第四章 存储器习题

第四章第四章 存储器存储器 一 填空题 1 计算机中的存储器是用来存放 的 随机访问存储器的访问速度与 无 关 2 主存储器的性能指标主要是 存储周期和存储器带宽 3 存储器中用 来区分不同的存储单元 1GB KB 4 半导体存储器分为 只读存储器 ROM 和相联存储器等 5 地址译码分为 方式和 方式 6 双译码方式采用 个地址译码器 分别产生 和 信号 7 若RAM芯片内有1024个单元 用单译码方式 地址译码器将有 条输出线 用双译码方式 地址译码器有 条输出线 8 静态存储单元是由晶体管构成的 保证记忆单元始终处于稳定状态 存 储的信息不需要 9 存储器芯片并联的目的是为了 串联的目的是为了 10 计算机的主存容量与 有关 其容量为 11 要组成容量为4M 8位的存储器 需要 片4M 1位的存储器芯片并联 或者需要 片1M 8位的存储器芯片串联 12 内存储器容量为6K时 若首地址为00000H 那么末地址的十六进制表示是 13 主存储器一般采用 存储器件 它与外存比较存取速度 成本 14 三级存储器系统是指 这三级 15 表示存储器容量时KB MB 表示硬盘容量时 KB MB 16一个512KB的存储器 其地址线和数据线的总和是 17 只读存储器ROM可分为 和 四种 18 SRAM是 DRAM是 ROM是 EPROM是 19半导体SRAM靠 存储信息 半导体DRAM则是靠 存储信息 20半导体动态RAM和静态RAM的主要区别是 21MOS半导体存储器可分为 两种类型 其中 需要刷新 22 广泛使用的 和 都是半导体 存储器 前者的速度比后者快 但 不如后者高 它们的共同缺点是断电后 保存信息 23 EPROM属于 的可编程ROM 擦除时一般使用 写入时使用高压脉冲 24 单管动态MOS型半导体存储单元是由一个 和一个 构成的 25 动态半导体存储器的刷新一般有 和 三种方式 答案 集中式 分散式 异步式 26 动态存储单元以电荷的形式将信息存储在电容上 由于电路中存在 因 此需要定期的不断地进行 27 闪速存储器能提供高性能 低功耗 高可靠性以及 能力 闪速存储器特 别适合于 微型计算机系统 被誉为 而成为代替磁盘的一种理想工具 28 双端口存储器和多体交叉存储器属于 存储器结构 前者采用 技术 后者采用 技术 29 4体交叉存储器是一种 存储器 它有 个存储模块 每个模块有它自 己的地址寄存器和 30 有一个4体交叉存储器 但使用时经常遇到连续访问同一存储体的情况 会 产 结果 二 选择题 1 计算机的存储器系统是指 A RAM B ROM C 主存储器 D cache 主存储器和外存储器 2 存储器是计算机系统的记忆设备 它主要用来 A 存放数据 B 存放程序 C 存放数据和程序 D 存放微程序 3 内存若为16兆 MB 则表示其容量为 KB A 16 B 16384 C 1024 D 16000 4 下列说法正确的是 A 半导体RAM信息可读可写 且断电后仍能保持记忆 B 动态的RAM属非易失性存储器 而静态的RAM存储信息是易失性的 C 静态RAM 动态RAM都属易失性存储器 断电后存储的信息将消失 D ROM不用刷新 但集成度不比动态RAM高 且断电后存储的信息仍能保持 5 类型的存储器速度最快 A DRAM B ROM C EPROM D SRAM 6 下面是关于PC计算机主存储器的一些叙述 主存储器的基本编址单元的长度为32位 主存储器也称为内存 它是一种动态随机存取存储器 目前市场上销售的PC机的内存容量最多能达到64MB PC机的内存容量一般是可以扩大的 其中正确的是 A 和 B 和 C 和 D 和 7 动态RAM的刷新是以 为单位进行的 A 存储单元 B 行 C 列 D 存储矩阵 8 可编程的只读存储器 A 不一定可以改写 B 可以改写 C 不可以改写 D 以上都不对 9 组成2M 8位的内存 可以使用 A 1M 8位进行并联 B 1M 4位进行串联 C 2M 4位进行并联 D 2M 4位进行串联 10 若SRAM芯片的容量是2M 8位 则该芯片引脚中地址线和数据线的数目之和 是 A 21 B 29 C 18 D 不可估计 11 若RAM中每个存储单元为16位 则下面所述正确的是 A 地址线也是16位 B 地址线与16无关 C 地址线与16有关 D 地址线不得少于16位 12 RAM芯片串联时可以 A 增加存储器字长 B 增加存储单元数量 C 提高存储器的速度 D 降低存储器的平均价格 13 RAM芯片并联时可以 A 增加存储器字长 B 增加存储单元数量 C 提高存储器的速度 D 降低存储器的平均价格 14 存储周期是指 A 存储器的读出时间 B 存储器进行连续读和写操作所允许的最短时间间隔 C 存储器的写入时间 D 存储器进行连续写操作所允许的最短时间间隔 15 下面所述不正确的是 A 随机存储器可随时存取信息 掉电后信息丢失 B 在访问随机存储器时 访问时间与单元的物理位置无关 16 某一动态RAM芯片其容量为16K 1 除电源线 接地线和刷新线外 该芯片 的最小引脚数目应为 A 16 B 12 C 18 17 某RAM芯片 其存储容量为1024 16位 该芯片的地址线和数据线数目分别 为 A 10 16 B 20 4 C 1024 4 D 1024 16 18 某计算机字长16位 其存储容量为2MB 若按半字编址 它的寻址范围是 A 0 8M 1 B 0 4M 1 C 0 2M 1 D 0 1M 1 19 某计算机字长32位 存储容量是8MB 若按双字编址 它的寻址范围是 A 0 256K 1 B 0 512K 1 C 0 1M 1 D 0 2M 1 20 下列关于存储器的描述 正确的有 A CPU访存时间由存储器容量决定 B ROM和RAM在存储器中是统一编址的 C ROM中任一单元可随机访问 D DRAM是破坏性读出 因此需要读后重写 21 以下四种类型的半导体存储器中 以传输同样多的字为比较条件 则读出 数据传输率最高的是 A DRAM B SRAM C 闪速存储器 D EPROM 21 多总线结构的计算机系统采用 方法 对提高系统的吞吐率最有效 A 多口存储器 B 提高主存速度 C 交叉编址多模块存储器 D cache 22 闪速存储器称为 A 光盘 B 固态盘 C 硬盘 D 软盘 23 双端口存储器所以能高速进行读写 是因为采用了 A 高速芯片 B 两套相互独立的读写电路 C 流水技术 D 新型器件 24 双端口存储器在 情况下会发生读 写冲突 A 左端口与右端口的地址码不同 B 左端口与右端口的地址码相同 C 左端口与右端口的数据码不同 D 左端口与右端口的数据码相同 25 交叉存储器实质上是一种 存储器 它能 执行 独立的读写 操作 A 模块式 并行 多个 B 模块式 串行 多个 C 整体式 并行 一个 D 整体式 串行 多个 26 在某CPU中 设立了一条等待 WAIT 信号线 CPU在存储器周期中T的下降 沿采样WAIT线 则下面的叙述中正确的是 A 如WAIT线为高电平 则在T2周期后不进入T3周期 而插入一个TW周期 B TW周期结束后 不管WAIT线状态如何 一定转入T3周期 C TW周期结束后 只要WAIT线为低 则继续插入一个TW周期 直到WAIT线变 高 才转入T3周期 D 有了WAIT线 就可使CPU与任何速度的存储器相连接 保证CPU与存储器连 接时的时序配合 三 简答题 1 存储元 存储单元 存储体 存储单元地址这几个术语有何联系和区别 2 简述存储器芯片中地址译码的方式 3 针对寄存器组 主存 cache 光盘存储器 软盘 硬盘 磁带 回答以下 问题 按存储容量排出顺序 从小到大 按读写时间排出顺序 从快到慢 4 说明SRAM的组成结构 与SRAM相比 DRAM在电路组成上有什么不同之处 5 DRAM存储器为什么要刷新 DRAM存储器采用何种方式刷新 有哪几种常用的 刷新方式 6 静态MOS存储元 动态MOS存储元 双极型存储元各有什么特点 7 ROM与RAM两者的差别是什么 指出下列存储器哪些是易失性的 哪些是非易 失性的 哪些是读出破坏性的 哪些是非读出破坏性的 动态RAM 静态 RAM ROM Cache 磁盘 光盘 8 下列各种存储器中 哪些是易失性存储器 哪些是非易失性存储器 磁盘 DRAM ROM 磁带 光盘 SRAM EPROM PROM EEPROM 9 指令中地址码的位数与直接访问的存储器空间和最小寻址单位有什么关系 字寻址计算机和字节寻址计算机在地址码的安排上有何区别 PC系列微机的指 令系统可支持对字节 字 双字 四倍字的运算 试写出在对准边界时 字节 地址 字地址 双字地址和四倍字地址有何特