的粉末合成块在粉末合成工艺中较没有绝缘片粉末合成块合成工艺更稳定.同时由于合成腔体的温场均匀,合成的金刚石颜色、透明度、单产都有很大提高.为进一步提高金刚石的品位进行了实验摸索.作者：李丹 孟继承 张景鑫 朱凤福 周连科文献来源：人工晶体学报 2009.38（1）高品级人造金刚石合成工艺特点的探讨摘要：通过对高品级金刚石理想合成区间和实际生产区间的探讨分析,阐述了高品级金刚石合成过程中温度与压力的匹配与控制的关键技术,对合理制定高品级金刚石合成工艺不无益处.作者：刘立新 赵岩文献来源：超硬材料工程 2010.22（2）金刚石合成设备的技术进展摘要：近年来,随着以粉末合成块为代表的人造金刚石合成工艺的迅速推广,大压机更新换代发展势头迅猛。以无缸压机为代表的压机已从650、1000向1500缸径迈进。而以有缸压机为代表的压机也从700、750缸径向850缸径方向发展。与大压机配套的顶锤也朝着尺寸大的方向发展,压机顶锤直径也从142、160、175向199甚至220尺寸发展。然而,大顶锤或大压机这种在原尺寸上按比例的放大,无疑加重了投资者的负担,使得大压机只能是财大气粗的大户才能用得起,并且投资回报期也不能如投资者所愿。因此,实现低成本、高产出、高回报才是每个厂商的真正愿望。作者：陆振勤1 胡毅胜1 郭滇生1 黄凯2 龙雷明1文献来源：研究和应用 1673-1433（2011）03-0023-03高品级、高性能人造金刚石合成工艺的实验研究摘要：通过不同材料的配比合成实验、不同合成工艺的对比分析，总结出一种合成高品级、高性能人造金刚石的工艺方法。作者：杨烨 姜杰 陈宝良文献来源：超硬材料合成工艺及技术 TQ1632、外文期刊（找5篇）：（必备）Muon spin relaxation in synthetic type IIa diamond grown by high-pressure and high-temperature (HPHT) synthesis摘要：The behaviour of hydrogen in the low strain pure diamond material synthesized by the high pressure high temperature (HPHT) route has been studied using the longitudinal field muon spin relaxation technique (LF-SR). This study almost completes a survey of muonium in diamond with a range of defect compositions. The result may provide information on the so-called missing fraction (MF) observed in many previous studies of muons implanted into semiconductors. The experimental results showed the existence of a diamagnetic muon state (+), two paramagnetic muonium states (tetrahedral interstitial and bond-centred ), and MF formed by positive muons implanted into the sample. The absolute fractions of +, , and MF in the sample were 4%, 54%, 30% and 12%, respectively.作者：M. Madhukua, D. Gxawub, S.H. Connellc, I.Z. Machid, J.M. Keartlande, P.J.C. Kingf文献来源： High quality synthetic single crystal diamond for novel optical applications摘要：Recent breakthroughs in single crystal diamond synthesis by chemical vapor deposition have lead to reproducible material of exceptionally high quality and of practical size, for a range of novel laser and photonics applications.作者：Santini, P.1; Friel, I.2 ; Twitchen文献来源：QELS 2009/06/08Hot spot formation in microwave plasma CVD diamond synthesis摘要：Plasma-substrate interactions in diamond synthesis via microwave plasma-assisted chemical vapor deposition (CVD) are an important issue in CVD reactor optimization. The hot spot formation observed during single-crystal diamond synthesis in 2.45-GHz cylindrical cavity reactors is examined after long-run deposition. 2006 IEEE. (5 refs.)作者：Hemawan, Kadek W.1; Yan, Chih S.1; Liang, Qi1; Lai, Joseph1; Meng, Yufei1; Krasnicki, Szczesny1; Mao, Ho K.1; Hemley, Russell J文献来源：Hemawan, Kadek W.1；Yan, Chih S.1; Liang, Qi1； Lai, Joseph1; Meng, Yufei1； Krasnicki, Szczesny1； Mao, Ho K.1; Hemley, Russell J.Chemical vapour deposition synthetic diamond: Materials, technology and applications摘要: Substantial developments have been achieved in the synthesis of chemical vapour deposition (CVD) diamond in recent years, providing engineers and designers with access to a large range of new diamond materials. CVD diamond has a number of outstanding material properties that can enable exceptional performance in applications as diverse as medical diagnostics, water treatment, radiation detection, high power electronics, consumer audio, magnetometry and novel lasers. Often the material is synthesized in planar form; however, non-planar geometries are also possible and enable a number of key applications. This paper reviews the material properties and characteristics of single crystal and polycrystalline CVD diamond, and how these can be utilized, focusing particularly on optics, electronics and electrochemistry. It also summarizes how CVD diamond can be tailored for specific applications, on the basis of the ability to synthesize a consistent and engineered high performance product.作者：Balmer, R.S.1; Brandon, J.R.1; Clewes, S.L.1; Dhillon, H.K.1; Dodson, J.M.1 ; Friel, I.1; Inglis, P.N.1; Madgwick, T.D.1; Markham, M.L.1; Mollart, T.P.1; Perkins, N.1; Scarsbrook, G.A.1; Twitchen, D.J.1 ; Whitehead, A.J.1; Wilman, J.J文献来源：Journal of Physics Condensed Matter, v 21, n 36, 2009; ISSN: 09538984, E-ISSN: 1361648X; DOI: 10.1088/0953-8984/21/36/364221; Article number: 364221; Publisher: Institute of Physics PublishingA review of diamond synthesis by CVD processes摘要：Diamond has some of the most extreme mechanical, physical and chemical properties of all materials. Within the last 50 years, a wide variety of manufacturing methods have been developed to deposit diamond layers under various conditions. The most common process for diamond growth is the chemical vapor deposition (CVD). Starting from the first publications until the latest results today, a range of different developments can be seen. Comparing the basic conditions and the process parameters of the CVD techniques, the technical limitations are shown. Processes with increased pressure, flow rate and applied power are the general tendency.作者：Michael Schwander ，nut Partes文献来源：BIAS Bremer Institut fr angewandte Strahltechnik GmbH, Klagenfurter Str. 2, D-28359 Bremen, Germany3、专利文献（中外文各找2篇）：（工科必备）中文文献 人造聚晶金刚石喷嘴的制造方法 本发明公开了一种人造聚晶金刚石喷嘴的制造方法，用六方氮化硼膜均匀地涂覆在预定好尺寸的金属丝上，涂覆膜厚为1mm；将涂覆好的金属丝放在金刚石与金属Co微粉的混合物料中心，然后一起放在宝石喷嘴嘴芯尺寸的模具内；在13501550温度和5.56.5GPa的压力条件下合成出人造聚晶金刚石；拔出金属丝，再用常规方法加工打磨、去毛刺和修整磨平后即得直径在0.101mm之间的人造聚晶金刚石喷嘴。本发明加工过程简单，使用寿命高，可实现喷嘴内孔形状的多样化。申请专利号：CN200910028424.8 申请日期：2009年1月20日申请专利权人：江苏工业学院,常州市润洋超硬材料有限公司发明人：曹大呼,陈 功,李 海,王芝秀,陆 刚 一种实时测量金刚石单晶生长的动态方法本发明属于超硬材料应用领域，是一种实时测量金刚石单晶生长的动态方法。本发明的特征是采用声发射无损检测技术，以金刚石单晶在高温高压合成条件下生长过程的原位反应所产生的声发射源信号作为检测对象，进行实时动态检测。本发明可以将金刚石单晶在高温高压下生长时原位反应过程所产生的声发射源信号进行直接、真实、有效地采集、识别、记录和分析，所测量得到的声发射信号计数率随合成时间的变化曲线直接反映了金刚石单晶生长时原位反应过程的实时动态变化规律，为研究人造金刚石单晶的生长机理提供了在高温高压下直接获得的实验数据和客观依据。申请专利号：CN200810140396.4 申请日期：2008年10月17日申请（专利权）人：山东大学 发明人：李木森,尹龙卫,许 斌,亓永新,宫建红,宿庆财,李和胜,刘 磊外文文献 System and method for producing synthetic diamond Synthetic monocrystalline diamond compositions having one or more monocrystalline diamond layers formed by chemical vapor deposition, the layers including one or more layers having an increased concentration of one or more impurities (such as boron and/or isotopes of carbon), as compared to other layers or comparable layers without such impurities. Such compositions provide an improved combination of properties, including color, strength, velocity of sound, electrical conductivity, and control of defects. A related method for preparing such a composition is also described, as well as a system for use in performing such a method, and articles incorporating such a composition.发明人：Linares; Robert C. (Sherborn, MA), Doering; Patrick J. (Holliston, MA)专利权人：Apollo Diamond, Inc. (Medfield, MA)专利号：12/047,884 申请日期：March 13, 2008METHOD OF PARTIALLY INFILTRATING AN AT LEAST PARTIALLY LEACHED POLYCRYSTALLINE DIAMOND TABLE AND RESULTANT POLYCRYSTALLINE DIAMOND COMPACTS发明人：MUKHOPADHYAY DEBKUMAR US; BERTAGNOLLI KENNETH E US; GONZALEZ JAIR J US专利权人：US SYNTHETIC CORP US; MUKHOPADHYAY DEBKUMAR US; BERTAGNOLLI KENNETH E US; GONZALEZ JAIR J US +专利号：WO2011US60380 20111111 申请日期：2010/12/074、学位论文（中外文各找2篇）：（必备）中文学位论文 高温高压金刚石生长机理的价电子理论及热力学分析摘要：造金刚石单晶不仅具有硬度高、抗腐蚀、高耐磨等优异性能，还具有优良的光学、声学、热学和电学性质，不断表现出其在现代科学技术和发展中的重要作用。目前，最具有工业生产规模与广泛应用价值的金刚石单晶合成方法仍然是高温高压触媒法。高温高压金刚石的生长机理对于指导工业生产金刚石无疑具有重要意义，但由于高温高压下在线检测的困难性，理论研究的难度仍然过大，造成目前学术观点尚未统一，尤其是对金刚石生长的碳源这一关键问题仍存在较大争议，近年来金刚石生长机理方面的研究投入也较少，对机理的研究依然是一个重大的探索性课题。 课题组前期对合成金刚石后的触媒及包覆着金刚石单晶的金属包膜的组织、结构、成分等进行了系统的实验表征，根据前期的实验结果，本文利用余氏理论和程氏理论计算分析了高温高压触媒法金刚石生长中各物相的价电子结构及界面的电子密度，从电子结构角度研究了金刚石生长的碳源问题及触媒的催化作用，探讨了高温高压金刚石生长机理；同时结合热力学理论，解释触媒在其中的变化过程，从热力学角度进一步分析了金刚石生长的碳源问题。从而为金刚石的机理研究开辟了一条新途径，并提出了触媒成分设计的新思路。 本文首先根据材料的热膨胀本质和广义虎克定律，利用晶体的线膨胀系数和弹性常数，建立了晶格常数与温度和压力之间的关系。运用该方法计算六方石墨在不同温度和压力下的晶格常数，所得结果与前人的实验结果非常接近，验证了本文计算方法的可行性。进而计算了金刚石合成过程中各物相(金刚石、石墨、Fe3C、-(Fe,Ni)等)的晶格常数随温度和压力的变化，为高温高压条件下晶体的的价电子结构分析提供了计算基础。 根据价电子理论，异相界面的电子密度应连续，则在金刚石晶体生长中，碳源相与金刚石界面的电子密度应保持连续，这是金刚石生长要满足的边界条件。本文对金刚石和石墨的价电子结构分析表明：常温常压下，金刚石和两种石墨各主要晶面之间的最小电子密度差在80左右，而1600 K、5.5 GPa时最小电子密度差在60左右，虽然由于温度和压力的作用，金刚石和石墨之间的电子密度有所接近，但仍要要远远大于10，即在一级近似下是不连续的，不能满足金刚石生长的边界条件。因此从电子结构角度看，触媒法金刚石晶体生长的直接碳源不是来自石墨。另外，石墨结构中共价键的键能随温度和压力变化并不明显，最强键上的键能约为240 kJ/mol，平面网层之间的共价键能非常小，靠范德华力结合。在金刚石合成过程中，部分石墨需以C原子形式溶入似熔态触媒，与触媒合金形成碳化物或间隙固溶体。已有研究证实选择铁基触媒合成金刚石具有较好的应用前景及较高的学术研究价值，课题组前期对合成后的Fe-Ni触媒及包膜进行了系统的研究，发现在包膜/金刚石界面存在着大量的Fe3C和-(Fe,Ni)，并推测Fe3C为金刚石晶体生长的碳源相，-(Fe,Ni)为催化相。因此，本文以Fe-Ni-C系金刚石晶体生长为例探讨金刚石的生长机理，对合成后包膜中主要物相的价电子结构及界面的电子密度进行了计算分析。对Fe3C的价电子结构及Fe3C/金刚石界面电子密度的分析表明：高温高压状态下，Fe3C/金刚石界面的电子密度在一级近似下是连续的，能够满足金刚石生长的边界条件。因而，高温高压触媒法合成金刚石，并不是由石墨结构直接转变为金刚石结构，而是C原子集团不断从Fe3C中脱落，转移到与之电子密度相近的金刚石界面上，进而完成金刚石晶体的生长。另外，Fe3C的两个主要晶面同金刚石(111)晶面的电子密度连续，可以解释金刚石包裹体中薄片状Fe3C同金刚石(111)面存在着平行的位向关系这一现象。对-(Fe,Ni)的价电子结构及y-(Fe,Ni)/Fe3C界面电子密度的分析则发现：-(Fe,Ni)/Fe3C界面的电子密度在一级近似下是连续的，这表明在金刚石生长过程中-(Fe,Ni)起着促使Fe3C分解的作用即催化作用。可见，价电子理论分析结果与前期实验表征结果是相吻合的。 为了分析不同触媒的催化作用，进而尝试从电子理论上指导触媒的成分设计，本文对采用过渡族金属(Fe、Ni、Mn、Co)及其合金为触媒合成金刚石过程中可能形成的各种Me3C型碳化物与金刚石界面以及不同成分配比的-Me固溶体与相应Me3C界面的电子密度分别进行了分析，结果表明：各Me3C型碳化物与金刚石界面的电子密度以及各-Me固溶体与相应Me3C界面的电子密度在一级近似下均连续，从而可以认为金刚石生长的碳源相和催化相分别为Me3C和-Me固溶体。不同碳化物与金刚石界面的电子密度连续性不同，与金刚石界面保持电子密度连续性越好，结构转化所需要越过的化学势垒越低，也就越容易转变为金刚石结构，在相同的合成条件下，合成的金刚石品质更好。Fe、Ni、Mn、Co合金碳化物与金刚石界面的电子密度连续性基本上都分别好于其单金属碳化物；所有碳化物中，Mn和Co基碳化物与金刚石的电子密度连续性最好；Fe基碳化物与金刚石界面的电子密度连续性好于Ni基碳化物，其中(Fe,Ni)3C/金刚石界面的电子密度连续性最好。不同元素组成及不同成分配比的)-Me固溶体与相应Me3C界面的电子密度连续性也不同，连续性越好，越易促使Me3C分解，则金刚石的生长速度越快。其中，-(Fe,Ni)随着Ni含量的增加，与Fe3C界面的电子密度连续性基本上呈逐渐变差的趋势。体现实际合成工艺中为，随着Fe-Ni触媒中Ni含量的增加，金刚石的生长速度逐渐变慢，这与金刚石合成实验相吻合。从电子结构的角度提出了良好的触媒剂所应具备的三个条件：高温高压下能与石墨形成Me3C型碳化物；Me3C型碳化物与金刚石生长界面有较高的电子密度连续性；-Me固溶体与Me3C型碳化物界面的电子密度连续性适中。根据价电子理论分析的结果，本文对高温高压触媒法金刚石的生长进行了热力学分析，在计算中考虑了体积随温度和压力的变化，结果表明：在金刚石形成之前就有大量Fe3C形成，而在触媒法合成金刚石的温度和压力范围内，Fe3CC(金刚石)+3-Fe反应的自由能变化和石墨金刚石相变的自由能均为负值，但前者比后者更负，即前者更容易发生。因此，从热力学角度来看，Fe3C的形成降低了石墨转变为金刚石所要越过的势垒，使用铁基触媒合成金刚石晶体的生长来源于Fe3C的分解而不是石墨的直接转变。同时，得出了在1200K以上石墨-金刚石的平衡曲线P-T关系：Peq(GPa)=1.036+0.00236T(K)，这一结果与Bundy计算的平衡线比较接近，从而验证了本文热力学计算方法的可行性。 本文基于价电子理论和热力学理论的计算分析，均支持了“高温高压触媒法合成金刚石单晶的生长来自于Me3C型碳化物的分解，而非石墨结构的直接转变”这一论述。作者：李丽 学科专业：物理学 授予学位：博士学位授予单位：山东大学 导师姓名：许斌、李木森学位年度：2008 分类号：TB32 粉末系过剩压晶种发金刚石合成研究摘要：金刚石在工业中具有广泛用途，近年来粉末触媒-石墨金刚石合成工艺得到迅速发展：在粉末工艺的基础上进一步提高技术水平是现在的关键问题。国外早在20世纪80年代就己对过剩压晶种法进行了充分研究；而我国在过去近20年里只有少数人对该项技术的进行了一定程度的研究，而且都是基于传统片状法金刚石合成工艺基础；总的来说实验不够充分，对现行的粉末工艺指导意义不大。本文在粉末法金刚石合成技术的基础上引入了过剩压晶种法；目的是为了探寻粉末体系下过剩压晶种法的生长机理及其工业化应用前景。 实验选用了四种有代表性的金刚石作为晶种；采用晶种表面预附有机膜方式能使其较均匀地分散于粉末触媒、石墨合成体系中；通过对高温高压合成的不同阶段的高压合成块的断面形貌、晶种形貌、晶体微观结构的分析，建立了粉末系过剩压晶种法生长的模型。通过拉曼光谱对金刚石晶体内部球形包裹物进行了结构分析，表征了晶种型金刚石的晶种特性及晶种与后续长大晶体之间的界面状况。对粉末系过剩压晶种法的若干现象进行了分析：晶种粒度细有利于合成优质金刚石；晶种完整度差不能合成优质金刚石；片状法的晶种嵌于晶体表面，而粉末法晶种位于晶体正中心；片状法晶种可能存在浮力效应，而粉末法晶种无浮力效应。 通过建立恒温曲线及调整过剩压的压力梯度，优化了晶体的合成工艺。采用200/230目的完整型金刚石作为晶种进行批量生产合成的金刚石的系列质量指标均能达到无晶种条件合成的金刚石；而且从粒度集中度、粗粒度晶体比例、单位体积转化率三个方面都明显优于无晶种金刚石；表明粉末系过剩压晶种法工艺具有较好的工业化应用前景。作者：姚勇 学科专业：原子与分子物理 授予学位：硕士学位授予单位：四川大学 导师姓名：寇自力学位年度：2006 分类号：0783 0635.1外文学位论文deling of chemical vapor deposition reactors for silicon carbide and diamond growth摘要：In order to improve the quality of silicon carbide and diamond grown by chemical vapor deposition (CVD) and to increase the operational efficiency of the reactors, a comprehensive understanding of the reaction and transport processes is necessary. Powerful computational tools now exist which allow models of CVD processes to be developed and used to predict reactor performance. Reactors for the deposition of silicon carbide and diamond were modeled using the software package FLUENT, currently under development by FLUENT, Inc. Results from the modeling were compared with data from operating reactors. Two configurations of hot-filament CVD reactors for diamond growth and one reactor configuration for silicon carbide were examined for typical conditions. Chemical reaction sets containing both homogeneous and heterogenous reactions, along with the appropriate rate constants, were developed. Streaklines, temperature profiles, and species concentrations were obtained for all reactors. In addition, predicted temperature distributions along the substrate and power consumption were obtained for the two diamond reactors. Problems in the FLUENT code were identified and improvements suggested. Deposition rates of silicon carbide were found to be limited by both depletion of carbon and by the limi ted reactivity of propane. Non-uniformity of silicon carbide deposition was caused by a combination of convective rolls and large concentration gradients arising from diffusional limitations. The modeling suggested that other carbon source gas molecules and low pressure operation be examined. In hot-filament diamond reactors, growth rates are limited in part by diffusional limitations of both atomic hydrogen and methyl groups. However, these conclusions must be considered tentative because of large uncertainties in the surface reaction rates. Significant energy transport in the diamond reactor occurs by atomic hydrogen recombination, which can be equal or greater to the contributions of conduction and radiation. At the low pressures of hot-filament diamond reactors, convection does not play an important role. The results show that this type of reactor modeling can be used as a diagnostic tool and design method for the chemical vapor deposition of silicon carbide, diamond, and related materials.作者：Kuczmarski, Maria Ann 授予学位及学位授予单位：Doctor of Philosophy, Case Western Reserve University, Chemical Engineering, 1992.导师姓名：John C. Angus 授予年度：1992Hot filament assisted deposition of diamond films摘要：A novel hot filament assisted chemical vapor deposition reactor for diamond was designed and built. The substrate is an independently heated, isothermal wire. This provides for the decoupling and independent control of substrate and hot filament temperatures, which is not possible in conventional diamond reactors. The reactor was used for: (1) the measurement of energy flows during diamond deposition, (2) estimation of hydrogen recombination rates on the substrate and (3) study of deposition of diamond and other forms of carbon outside of the normal parameter space for diamond deposition. The recombination rate of atomic hydrogen on the substrate was measured as a function of substrate temperature and methane concentration. The gas phase concentration of atomic hydrogen at the substrate was estimated. A detailed analysis of the energy transport to the substrate was performed showing that atomic hydrogen recombination on the substrate is a major mechanism of energy transport. The conditions under which the transport of atomic hydrogen to the substrate is diffusion limited were found. This reactor also permitted broad investigation of the experimental parameter space. It was discovered that graphite fibers can be deposited by the vapor-liquid-solid mechanism by making modest variations in the diamond growth conditions. Diamond can be deposited on these fibers resulting in a new composite material which may have numerous technological applications.作者：Gat, Roy 学位：Doctor of Philosophy哲学博士学位授予单位：凯斯西保留地大学 学科单位：材料科学与工程授予年度：19925、标准文献（找1篇）：（工科必备）超硬磨料 人造金刚石品种代替号：部分代替：GB/T 6405-1994起草单位：郑州磨料磨具磨削研究所、河南黄河旋风股份有限公司、南阳中南金刚石有限公司、河南华晶超硬材料股份有限公司归口单位：全国磨料磨具标准化技术委员会发布日期：2009-4-23 实施日期：2009-12-1分类号：J43 国际分类号：25.100.706. 产品样本:只提供图,商品名:厂家.联系方式.（工科必备）GE公司（美国） 黄色人造金刚石 联系方式(GE中国北京分部)：北京市朝阳区光华路7号汉威大厦六层B1邮编：100004 电话传真：7. 网络上相关网页(10页) (只列题名，IP地址.)(注意相关度)（必备）1、/Periodical_rgjtxb98200506013.aspx /Periodical_gdjc201004013.aspx /Periodical_kjf201007200.aspx /Periodical_rgjtxb98200901034.aspx 00/asp/Detail.asp2、/controller/servlet/Controller?SEARCHID=1f31652137ebfc8c3b54ffprod3data2&CID=quickSearchAbstractFormat&DOCINDEX=1&database=1&format=quickSearchAbstractFormat /science/article/pii/S0921452609007339/controller/servlet/Controller?SEARCHID=15d3388137ebfd8aa95251prod4data1&CID=expertSearchAbstractFormat&DOCINDEX=2&database=1&format=expertSearchAbstractFormat/controller/servlet/Controller?SEARCHID=15d3388137ebfd8aa95251prod4data1&CID=expertSearchAbstractFormat&DOCINDEX=9&database=1&format=expertSearchAbstractFormat3、/Patent_CN200910028424.8.aspx /Patent_CN200810140396.4.aspx/publicationDetails/biblio?DB=&II=0&ND=3&adjacent=true&locale=en_EP&FT=D&date=20120614&CC=WO&NR=2012078314A1&KC=A1htt