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文档简介

一. 选择题(本题共5小题,每小题2分,共10分)1下列对称要素组合不正确的是( A )AL2L22L2 BPL4PL4C CP+L3L33P DL23L2P2下列对称关系哪种不正确( D )A=L3+C B=L3+C C D3点缺陷是热力学的 缺陷,而位错是热力学的 缺陷。(B )A稳定,稳定 B稳定,不稳定 C不稳定,稳定 D不稳定,不稳定4abc、=90的晶体属于什么晶族和晶系( C )A中级晶族,正交晶系 B中级晶族,四方晶系C低级晶族,正交晶系 D低级晶族,四方晶系5由晶面(121)与(100)所决定的晶带轴指数为( B)A B C D221二填空题(本题共14小题,除第3、5小题为2分外,每空1分,共40分)1材料科学基础的研究内容是: 结构与性的关系 。2材料根据组成通常可分为:金属材料、无机非金属材料、高分子材料、复合材料。根据材料特性和用途常又可分为: 结构材料和功能材料。3立方晶体所包含的对称元素有哪些:3L44L36L29PC。4根据晶体中高次轴的存在及数目将晶体划分为 高级晶族、中级晶族和低级晶族3个晶族,据旋转轴和旋转反伸轴的轴次和数目把晶体分成 立方晶系、三方晶系、四方晶系、六方晶系、正交晶系、单任斜晶系、三斜晶系 7个晶系。5请写出在立方晶系中111晶面族所包含的等价晶面:。6固溶体据外来组元位置不同可分为 置换固溶体 和 间隙固溶体 两种固溶体,据外来组元固溶度可分为 连续型和有限型两种固溶体。7非晶态固体的结构具有 近程有序和 远程无序 特点。8在玻璃Na2OAl2O32SiO2中,网络形成体: SiO2 ,网络中间体: Al2O3,网络变性体: Na2O 。网络变性体增加,桥氧 下降,玻璃粘度下降。9高分子材料相对分子质量愈大,机械强度 愈大,粘度 增加 ,加工成型愈困难;链段长度越大,柔顺性就 愈差;高聚物结晶晶胞的特点是: 一条分子链可以穿过几个晶胞 。10高聚物的结晶度越高,密度增大,熔点 升高,硬度 增大,拉伸强度 提高,伸长率随之降低。11晶体中缺陷有 点缺陷、 线缺陷 和 面缺陷 这三种类型。12常通过 淬火、 辐照 和 塑性变形 这三种方法产生过饱和点缺陷。13两个平行刃型位错相互作用时,若只允许滑移,柏氏矢量同号的将 垂直于滑移面排列,异号的将束缚于 450 线上。柯垂耳气团会阻碍位错运动,需要外力作更多的功,这就是 固溶强化 效应。位错塞积会产生应力 集中,这是晶体受外力作用产生裂缝的重要机制。14位错交割后,每个位错线上都会产生一小段曲折位错,柏氏矢量与携带它们的位错 相同 ,大小取决于与之相交的另一位错的 柏氏矢量 。当小段位错不在所属位错滑移面上时则形成 割阶,反之形成 扭拆。三简答题(本题共7小题,每小题6分,共42分)1请在立方晶系的晶胞中画出(102)、(110)晶面和110、102晶向。2一个具有BCC晶体结构的圆柱体受到轴拉伸作用,作用力方向为,其临界切应力,圆柱体的横截面积为25mm2。求(1)最先滑移的滑移系;(2)要使滑移系开始滑移所必需的最小拉力P。BCC的极射投影图如下:答:(1)据极射投影确定方向三角形如下:根据镜像规则在BCC晶体结构中最先滑移的滑移系为:(2)当滑移系开始滑移时:3叙述高岭石的结构特点(结构类型、层内结构特点、层内带电荷情况、层间结合力)。答:高岭石属单网层结构,上层是铝氧羟基八面体AlO2(OH)45-,下层是硅氧四面体SiO44-,活性氧向上,每个活性氧连1个SiO4和2个AlO2(OH)4或连1个H+和2个AlO2(OH)4,层间通过氢键结合。4若面心立方晶体中有的全位错和的不全位错,此两位错相遇发生位错反应,试问:(1) 此反应能否进行?为什么?(2) 写出合成位错的柏氏矢量,并说明合成位错的性质。答:(1)位错反应应满足几何条件和能量条件假设:反应前能量:反应后能量:此两位错相遇时会发生位错反应。(2)合成位错的柏氏矢量为,属弗兰克不全位错,垂直于滑移面只能攀移,不能滑移。5在下图所示的立方体形晶体中,ABCD滑移面上有一个位错环,其柏氏矢量b平行于BA。(1)指出位错环各部分的位错类型。(2)指出使位错环向外运动所需施加的切应力的方向。(3)位错环运动出晶体后晶体外形如何变化?答:(1)A正刃型位错,B负刃型位错,C左螺旋位错,D右螺旋位错。(2) 沿BA方向与一致。(3)滑移面下部相对上部产生与相同的滑移,侧表面形成相应台阶,台阶大小等于大小。6假定图中的这两个位错正在扩大,试问两个位错环在交互作用时,是因塞积而钉扎住还是形成一个在的位错环(请用图示说明)?ABCAbb7将Fe-C(=0.4%)与Fe-C(=0.4%)-Si(=3.8%)焊接在一起,在1050下进行长时间扩散退火,试说明在整个扩散过程中C和Si的扩散情况。答:如左图A、B分别是焊接处两边无Si、有Si两点。(1)开始时,A点没有Si,C活度低;B点有硅,C的活度高,B点的C向A点扩散,A点C浓度升高,B点C浓度下降。(2分)(2)随时间推移,B点的硅也向A点扩散,同时引起A点C活度升高,B点C活度降低,过一段时间,A点C浓度达最大值,B点C浓度达最小值。(2分)(3)随时间进一步推移,A点C活度大于B点,使C由A点向B点扩散,最后扩散达到平衡,A、B两点的Si和C的浓度相等,不再随时间而变化。(2分)四计算题:(8分)20钢在927进行气体

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