ch9二极管和晶体管解析.ppt

第9章半导体二极管和三极管 9 2半导体二极管 9 3稳压管 9 4半导体三极管 9 1半导体的导电特性 退出 第9章半导体二极管和三极管 9 1半导体的导电特性 本征半导体就是完全纯净的 具有晶体结构的半导体 9 1 1本征半导体 自由电子 用得最多的半导体是硅或锗 它们都是四价元素 将硅或锗材料提纯并形成单晶体后 便形成共价键结构 在获得一定能量 热 光等 后 少量价电子即可挣脱共价键的束缚成为自由电子 同时在共价键中就留下一个空位 称为空穴 自由电子和空穴总是成对出现 同时又不断复合 在外电场的作用下 自由电子逆着电场方向定向运动形成电子电流 带正电的空穴吸引相邻原子中的价电子来填补 而在该原子的共价键中产生另一个空穴 空穴被填补和相继产生的现象 可以看成空穴顺着电场方向移动 形成空穴电流 可见在半导体中有自由电子和空穴两种载流子 它们都能参与导电 空穴移动方向 电子移动方向 外电场方向 9 1 2N型半导体和P型半导体 1 N型半导体 在硅或锗的晶体中掺入五价元素磷 当某一个硅原子被磷原子取代时 磷原子的五个价电子中只有四个用于组成共价键 多余的一个很容易挣脱磷原子核的束缚而成为自由电子 因而自由电子的数量大大增加 是多数载流子 空穴是少数载流子 将这种半导体称为N型半导体 Si Si Si Si Si Si Si 多余价电子 本征半导体中由于载流子数量极少 导电能力很低 如果在其中参入微量的杂质 某种元素 将使其导电能力大大增强 2 P型半导体 在硅或锗的晶体中掺入三价元素硼 在组成共价键时将因缺少一个电子而产生一个空位 相邻硅原子的价电子很容易填补这个空位 而在该原子中便产生一个空穴 使空穴的数量大大增加 成为多数载流子 电子是少数载流子 将这种半导体称为P型半导体 B 空穴 价电子填补空位 9 1 3PN结及其单向导电性 1 PN结的形成 用专门的制造工艺在同一块半导体单晶上 形成P型半导体区域和N型半导体区域 在这两个区域的交界处就形成了一个特殊的薄层 称为PN结 P区 N区 2 PN结的单向导电性 1 外加正向电压 内电场方向 R P区 N区 外电场驱使P区的空穴进入空间电荷区抵消一部分负空间电荷 N区电子进入空间电荷区抵消一部分正空间电荷 扩散运动增强 形成较大的正向电流 P区 N区 内电场方向 R 2 外加反向电压 外电场驱使空间电荷区两侧的空穴和自由电子移走 少数载流子越过PN结形成很小的反向电流 多数载流子的扩散运动难于进行 返回 9 2半导体二极管 9 2 1基本结构 将PN结加上相应的电极引线和管壳 就成为半导体二极管 按结构分 有点接触型和面接触型两类 点接触型 9 2 2伏安特性 二极管和PN结一样 具有单向导电性 由伏安特性曲线可见 当外加正向电压很低时 电流很小 几乎为零 正向电压超过一定数值后 电流很快增大 将这一定数值的正向电压称为死区电压 通常 硅管的死区电压约为0 5V 锗管约为0 1V 导通时的正向压降 硅管约为0 6 0 7V 锗管约为0 2 0 3V 60 40 20 0 02 0 04 0 0 4 0 8 25 50 I mA U V 正向特性 硅管的伏安特性 反向特性 在二极管上加反向电压时 反向电流很小 但当反向电压增大至某一数值时 反向电流将突然增大 这种现象称为击穿 二极管失去单向导电性 产生击穿时的电压称为反向击穿电压U BR 9 2 3主要参数 1 最大整流电流IOM最大整流电流是指二极管长时间使用时 允许流过二极管的最大正向平均电流 2 反向工作峰值电压URWM它是保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压 一般是反向击穿电压的一半或三分之二 3 反向峰值电流IRM它是指二极管上加反向工作峰值电压时的反向电流值 二极管电路分析举例 定性分析 判断二极管的工作状态 导通截止 分析方法 将二极管断开 分析二极管两端电位的高低或所加电压UD的正负 若V阳 V阴或UD为正 正向偏置 二极管导通若V阳 V阴或UD为负 反向偏置 二极管截止 若二极管是理想的 正向导通时正向管压降为零 反向截止时二极管相当于断开 电路如图 求 UAB V阳 6VV阴 12VV阳 V阴二极管导通若忽略管压降 二极管可看作短路 UAB 6V否则 UAB低于 6V一个管压降 为 6 3 或 6 7V 例1 取B点作参考点 断开二极管 分析二极管阳极和阴极的电位 在这里 二极管起钳位作用 两个二极管的阴极接在一起取B点作参考点 断开二极管 分析二极管阳极和阴极的电位 V1阳 6V V2阳 0V V1阴 V2阴 12VUD1 6V UD2 12V UD2 UD1 D2优先导通 D1截止 若忽略管压降 二极管可看作短路 UAB 0V 例2 D1承受反向电压为 6V 流过D2的电流为 求 UAB 在这里 D2起钳位作用 D1起隔离作用 例3 在图中 输入电位VA 3V VB 0V 电阻R接负电源 12V 求输出端电位VY 解 因为VA高于VB 所以DA优先导通 如果二极管的正向压降是0 3V 则VY 2 7V 当DA导通后 DB因反偏而截止 在这里 DA起钳位作用 将输出端电位钳制在 2 7V 二极管的应用范围很广 主要都是利用它的单向导电性 它可用与整流 检波 限幅 元件保护以及在数字电路中作为开关元件 返回 ui 8V 二极管导通 可看作短路uo 8Vui 8V 二极管截止 可看作开路uo ui 已知 二极管是理想的 试画出uo波形 8V 例4 二极管的用途 整流 检波 限幅 钳位 开关 元件保护 温度补偿等 参考点 二极管阴极电位为8V 9 3稳压管 稳压管是一种特殊的面接触型半导体硅二极管 其表示符号如下图所示 稳压管工作于反向击穿区 从反向特性曲线上可以看出 反向电压在一定范围内变化时 反向电流很小 当反向电压增高到击穿电压时 反向电流突然剧增 稳压管反向击穿 此后 电流虽然在很大范围内变化 但稳压管两端的电压变化很小 利用这一特性 稳压管在电路中能起作用 稳压管的主要参数有下面几个 4 稳定电流IZ 3 动态电阻rZ 2 电压温度系数 U 5 最大允许耗散功率PZM 例1 图中通过稳压管的电流IZ等于多少 R是限流电阻 其值是否合适 IZ IZM 电阻值合适 解 晶体管的结构示意图和表示符号 a NPN型晶体管 b PNP型晶体管 9 4双极型晶体管 基区 最薄 掺杂浓度最低 发射区 掺杂浓度最高 发射结 集电结 结构特点 集电区 面积最大 1 三极管放大的外部条件 发射结正偏 集电结反偏 PNP发射结正偏VB VE集电结反偏VC VB 从电位的角度看 NPN发射结正偏VB VE集电结反偏VC VB 9 4 2电流分配和放大原理 我们通过实验来说明晶体管的放大原理和其中的电流分配 实验电路采用共发射极接法 发射极是基极电路和集电极电路的公共端 实验中用的是NPN型管 为了使晶体管具有放大作用 电源EB和EC的极性必须使发射结上加正向电压 正向偏置 集电结加反向电压 反向偏置 设EC 6V 改变可变电阻RB 则基极电流IB 集电极电流IC和发射极电流IE都发生变化 测量结果如下表 基极电路 集电极电路 晶体管电流测量数据 2 IC和IE比IB大得多 从第三列和第四列的数据可得 这就是晶体管的电流放大作用 称为共发射极静态电流 直流 放大系数 电流放大作用还体现在基极电流的少量变化 IB可以引起集电极电流较大的变化 IC 称为动态电流 交流 放大系数 3 当IB 0 将基极开路 时 IC ICEO 表中ICEO 0 001mA 1 A 4 要使晶体管起放大作用 发射结必须正向偏置 发射区才可向基区发射电子 而集电结必须反向偏置 集电区才可收集从发射区发射过来的电子 下图给出了起放大作用时NPN型和PNP型晶体管中电流实际方向和发射结与集电结的实际极性 对于NPN型三极管应满足 UBE 0UBCVB VE 对于PNP型三极管应满足 UEB 0UCB 0即VC VB VE 条件 发射结正偏 集电结反偏 发射区发射载流子 形成电流IE少部分在基区被复合 形成IB大部分被集电区收集 形成IC 1 放大状态 电流的形成 晶体管中载流子的运动过程 晶体管的三种工作状态 电流的关系IE IB IC 当IB 0时 直流 静态 电流放大系数 交流 动态 电流放大系数 IC ICEO 电路图 IB微小的变化 会产生IC很大的变化 IC IB 0 UCE UCC UCE UCC RCIC 晶体管相当于通路 特点 特点 IB IC基本不变 IC UCC RC UCE 0 晶体管相当于短路 条件 发射结正偏 集电结正偏 IB IC UCE UCC RCIC ICM UCC RC 2 饱和状态 电路图 饱和状态时的晶体管 特点 IB 0IC 0UCE UCC晶体管相当于开路 3 截止状态 条件 发射结反偏 集电结反偏 电路图 截止状态时的晶体管 9 4 3特性曲线 1 输入特性曲线 输入特性曲线是指当集 射极电压UCE为常数时 输入电路 基极电路 中 基极电流IB与基 射极电压UBE之间的关系曲线IB f UBE 晶体管的输入特性也有一段死区 只有在发射结外加电压大于死区电压时 才会产生IB 硅管 UBE 0 7V锗管 UBE 0 3V 2 输出特性曲线 输出特性曲线是指当基极电流IB为常数时 输出电路 集电极电路 中集电极电流IC与集 射极电压UCE之间的关系曲线IC f UCE 在不同的IB下 可得出不同的曲线 所以晶体管的输出特性曲线是一组曲线 晶体管有三种工作状态 因而输出特性曲组分为三个工作区 1 放大区 输出特性曲线的近于水平部分是放大区 在放大区 放大区也称为线性区 因为IC和IB成正比的关系 对NPN型管而言 应使UBE 0 UBCUBE 放大区 2 截止区 IB 0的曲线以下的区域称为截止区 IB 0时 IC ICEO 很小 对NPN型硅管 当UBE 0 5V时 即已开始截止 但为了使晶体管可靠截止 常使UBE 0 截止时集电结也处于反向偏置 UBC 0 此时 IC 0 UCE UCC 3 饱和区 当UCE0 晶体管工作于饱和状态 在饱和区 IC和IB不成正比 此时 发射结也处于正向偏置 UCE 0 IC UCC RC 当晶体管饱和时 UCE 0 发射极与集电极之间如同一个开关的接通 其间电阻很小 当晶体管截止时 IC 0 发射极与集电极之间如同一个开关的断开 其间电阻很大 可见 晶体管除了有放大作用外 还有开关作用 晶体管的三种工作状态如下图所示 晶体管结电压的典型值 9 4 4主要参数 1 电流放大系数 当晶体管接成共发射极电路时 在静态 无输入信号 时集电极电流与基极电流的比值称为静态电流 直流 放大系数 当晶体管工作在动态 有输入信号 时 基极电流的变化量为 IB 它引起集电极电流的变化量为 IC IC与 IB的比值称为动态电流 交流 放大系数 在输出特性曲线近于平行等距并且ICEO较小的情况下 可近似认为 但二者含义不同 2 集 基极反向截止电流ICBO ICBO是当发射极开路时流经集电结的反向电流 其值很小 3 集 射极反向截止电流ICEO ICEO是当基极开路 IB 0 时的集电极电流 也称为穿透电流 其值越小越好 4 集电极最大允许电流ICM 当 值下降到正常数值的三分之二时的集电极电流 称为集电极最大允许电流ICM 5 集 射反相击穿电压U BR CEO 6 集电极最大允许耗散功率PCM 基极开路时 加在集电极和发射极之间的最大允许电压 称为集 射反相击穿电压U BR CEO 当晶体管因受热而引起的参数变化不超过允许值时 集电极所消耗的最大功率 称为集电极最大允许耗散功率PCM 由ICM U BR CEO PCM三者共同确定晶体管的安全工作区 返回 晶体管处于放大状态 2 开关S合向b时 例9 1 1 图示电路 晶体管的 100 求开关S合向a b c时的IB IC和UCE 并指出晶体管的工作状态 忽略UBE 解 1 开关S合向a时 0 01mAIC IB 100 0 01mA 1mAUCE UCC RCIC 15 5 103 1 10 3 V 10V UCC 15VUBB1 5VUBB2 1 5VRB1 500k RB2 50k RC