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文档简介
2 1 1理想开关的开关特性 一 静态特性 1 断开 2 闭合 2 1半导体二极管 三极管和MOS管的开关特性 二 动态特性 1 开通时间 2 关断时间 普通开关 静态特性好 动态特性差 半导体开关 静态特性较差 动态特性好 几百万 秒 几千万 秒 2 1 2半导体二极管的开关特性 一 静态特性 1 外加正向电压 正偏 二极管导通 相当于开关闭合 2 外加反向电压 反偏 二极管截止 相当于开关断开 硅二极管伏安特性 阴极 A 阳极 K PN结 二极管的开关作用 例 uO 0V uO 2 3V 电路如图所示 试判别二极管的工作状态及输出电压 二极管截止 二极管导通 解 二 动态特性 1 二极管的电容效应 结电容Cj 扩散电容CD 2 二极管的开关时间 电容效应使二极管的通断需要一段延迟时间才能完成 反向恢复时间 ton 开通时间 toff 关断时间 一 静态特性 NPN 2 1 3半导体三极管的开关特性 发射结 集电结 b iB iC e c 电流控制型 1 结构 符号和输入 输出特性 2 符号 Transistor 1 结构 3 输入特性 4 输出特性 放大区 截止区 饱和区 发射结正偏 放大 iC iB 集电结反偏 饱和 iC iB 两个结正偏 ICS IBS 临界 截止 iB 0 iC 0 两个结反偏 电流关系 状态 条件 2 开关应用举例 发射结反偏T截止 发射结正偏T导通 放大还是饱和 饱和导通条件 因为 所以 二 动态特性 2 1 4MOS管的开关特性 电压控制型 MOS Mental Oxide Semiconductor 金属 氧化物 半导体场效应管 一 静态特性 1 结构和特性 1 N沟道 栅极G 漏极D B 源极S 3V 4V 5V uGS 6V 可变电阻区 恒流区 UTN iD 开启电压UTN 2V 衬底 漏极特性 转移特性 uDS 6V 截止区 P沟道增强型MOS管与N沟道有对偶关系 2 P沟道 栅极G 漏极D B 源极S iD 衬底 开启电压UTP 2V 参考方向 2 MOS管的开关作用 1
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