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MOSFET参数理解及测试项目方法 MOSFET产品部 MOSFET简要介绍 MOSFET Metal Oxide SemiconductorFieldEffectTransistor 金属 氧化物 半导体场效应晶体管 MOSFET根据导电沟道形成机理可分为 1 增强型2 耗尽型MOSFET根据导电载流子的带电极性可分为 1 PMOS2 NMOS MOSFET简要介绍 MOS管结构及符号图 a 内部结构断面示意图 b N沟道符号 P沟道符号 G 栅极D 漏极S 源极 MOSFET参数理解及测试方法 MOSFET参数很多 一般Datasheet包含以下参数 极限参数 VDS 额定漏 源电压 此电压的大小由芯片设计决定 VGS 额定栅 源电压 此电压的大小由芯片设计决定 ID 额定最大漏源电流 是指场效应管正常工作时 漏源间所允许通过的最大电流 场效应管的工作电流不应超过ID 特定温度下 此电流的大小由RDS ON 和封装形式决定 其计算公式如下 TJmax MOS最大结点工作温度150 R JC 封装热阻 节点 外壳 TC Case表面温度为25 极限参数 IDM 最大脉冲漏源电流 我们通常取IDM 4 IDPD 最大耗散功率 是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率 Tjmax MOS最大结点工作温度150 R JC 封装热阻TC Case表面温度为25 Tj 最大工作结温 通常为150 TSTG 存储温度范围 通常为 55 150 静态参数 1 V BR DSS 漏源 D S 击穿电压 它具有正温度特性 TestCondition VGS 0 ID 250uA 静态参数 2 IDSS漏 源 D S 漏电流 一般在微安级TestCondition VGS 0 VDS RatedVDS 3 IGSS栅源驱动电流或反向电流 一般在纳安级TestCondition VDS 0 VGS RatedVGS 静态参数 4 VGS th 开启电压 阀值电压 它具有负温度特性 TestCondition VGS VDS ID 250uA 静态参数 5 RDS ON 在特定的VGS 一般为2 5Vor4 5Vor10V 及漏极电流 我们一般取1 2RatedID 的条件下 MOSFET导通时漏源间的阻抗 具有正温度特性 雪崩特性参数 功率MOSFET在电感型负载回路中 MOSFET由开启状态到瞬间关断时 漏源之间的反偏体二极管用于释放电感负载中储存能量的同时 也常常因此承担雪崩击穿带来的对器件的影响 EAS 单脉冲雪崩能量IAS 电感峰值电流IAR 单脉冲雪崩电流 雪崩特性参数 雪崩特性波形图 一 IAS 12 6ABVDSS 744Vtp 2ms 雪崩特性参数 雪崩特性波形图 二 IAS 15ABVDSS 768Vtp 2 5ms 动态参数 Ciss 输入电容 Ciss CGD CGSCoss 输出电容 Coss CDS CGDCrss 反向传输电容 Crss CGD TestCondition VGS 0 VDS 10Vor15Vor25f 1 0MHZ 动态参数 MOSFET是电压型驱动器件 驱动的过程就是栅极电压的建立过程 这是通过对栅源及栅漏之间的电容充电来实现的 Qg 栅极总充电电量 Qgs 栅源充电电量 Qgd 栅漏充电电量 TestCondition VDD 80 RatedVDS ID RatedID VGS 4 5V VGS 12V or10V RG 10 动态参数 开关时间 SwitchingTime Td on 导通延迟时间Tr 上升时间Td off 关断延迟时间Tf 下降时间 TestCondition VDD 1 2RatedVDS ID 1 2RatedID VGS 4 5V VGS 12V or10V RG 4 7 动态参数 gm 跨导 单位 S gm的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用 在转移特性曲线上 gm为的曲线的斜率 在输出特性曲线上也可求出gm 寄生二极管特性参数 VSD 寄生二极管正向导通电压测试电路 Trr 二极管反向恢复时间二极管可视为一种电容 积累的电荷Qrr完全放掉需要时间为Trr SafeOperatingArea Saf