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硬件讲课记录 内存 硬件讲课记录内存前面我们讲了CPU,主版等，今天我给大家讲讲内存什么是内存呢？内存又叫主存，是用来存储系统执行中的数据。 内存的好坏直接关系到电脑系统的稳定性和兼容性，是启动电脑必须的设备之一内存的基本概念内存全称为内存储器，简称内存，用于存放当前待处理的信息和常用信息的半导体芯片。 容量不大，但存取迅速。 内存包括RAM、ROM和Cache。 RAM（随机存取存储器）是电脑的主存储器，人们习惯将RAM称为内存。 RAM的最大特点是关机或断电数据便会丢失。 内存越大的电脑，能同时处理的信息量越大。 我们一般用刷新时间评价RAM的性能，单位为ns（纳秒），刷新时间越小存取速度越快。 内存工作原理内存的工作原理会根据内存的制造原理的不同而有所不同，如SDRAM和DDRAM的工作原理就不尽相同，但它们的基本工作原理是一样的。 每一个内存单元通过可以短暂存储电荷的电容组成，数据信息由无数个位（bit）组成，每一个位只有两种状态0和1，内存将这些位的数据存储在内存单元组成的栅格里。 当处理器进行运算时，通过前端总线和内存之间的通道将一些需要信息的存储到内存里的栅格里，当需要调用信息时，再向内存发出请求，这些请求都带有内存地址的信息，以此来定位数据在内存栅格内的位置。 内存的发展和品种从486时代以来，曾经出现过FPM（FastPageMode“快页模式内存”）、EDORAM（ExtendedDataOut“扩展数据输出内存”），都由于带宽和速度的不足已经彻底的淘汰出市场了。 目前，主流的内存规范是SDRAM，SDRAM也称（SynchronousDynamic“同步动态内存”），都是168线的带宽64bit，3.3V电压，它是与CPU使用相同的时钟频率进行数据交换，它的工作频率是与CPU的外频同步的，不存在延迟或等待时间。 主要分为PC 66、PC 100、PC 133、PC 150、PC166等规范，其中PC66SDRAM由于速度较慢目前也已经淘汰了，而PC150和PC166两种规范，则是一些内存生产厂家为了满足一些超频爱好者的需要，而专门选用质量好的内存颗粒制造而成，常见的品牌有Kingmax、Apacer（PC150）；Toni（PC166）等。 目前支持SDRAM的芯片组很多，主流芯片组有英特尔（Intel）的440BX、i 810、i 815、威盛（VIA）的ApolloPro133（694x）、KT 133、KT133A，矽统（SIS）的SIS 630、SIS730等。 随着处理器的速度不断增加，对内存带宽的要求越来越大，DDRAM和RDRAM就随之诞生了，成为目前最有发展潜力的内存规范。 DDRAM就是Dual daterate SDRAM，意思为双倍速SDRAM，利用内存时钟触发沿的上、下沿都能进行数据传输，在前端总线为266MHz时的峰值带宽可以达到2.1GB/S。 DDR支持的是2.5V的SSTL2标准目前内存厂商主要以内存的峰值带宽来命名支持200MHz前端总线的就称作PC1600，266MHz前端总线就称作PC2100。 当然也有一些厂商沿用以前的命名方法，以内存的实际工作频率来命名如PC200和PC266。 目前而言，支持DDRAM的芯片组还不是很多,威盛的KT266/ALi的MAGIK1.对应P处理器的有VIA ApolloPro 266、ALi的Aladdin Pro5等未来还会陆续出现Intel支持新一代处理器Tualatin和Pentium4的芯片组和威盛获得Intel授权后生产的支持Pentium4的芯片组。 由于DDRAM仍然可以沿用现有SDRAM的生产体系，制造成本仅比SDRAM略高一些（约为10%左右），各大内存厂商都纷纷跟进，虽然目前价格相对还比较贵，普通品牌的PC2100当然DDRAM的发展也不是那么一帆风顺的，RDRAM就是其中的有力竞争者之一RDRAM也叫Rambus，就是“接口动态随机存储器”，是Intel所大力推广的未来内存的发展方向它将RISC（精简指令集）引入其中，依靠高时钟频率来简化每个时钟周期的数据量。 相对于SDRAM而言具有较高的工作频率（最低为300MHz），不过数据带宽接口只有16bit工作时钟为300MHz时，Rambus利用时钟的上沿和下沿分别传输数据，搭配英特尔的Pentium4处理器的话，峰值带宽高达4.8GB/s，远远超过其他种类的内存不过，与普通内存不同的是，RDRAM要求RIMM中必须都插满，空余的插槽中必须插上传接板（也叫终结器）。 目前只有Intel的i820和i850芯片组对DRDRAM进行支持，不过由于技术失误，i820已经在市场上已消失匿迹了。 内存设置的基础知识在我们进行内存的选购之前，我们要对影响内存性能的一些基本知识进行一个了解，下面这十点请大家务必了解。 1、对内存的优化要从系统整体出发，不要局限于内存模组或内存芯片本身的参数，而忽略了内存子系统的其他要素 2、目前的芯片组都具备多页面管理的能力，所以如果可能，请尽量选择双P-Bank的内存模组以增加系统内存的页面数量。 但怎么分辨是单P-Bank还是双P-Bank呢？就目前市场上的产品而言，256MB的模组基本都是单P-Bank的，双面但每面只有4颗芯片的也基本上是单P-Bank的，512MB的双面模组则基本都是双P-Bank的 3、页面数量的计算公式为P-Bank数量X4，如果是Pentium4或AMD64的双通道平台，则还要除以2。 比如两条单面256MB内存，就是2X4=8个页面，用在875上组成双通道就成了4个页面 4、CL、tRCD、tRP为绝对性能参数，在任何平台下任何时候，都应该是越小越好，调节的优化顺序是CLtRCDtRP 5、当内存页面数为4时，tRAS设置短一些可能会更好，但最好不要小于5。 另外，短tRAS的内存性能相对于长tRAS可能会产生更大的波动性，对时钟频率的提高也相对敏感 6、当内存页面数大于或等于8时，tRAS设置长一些会更好 7、对于875和865平台，双通道时页面数达到8或者以上时，内存性能更好 8、对于非双通道Pentium4与AMD64平台，tRAS长短之间的性能差异要缩小 9、Pentium4或AMD64的双通道平台下，BL=4大多数情况下是更好的选择，其他情况下BL=8可能是更好的选择，请根据自己的实际应用有针对的调整 10、适当加大内存刷新率可以提高内存的工作效率，但也可能降低内存的稳定性BIOS中内存相关参数的设置要领Automatic Configuration“自动设置”（可能的选项On/Off或Enable/Disable）可能出现的其他描述为DRAM Auto、Timing Selectable、Timing ConfiguringBy SPD等，如果你要手动调整你的内存时序，你应该关闭它，之后会自动出现详细的时序参数列表。 Bank Interleaving（可能的选项Off/Auto/2/4）这里的Bank是指L-Bank，目前的DDR RAM的内存芯片都是由4个L-Bank所组成，为了最大限度减少寻址冲突，提高效率，建议设为4（Auto也可以，它是根据SPD中的L-Bank信息动设置的）。 Burst Length“突发长度”（可能的选项4/8）一般而言，如果是AMD AthlonXP或Pentium4单通道平台，建议设为8，如果是Pentium4或AMD64的双通道平台，建议设为4。 但具体的情况要视具体的应用而定。 CAS Latency“列地址选通脉冲潜伏期”（可能的选项1.5/2/2.5/3）BIOS中可能的其他描述为tCL、CAS LatencyTime、CAS TimingDelay。 不用多说，能调多短就调多短。 CAS Latency“列地址选通脉冲潜伏期”（可能的选项1.5/2/2.5/3）BIOS中可能的其他描述为tCL、CAS LatencyTime、CAS TimingDelay。 不用多说，能调多短就调多短。 Command Rate“首命令延迟”（可能的选项1/2）这个选项目前已经非常少见，一般还被描述为DRAM CommandRate、CMD Rate等。 由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。 这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。 显然，也是越短越好。 但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。 因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长。 目前的大部分主板都会自动设置这个参数，而从上文的ScienceMark2.0测试中，大家也能察觉到容量与延迟之间的关系。 RAS PrechargeTime“行预充电时间”（可能的选项2/3/4）BIOS中的可能其他描述tRP、RAS Precharge、Precharge toactive。 通过上文的讲述，大家现在应该明白它也是越小越好RAS-to-CAS Delay“行寻址至列寻址延迟时间”（可能的选项2/3/4/5）BIOS中的可能其他描述tRCD、RAS toCAS Delay、Active toCMD等。 数值越小越好。 Active toPrecharge Delay“行有效至行预充电时间”（可能的选项1?5/6/7?15）BIOS中的可能其他描述tRAS、Row ActiveTime、Precharge Wait State、Row ActiveDelay、Row PrechargeDelay等。 根据上文的分析，这个参数要根据实际情况而定，具体设置思路见上文，并不是说越大或越小就越好。 下面我给大家讲虚拟内存設置一，什么是虚拟内存？什么最节约内存Windows操作系统用虚拟内存来动态管理运行时的交换文件。 为了提供比实际物理内存还多的内存容量以供使用，Windows操作系统占用了硬盘上的一部分空间作为虚拟内存。 当CPU有要求时，首先会读取内存中的资料。 当内存容量不够用时，Windows就会将需要暂时储存的数据写入硬盘。 二，计算虚拟内存在你设置虚拟内存大小之前，你会想到应该怎样进行“实际设置”。 有人推荐应用一个常规公式物理内存数*2.5，当然这是不对的。 应用这样的公式，对于拥有16MB内存的用户就应该设置40MB；对于拥有128MB内存的用户来说则应设置320MB。 很显然，对于拥有较少内存的用户来说，他需要比拥有内存容量较大的用户设置更多的虚拟内存。 要想看你的机器中内存工作的情况，应先安装“系统管理器”。 打开“控制面版”窗口，点击“添加/删除程序”，选择“Windows安装程序”，从中选择“系统工具”，在“系统监视器”项前打勾，并安装它。 运行“系统监视器（开始-程序-附件-系统工具-系统监视器），选择“”，然后选择“添加项目”里的“内存管理程序”，在右边的窗口里添加“正在使用交换文件”和“交换文件大小”。 这时“系统监视器”就会显示轨迹图示。 此外，你也可以通过“”项里的“删除项目”删去不需要的项目。 点击“选项”里的“图表”并设置“更新间隔”，可以根据你打算监视时间的长短来选择。 一定要确认点击“文件”选择“开始记录”，并且保存记录日志(sysmon.log)到你的硬盘上，以便于以后参考使用。 如果想获得更好的轨迹来参考，那就需要做一些能使你的机器处于“重压”下的任务，例如玩游戏，或是运行一些大程序。 在运行一些极限时的Demo或是玩虚幻游戏时，能帮助你确定所需要的“虚拟内存”大小。 当然，这种“重压”测试是在计算机可以承认的情况下进行的，从测试结果表明处理图形的能力与“交换文件大小”有关。 设置完“系统监视器”后，你就可以参考“记录日志”了。 用“记事本”打开“sysmon.log”文件。 其中文件的大小是以字节来表示的，我们就用1048576（1024*1024）来转换。 125829120/1048576=120MB。 你应该取计算的最大值，一般与计算值的差距不超过5MB。 有没有发现新硬件啊三，设置虚拟内存基于测试结果，现在设置虚拟内存一般有两种不同的方法。 一种方法是创建一个“长期固定”的转换文件，另一个是创建“半长期”的转换文件。 创建“半长期”转换文件的好处在于一旦有必要，Windows操作系统可以扩大转换文件的大小，这将避免“内存不足”的错误。 在应用完毕后，Windows操作系统又会将转换文件的大小恢复到最初（也是最小）的大小。 如果你想创建“长期固定”的转换文件，则设置数值应该比计算数值多留30-50MB空间，并将“最大值和最小值”的标准设为150MB。 特别是在有额外虚拟内存需求时，“长期固定”的转换文件更能防止意外情况的发生。 其实，通常而言，硬盘上有150MB的虚拟内存应该可以应付额外的内存空间需求了。 一旦确定了要选择的方法，请按以下步骤进行1.你的硬盘，然后从新启动；2.右键点击“我的电脑”，选择“属性”项3.选择“性能”项；4.选择“虚拟内存”项，在弹出的窗口中选择“用户自己指定虚拟内存设置”（下面所谓的A或B取决于你选择“长期固定”或“半长期”的转换文件形式）；A如果选择“长期固定”的转换文件，那么请根据上面说过的方法来设定各数值；B如果你选择“半长期”的转换文件，就如上述设置（当然具体数值由计算数值来决定）。 其中最大值就是你硬盘上的所有空余空间；5.从新启动使修改设置生效。 注意你也可以通过文件“system.ini”来设定虚拟内存的大小。 点击“开始”弹出窗口的“运行”项，键入“system.ini”后敲击回车键。 在386E nh下用“MinPagingFileSize,MaxPagingFileSize&PagingDrive=”来设置放置转换文件的硬盘盘符以及转换文件的最大和最小值。 这里的数值是用KB为单位来计算的，请用MB*1024的方法来转换。 四，进一步完善交换文件在设置完虚拟内存以后，还可以进一步完善它。 交换文件最好放置在硬盘的边缘，可惜Windows操作系统自带的磁盘清理程序并不支持，但你可以用类似于Norton SpeedDisk这样的磁盘清理工具。 我建议你不要把交换文件放到不同的分区里，因为这样硬盘磁头会不断的移动，从而浪费时间和硬盘的本身。 相反，我建议你要把交换文件放到最常用的分区里，也就是说放到安装了Windows操作系统“C:/”里面去。 在设定虚拟内存时，改变硬盘设置就要改变交换文件设置。 五，虚拟缓存Vcache注意以下的设置在Windows95操作系统里面得到的效果会比在Windows98里的效果要好，所以如果你使用Windows98系统，就可以不必设置“最大和最小缓存文件（Min&MaxCacheFile）”的大小。 点击“开始”弹出窗口里的“运行”项，键入“system.ini”，然后按回车键。 从文件中寻找“vcache”项，并在标题下面键入以下信息MinFileCache=16384MaxFileCache=16384你可以使用“剪切”（ctrl+L），然后“粘贴”(ctrl+V)完成。 其中“最小和最大缓存文件（Min&MaxCacheFile）”取决于物理内存的大小，如果你有64MB内存，应该设置虚拟缓存为物理内存的1/4大小。 如果有128MB的内存，就应将数值加倍。 如果想达到最好的效果，还需要对其中的一些数值进行实验。 现在，请将下面内容加入到“最小和最大缓存文件”设置的下面。 Chunksize=512NameCache=2048DirectoryCache=48以上设置都意味着什么呢？1“Min&MaxCacheFile”设置了系统中最小和最大的磁盘缓存。 这种设置将会直接影响到物理内存的实际应用大小，设置值越高，就会有越少的内存被应用到转换用途上去。 2“Chunksize”设置会直接影响到工作效果。 磁盘缓存是内存里面的一个独立的模块；它分有很多“块”（Chunk），如果块尺寸(Chunksize)设置过小就一定会增加占用的块数。 如果块尺寸设置的太大就会浪费很多资源。 所以，最好的取值是不大不小。 如果必要，你可以用乘以512（或1024，2048等）的方法改变数值3“NameCache”设定了一个Windows系统所能跟踪的文件数上限。 4“DirectoryCache”设定了一个Windows系统所能跟踪的目录数上限此外，还有另一种方法来优化内存。 但在使用之前，你必须在计算机上安装“Windows scripting”程序。 你可以在控制面版里选择“添加/删除程序”，然后选择Windows安装程序这一项。 经过以上的设置以后，你的虚拟内存在各方面都会提高很多。 你将会发现你的系统有了明的变化比如硬盘驱动器不再频繁存取了等等。 既然完善你的系统虚拟内存设置将会使你获得巨大的收益。 那么，请快加入到虚拟内存的行列中来吧。 关于cmos与内存设置CMOS中关于内存的设置比较多，但不少选项是比较专业的，因此，如果设置后出现问题，请选择“LOAD BIOSDEFAULTS”，恢复可靠的设置参数。 下面逐条说明相关内存设置。 Above1MB Memory Test设置开约焓笔欠窦觳?M以上内存。 该选项已经在新的BIOS中被淘汰。 由于内存价格暴跌，电脑用户安装内存容量陡然增加，开机时的大容量内存自检时间太长，今后，即使一遍的内存检测可能也会出现允许/禁止开关。 Auto Configuration设置为允许时，BIOS按照最佳状态设置。 BIOS可以自动设置内存定时，因此会禁止一些对内存设置的修改，建议选择允许方式。 MemoryTestTick Sound是否发出内存自检的滴嗒声。 如果您闲它烦，可以关闭它们。 Memory ParityError Check设置是否要设置内存奇偶校验。 多在30线内存条使用时代，已经被淘汰。 但把非奇偶校验内存强行进行奇偶校验设置会使电脑无法开机。 Cache MemoryController是否使用高速缓存。 不在流行的Award BIOS中使用。 Shadow RAMOption设置系统BIOS或显示卡BIOS是否映射到常规内存中。 可以加快速度，但也可能造成死机。 Internal CacheMemory是否使用CPU内部缓存（一级缓存）。 可以提高系统性能。 External CacheMemory是否使用CPU外部缓存（主板上的二级缓存）。 可以提高系统性能。 AMD新的具有两级缓存的CPU的出现，使主板上的二级缓存退居成三级缓存。 Concurrent Refresh直译是同时发生的刷新。 设置CPU在对其它I/O操作时对内存同时刷新，可以提高系统性能。 DRAM ReadWait State设置CPU从内存读数据时的等待时钟周期。 在内存比CPU慢时可以设置更多的等待。 DRAM WriteWaitState设置CPU向内存写数据时的等待时钟周期。 在内存比CPU慢时可以设置更多的等待。 Slow Refresh对质量好的内存，保持数据的时间比较长，可以设置更长的时间周期，从而提高系统性能。 Shadow Cachecable把映射到常规内存的BIOS ROM增加高速缓存，使性能更进一步。 Page Mode使内存工作于Page Mode或Page Interleaved模式。 RAS TimeoutCounter使Page Mode或Page Interleaved模式的工作速度更快。 因为有可能会超过内存RAS周期，因此采用计数器来监视RAS周期，一旦超过RAS周期，则将周期自动复位为0。 Memory Relocation内存重新定位。 即将384的上位内存（Upper MemoryBlock）数据转储到1MB以上的扩展内存中。 Memory Hole有人称作内存孔洞。 把内存地址15MB-16MB的区域留给一些特殊的ISA扩展卡使用，可以加速该卡工作速度或避免冲突。 一般被设置成禁止，除非ISA扩展卡有专门的说明。 DRMA TimingSetting快页内存或EDO内存速度设置，通常是60ns或70ns选择，对10ns或更快的SDRAM内存无效。 Fast MAto RASDelay设置内存地址（Memory Address）到内存行地址触发信号（RAS）之间的延迟时间。 DRAM WriteBrust TimingCPU把数据写如高速缓存后，再写如内存的延迟时间。 Fast RASTo CASDelay行地址触发信号到列地址触发信号之间的延迟时间。 通常是RAS#下降到CAS#下降之间的时间。 DRAM Lead-Off TimingCPU读/写内存前的时间。 DRAM SpeculativeRead设置成允许时，读内存的时间比正常时间提前一个时间周期，可以提高系统性能。 DRAM DataIntegrity Mode选择内存校验方式是Parity或ECC。 Refresh RASAssertion设置内存的行地址刷新时间周期，对质量好的内存可以延迟刷新，从而提高系统性能。 RAS RechargePeriod内存行地址信号预先充电所需要的时间。 Fast EDOPath Select设置选择对EDO内存读/写的快速途径，可以提高系统性能。 SDRAM RASLatency设置SDRAM内存的行地址触发到列地址触发的时间延迟。 SDRAM RASTiming设置系统对SDRAM内存的行地址触发时间，也即刷新时间。 Peer Concurrency为提高系统并行，使CPU对高速缓存或内存或PCI设备，或PCI的主控信号对PCI外围设备等等操作同时进行。 系统智能越高，同CPU并行的操作越多，性能提高越多。 向大家推荐几款不错的内存金土顿现代三星金士顿256MB D￥205o*C9Pm%A7O l$z6Nk!y5LiZw3KhYv2JgXu1IeVs+Gd Ur-FcTq)EbRo*C9Qn&B8Pm%A7Ok!y5Mj#x4L iZw3K hXu1IfW t0HeVs+GdUq)EbSp(DaRo*C9Qm%A7Ol$z6Nk!y5MjZw3KhY v2JgXu1IfWs+G dUr-F cTq)EbS p*C9Qn&B8Pm%A7Ol$y5Mj#x4LiZw3KhYv1If Wt0HeVs+GdUr)EbSp(DaRo*C9Qn&A7Ol$z6N k!y5Mj#x3Kh Yv2JgXu1IfWt0GdUr-FcTq)Eb Sp(D9Qn&B8P m%A7Ol$z5Mj#x4LiZw3KhYv2I fWt0HeVs+Gd Ur-FbSp(DaRo*C9Qn&B8Ol$z6Nk!y5Mj#x4LhYv2JgXu1IfWt0HeUr-FcTq)E bSp(DaQn&B8Pm%A7Ol$z6Nj#x4LiZw3KhYv2JgWt0HeVs+GdUr-FcTp(DaRo*C9Qn&B8Pm$z6Nk!y5Mj#x4LiYv2JgXu1IfW t0HeVr-FcTq)EbSp(D aRo&B8Pm%A7Ol$z6N k!x4LiZ w3KhY v2JgXu0HeVs+GdUr-FcTq)Da Ro*C9Q n&B8Pm%z6Nk!y5Mj#x4LiZw2JgXu1I fWt0HeV s+FcT q)EbSp(DaRo*C8Pm%A7Ol$z6Nk!y5LiZw3Kh Yv2JgXu1IeVs+GdUr-FcTq)E aRo*C9Qn&B8P 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