CIGS薄膜太阳能电池的原理及制备.ppt

CIGS薄膜太阳能电池的原理及制备 作者 班级 学号 太阳能电池分类 晶硅电池 单晶硅电池 c Si 多晶硅电池 p Si 转化率高 最高达24 7 成本高硅基薄膜电池 成本低 非晶硅薄膜电池 a Si 有光致衰退效应致使其性能不稳定 多晶硅薄膜电池 ploy Si 没有光致衰退效应 转化率比晶硅低 最高p Si16 5 化合物半导体薄膜电池 CIGS禁带宽度1 04 1 7eV 最佳1 5eV CdTe禁带宽度1 45eV GaAs目前转化率20 光吸收系数高 光电转化率高 成本低 CIGS的黄铜矿型晶体结构 吸收层CIGS 化学式CuInGaSe2 是薄膜电池的核心材料 属于正方晶系黄铜矿结构 具有复式晶格 晶格常数a 0 577nm c 1 154nm 作为直接带隙半导体 其光吸收系数高达10 5量级 几种薄膜太阳能材料中较高的 禁带宽度在室温时是1 O4eV 电子迁移率和空穴迁移率分别为3 2X10 2 cm2 V S 和1X10 cm2 V S 太阳能电池的短路电流既光生电流 是指在一定的温度和辐照度条件下 光伏发电器在端电压为零时的输出电流 分析短路电流最直接的方法就是对不同波段的光所产生的光生电子空穴对数量进行积分 并计算出每一波段所产生的电流 将电流求和 最终得到的总电流就是其短路电流 CIGS薄膜太阳能电池层状结构 金属栅电极 用作铝电极 用电子束蒸发法制备 减反射膜 作用是增加入射率 减少电池表面光反射的损失 增加光透过率 窗口层 N型窗口层不仅与CdS缓冲层一起构成了异质结的n型部分 而且还是电池功率输出的通道 窗口层与缓冲层之间有很好的匹配性 且透光性好 过渡层 作用是降低带隙的不连续性 缓冲晶格不匹配问题 作为pn结的n型半导体 吸收层 作为pn结的p型半导体 作用是吸收光 以激发电子 使电子跃迁 达到光电转化的目的 CIGS必须有足够的厚度 且缺陷少 磁控溅射 溅射镀膜 主要是利用高速运动的等离子体 轰击IE材表面 与靶材粒子进行能量和动量交换 具有高能量的粒子飞向衬底沉积成膜 特别适用于生长难培化合物合金薄膜 磁控溅射就是在阴极祀材后方安装永久磁铁或电磁线圈 磁力线先穿出IE面 然后变成与电场方向垂直 最终返回IE面 靶面电子的运动受到电场和磁场的共同作用 产生回旋运动 其轨迹是一圆滚线 由于离子在表面做往复运动 增加了电离碰撞的次数 使得惰性气体原子可以在一个比较低的工作气压下维持放电 产生的高速离子轰击祀材并溅射出高能量的粒子 最终在基片上沉积成膜 CIGS电池各层的制备 衬底 衬底一般采用玻璃 也有的采用不同材料的柔性箔片作为材料 背电极 在洁净的衬底上沉积1到1 5um的金属铝吸收层 在铝电极上沉积1 6到2 0um的CIGS缓冲层 在吸收层上依次制备厚60一100nm的硫化锡窗口层 在缓冲层上沉积100nm左右的本征氧化锌层减反层和铝电极 沉积厚600nm左右的掺铝氧化锌层和银电极 整个电池的制备过程就是不同薄膜的制备与叠加过程 多层薄膜叠加形成P一N结结构而实现光电转化 整个制膜过程一般采用磁控溅射 蒸发镀膜或是其他一些非真空技术实现 电池的衬底一般采用含钠的CorningGlaSS 为CIGS吸收层提供适量的钠源 适量的金属钠元素对于CIGS电池的填充因子有着很大的提高 Mo电极SEM分析CIGS薄膜SEM片 CIGS薄膜SEM分析 由图3 1 a 可知 室温下溅射的CIGS薄膜虽然表面平整 但并未结晶 薄膜的附着力非常差 很容易脱落 提高衬底温度 薄膜开始结晶 在320 时 图3 1 b 薄膜已经始晶化 晶粒逐渐增大 但表面疏松 晶粒间隙大 致密性差 继续提高温度至420 图3 1 d 薄膜晶粒间隙变小 致密性也得到较大的改善 但是薄膜性质的稳定性较差 薄膜表面偶尔会出现微米柱 图3 1 c 是实际衬底温度为370 溅射气压为0 5Pa 靴基距为5cm 溅射功率为160W时溅射的CIGS薄膜SEM照片 370 C下溅射的薄膜晶界明显 晶粒尺寸均勻且致密 表面光滑平整 无微米柱及突起 这说明 实际衬底温度为370 时 CIGS薄膜的致密性和平整度得到较大的改善 370 时制备的CIGS薄膜的XRD图 结论 370 溅射的CIGS薄膜致密均匀 光滑平整 结晶性较好 具有较强的 220 204 面择