专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》_试卷_答案

专升本专升本 CMOS 模拟集成电路分析与设计模拟集成电路分析与设计 一 一 共 共 75 题题 共共 150 分 分 1 Gordon Moore 在 1965 年预言 每个芯片上晶体管的数目将每 个月翻一番 2 分 A 12 B 18 C 20 D 24 标准答案 B 2 MOS 管的小信号输出电阻是由 MOS 管的 效应产生的 2 分 A 体 B 衬偏 C 沟长调制 D 亚阈值导通 标准答案 C 3 在 CMOS 模拟集成电路设计中 我们一般让 MOS 管工作在 区 2 分 A 亚阈值区 B 深三极管区 C 三极管区 D 饱和区 标准答案 D 4 MOS 管一旦出现 现象 此时的 MOS 管将进入饱和区 2 分 A 夹断 B 反型 C 导电 D 耗尽 标准答案 A 5 表征了 MOS 器件的灵敏度 2 分 A B C D 标准答案 C 6 Cascode 放大器中两个相同的 NMOS 管具有不相同的 2 分 A B C D 标准答案 B 7 基本差分对电路中对共模增益影响最显著的因素是 2 分 A 尾电流源的小信号输出阻抗为有限值 B 负载不匹配 C 输入 MOS 不匹配 D 电路制造中的误差 标准答案 C 8 下列电路不能能使用半边电路法计算差模增益 2 分 A 二极管负载差分放大器 B 电流源负载差分放大器 C 有源电流镜差分放大器 D Cascode 负载 Casocde 差分放大器 标准答案 C 9 镜像电流源一般要求相同的 2 分 A 制造工艺 B 器件宽长比 C 器件宽度 W D 器件长度 L 标准答案 D 10 某一恒流源电流镜如图所示 忽略 M3 的体效应 要使和严格相等 应取为 2 分 A B C D 标准答案 A 11 选择题 下列结构中密勒效应最大的是 2 分 A 共源级放大器 B 源级跟随器 C 共栅级放大器 D 共源共栅级放大器 标准答案 A 12 下图中 其中电压放大器的增益为 A 假定该放大器为理想放大器 请计算该 电路的等效输入电阻为 2 分 A 2 B C D 标准答案 A 13 对电路进行直流工作点分析的 Hspice 命令是 2 分 A DC B AC C OP D IC 标准答案 C 14 模拟集成电路设计中的第一步是 2 分 A 电路设计 B 版图设计 C 规格定义 D 电路结构选择 标准答案 C 15 可提高图中放大器的增益 2 分 A 减小 减小 B 增大 增大 C 增大 减小 D 减小 增大 标准答案 A 16 模拟集成电路设计中可使用大信号分析方法的是 2 分 A 增益 B 输出电阻 C 输出摆幅 D 输入电阻 标准答案 C 17 模拟集成电路设计中可使用小信号分析方法的是 2 分 A 增益 B 电压净空 C 输出摆幅 D 输入偏置 标准答案 A 18 在 NMOS 中 若会使阈值电压 2 分 A 增大 B 不变 C 减小 D 可大可小 标准答案 A 19 NMOS 管中 如果 VB 变得更负 则耗尽层 2 分 A 不变 B 变得更窄 C 变得更宽 D 几乎不变 标准答案 C 20 随着微电子工艺水平提高 特征尺寸不断减小 这时电路的工作电压会 2 分 A 不断提高 B 不变 C 可大可小 D 不断降低 标准答案 D 21 MOS 管漏电流的变化量除以栅源电压的变化量是 2 分 A 电导 B 电阻 C 跨导 D 跨阻 标准答案 C 22 工作在饱和区的 MOS 管 可以被看作是一个 2 分 A 恒压源 B 电压控制电流源 C 恒流源 D 电流控制电压源 标准答案 B 23 密勒效应最明显的放大器是 2 分 A 共源极放大器 B 源极跟随器 C 共栅极放大器 D 共基极放大器 标准答案 A 24 不能直接工作的共源极放大器是 共源极放大器 2 分 A 电阻负载 B 二极管连接负载 C 电流源负载 D 二极管和电流源并联负载 标准答案 C 25 模拟集成电路设计中的最后一步是 2 分 A 电路设计 B 版图设计 C 规格定义 D 电路结构选择 标准答案 B 26 在当今的集成电路制造工艺中 工艺制造的 IC 在功耗方面具有最大的优势 2 分 A MOS B CMOS C Bipolar D BiCMOS 标准答案 B 27 MOS 器件小信号模型中的 mbg 是由 MOS 管的 效应引起 2 分 3 A 二级 B 衬偏 C 沟长调制 D 亚阈值导通 标准答案 B 28 PMOS 管的导电沟道中依靠 导电 2 分 A 电子 B 空穴 C 正电荷 D 负电荷 标准答案 B 29 当 MOS 管的宽长比是定值时 其跨导与漏源电流的关系曲线是 A B C D 2 分 A 见图 B 见图 C 见图 D 见图 标准答案 D 30 如果 MOS 管的栅源过驱动电压给定 L 越 输出电流越理想 2 分 A 大 B 小 C 近似于 W D 精确 标准答案 A 31 MOS 电容中对电容值贡献最大的是 2 分 A GS C B GD C C DB C D SB C 标准答案 A 32 下面几种电路中增益线性度最好的是 2 分 A 电阻负载共源级放大器 B 电流源负载共源级放大器 C 二极管负载共源级放大器 D 源极负反馈共源级放大器 标准答案 C 33 电阻负载共源级放大器中 下列措施不能提高放大器小信号增益的是 2 分 A 增大器件宽长比 B 增大负载电阻 C 降低输入信号直流电平 D 增大器件的沟道长度 L 标准答案 D 34 电阻负载共源级放大器中 让输入信号从 VDD 下降 NMOS 管首先进入 区 2 分 A 亚阈值区 B 深三极管区 C 三极管区 D 饱和区 标准答案 B 35 下图的共源共栅放大器中 选择合适的偏置电压 VB 让输入电压 Vin 从 0 逐 渐增加 则先从饱和区进入线性区的 MOS 管是 2 分 A M1 B M2 C 两个同时进入 D 都有可能 标准答案 D 36 下面放大器的小信号增益为 2 分 A omr g B sm om Rg rg 1 C 1 D 理论上无穷大 标准答案 A 37 下列不是基本差分对电路中尾电流的作用的是 2 分 A 为放大器管提供固定偏置 B 为放大管提供电流通路 C 减小放大器的共模增益 D 提高放大器的增益 标准答案 D 4 38 下图电流镜的输出电压最小值为 2 分 A thOD VV22 B thOD VV 2 C OD V2 D GSOD VV22 标准答案 C 39 下图中 其中电压放大器的增益为 A 假定该放大器为理想放大器 请计算该 电路的等效输出电阻为 2 分 A A R 1 B A R 1 1 C AR 1 D A R 1 1 标准答案 B 40 可提高图中放大器的增益 2 分 A 减小 2 1 L W B 仅增大 2 1 L C 增大 2 1 L W D 仅减小 2 1 W 标准答案 C 41 MOS 管的端电压变化时 源极和漏极 互换 2 分 A 能 B 不能 C 不知道能不能 D 在特殊的极限情况下能 标准答案 A 42 CMOS 工艺里不容易加工的器件为 2 分 A 电阻 B 电容 C 电感 D MOS 管 标准答案 C 43 MOS 管的特征尺寸通常是指 2 分 A W B L C W L D tox 标准答案 B 44 MOS 管从不导通到导通过程中 最先出现的是 2 分 A 反型 B 夹断 C 耗尽 D 导通 标准答案 C 45 源极跟随器通常不能用作 2 分 A 缓冲器 B 放大器 C 电平移动 D 驱动器 标准答案 B 46 能较大范围提高阈值电压的方法是 2 分 5 A 增大 MOS 管尺寸 B 提高过驱动电压 C 制造时向沟道区域注入杂质 D 增大衬底偏置效应 标准答案 C 47 PMOS 管导电 依靠的是沟道中的 2 分 A 电子 B 空穴 C 电荷 D 电子空穴对 标准答案 B 48 为了让 MOS 管对外表现出受控电流源的特性 我们通常让其工作在 区 2 分 A 截止 B 三极管 C 线性 D 饱和 标准答案 D 49 MOS 管中最大的电容是 2 分 A 氧化层电容 B 耗尽层电容 C 交叠电容 D 结电容 标准答案 A 50 MOS 器件小信号模型中的是由 MOS 管的 效应引起 2 分 A 体 B 衬偏 C 沟长调制 D 亚阈值导通 标准答案 C 51 在当今的集成电路制造工艺中 工艺制造的 IC 最容易实现尺寸的按比例缩 小 2 分 A MOS B CMOS C Bipolar D BiCMOS 标准答案 B 52 在 1965 年预言 每个芯片上晶体管的数目将每 18 个月翻一番 2 分 A 比尔盖茨 B 摩尔 C 乔布斯 D 贝尔 标准答案 B 53 最常见的集成电路通常采用 工艺制造 2 分 A MOS B CMOS C Bipolar D BiCMOS 标准答案 B 54 工作在 区的 MOS 管 可以被看作为电流源 2 分 A 截止 B 三极管 C 深三极管 D 饱和 标准答案 D 55 工作在 区的 MOS 管 其跨导是恒定值 2 分 A 截止 B 三极管 C 深三极管 D 饱和 标准答案 D 56 载流子沟道就在栅氧层下形成 源和漏之间 导通 2 分 A 夹断层 B 反型层 C 导电层 D 耗尽层 标准答案 B 57 形成 的栅源电压叫阈值电压 2 分 A 夹断层 B 反型层 C 导电层 D 耗尽层 标准答案 B 58 NMOS 管中 如果 VBS 变得更小 则耗尽层 2 分 A 不变 B 变得更窄 C 变得更宽 D 几乎不变 标准答案 C 59 NMOS 管的导电沟道中依靠 导电 2 分 A 电子 B 空穴 C 正电荷 D 负电荷 标准答案 A 60 当 MOS 管的宽长比是定值时 其跨导与过驱动电源的关系曲线是 A B C D 2 分 A 见图 B 见图 C 见图 D 见图 标准答案 C 61 MOS 管的漏源电流受栅源过驱动电压控制 我们定义 来表示电压转换电流 的能力 2 分 A 跨导 B 受控电流源 C 跨阻 D 小信号增益 标准答案 A 62 为沟长调制效应系数 对于较长的沟道 值 2 分 A 较大 B 较小 C 不变 D 不定 标准答案 B 63 共源共栅放大器结构的一个重要特性就是输出阻抗 2 分 A 低 B 一般 C 高 D 很高 标准答案 D 64 NMOS 管中 对阈值电压影响最大的是 2 分 A VBS B VGS C VDS D W L 标准答案 A 65 Cascode 放大器中两个尺寸相同的 NMOS 具有相同的 效应 2 分 6 A 沟长调制 B 体 C 背栅 D 衬底偏置 标准答案 A 66 小信号输出电阻相对最小的放大器是 2 分 A 共源级放大器 B 源级跟随器 C 共栅级放大器 D 共源共栅级放大器 标准答案 B 67 差分放大器中 共模输入电平的变化不会引起差动输出的改变的因素是 2 分 A 尾电流源输出阻抗为有限值 B 输入 MOS 管不完全对称 C 负载不完全对称 D 输入对管工作在饱和区 标准答案 D 68 下列不是基本差分对电路中尾电流的作用的是 2 分 A 为放大器管提供固定偏置 B 为放大管提供电流通路 C 减小放大器的共模增益 D 提高放大器的增益 标准答案 D 69 下面电路的差模小信号增益为 2 分 A Dm Rg 1 B 41 omr g C 2421 oomm rrgg D 241 oom rrg 标准答案 D 70 某一恒流源电流镜如图所示 忽略 M3 的体效应 若让 M2 管工作在饱和区边 缘 b V 应取为 2 分 A thOD VV22 B thOD VV 2 C OD V2 D GSOD VV22 标准答案 B 71 下图中 其中电压放大器的增益为 A 假定该放大器为理想放大器 请计算该 电路的等效输出电阻为 2 分 A A R 1 B A R 1 1 C AR 1 D A R 1