《手机电路设计》PPT课件

一 手机电路设计 硬件框图 二 元件的选型 目录 1 手机硬件的基本原理框图2 MT6235 MT6253 MT6225 MT6223D的BB框图3 平台差异性讨论 手机电路设计 硬件框图 1 手机硬件的基本原理框图 2 MT6235框图 MT6253框图 MT6225框图 MT6223D框图 PMU的集成 Transceiver的集成 双卡单通集成 USB2 0支持性 Camera和T卡的支持 3 平台差异性讨论 1 电源 2 存储器 3 音频功放 4 ESD器件 5 其他器件的选择 二 元件的选型 目前有三种选择 线性LDO稳压器 无电感型开关稳压器 亦称为充电泵 以及传统的开关稳压器 基于电感器 线性LDO 线性LDO稳压器被认为是最简单的方案 它只能将输入电压转换到更低的电压 它最显著的缺点是热量管理 因为它的转换效率接近于输出电压与输入电压的比值 传统的开关稳压器 DC DC 开关稳压器可避开所有线性稳压器的效率缺点 通过使用低阻抗开关和磁存储组件 开关稳压器的效率能达到90 以上 从而显著减少转换过程的功率损耗 无电感型开关稳压器 CHARGEPUMP 介于线性稳压器与传统开关稳压器之间的是充电泵 在充电泵中 外部储能元件是电容而不是电感 由于没有电感 它可以减轻潜在的电磁干扰问题充电泵的缺点是有限的输入输出电压比以及有限的输出电流能力 电源 一 选择电源模块时应该注意的几点 1 输出功率需要确认电源模块的输出电流 案例 MT6319的峰值电流在150MA左右 射频供电的LDO兼容物料 EUP7981 28NIR1 输出电流只有150mA 在极端条件下出现的电流临界点 出现无法拨打电话 2 转换效率传统的开关稳压器 DC DC 无电感型开关稳压器 ChargerPump 线性LDO 3 体积线性LDO 无电感型开关稳压器 传统的开关稳压器 电源 二 4 抗干扰性不同的电源有不同的抗干扰性 根据不同情况进行分析 线形LDO应用框图 EUP7967A 33VIR1 线形LDO模块框图 EUP7967A 33VIR1 开关稳压器 CHARGEPUMP 应用框图 并联背光驱动芯片 4路共阳极 RT9364 开关稳压器 CHARGEPUMP 模块框图 并联背光驱动芯片 4路共阳极 RT9364 开关稳压器 CHARGEPUMP 应用框图 背光驱动芯片 4路共阴极 RT9368APQW 开关稳压器 CHARGEPUMP 模块框图 背光驱动芯片 4路共阴极 RT9368APQW 传统的开关稳压器 DC DC 应用框图 背光驱动芯片 串连 20V RT9284B 20PJ6E 传统的开关稳压器 DC DC 模块框图 背光驱动芯片 串连 20V RT9284B 20PJ6E NORFlashMemory和NANDFlashMemoryNOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术 大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码 这时NOR闪存更适合一些 而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案 而随着技术的发展 近两年NAND SDRAM的存储方案在手机里面也得到了广为应用 典型的有MTK的MT6235平台方案 PSRAM就是我们常说的内存 PSRAM 或者称FCRAM 与SRAM是有差别的 内部使用的是DRAM的技术 而外部使用的是SRAM的接口 功耗上可能要增加 但成本减少了 外置FLASH记忆卡CF SD SM MS MMC等 存储器 一 1 CF卡英文全称CompactFlashCard 是由美国SanDisk公司于1994年研制成功的 它是目前应用最为广泛的存储卡2 SM卡英文全称SmartMediaCard 是日本东芝研制开发的小型存储卡 SM卡体积很小且很轻很薄 与大部分数码存储卡不同的是 SM卡由塑胶制成 3 MMC卡英文全称MultiMediaCard 是由美国SanDisk公司和德国西门子于1997年共同开发的多功能存储卡 4 SD卡英文全称SecureDigitalCard 是由日本松下公司 东芝公司和美国SanDisk公司于1999年8月共同研制开发而成的 具有大容量 高性能 安全等多种特点的多功能存储卡 5 MS卡英文全称MemoryStickCard 由Sony公司于1997年研发推出 因其在形状上成长方形 所以我们又管它叫作 记忆棒 6 XD卡英文全称ExtremeDigitalCard 是在2003年1月9日富士公司和奥林巴斯合作推出的7 TF卡英文全称TransFlashCard 由SanDisk公司于2004年10月26日推出 TF卡使目前世界上最小的存储卡 TF卡主要使用在手机上存储多媒体数据 存储器 二 NOR PSRAM 256Mb 64Mb S71PL256NC0HFW5U0 K5D1G12DCA D090 NAND LPSDRAM 1Gb 512Mb 2 8V 1 8V 音频功放共分为模拟和数字两大类 模拟功放又分为A类 B类 AB类 数字的有D类 1 A类功放效率比较低 B类功放交越失真比较大 所以现在设计中基本上不再使用 2 AB类功放集中了A类和B类功放的优点 在目前手机上使用比较多 3 D类功放是数字功放 具有很好的性能 但价格比AB类功放略贵一点 音频功放 一 在手机音频功放的参数中PSRR THD N SNR等参数决定了一个音频功放的优劣 特别是PSRR值 对手机的抗TDDnoise起到了很大的作用 1 PSRR powersupplyrejectionrate 电源纹波抑制比 是音频放大器的输入测量电源电压的偏差偶合到一个模拟电路的输出信号的比值 PSRR反映了音频功率放大器对电源的纹波要求 PSRR绝对值越大越好 特别是217HZ 音频放大器输出抗电源干扰性能就越好 2 totalharmonicdistortion noise 总谐波失真 噪声 总谐波失真是指一个模拟电路处理信号后 在一个特定频率范围内所引入的总失真量 噪声通常指不需要的信号 有时是由于热或者其它物理条件产生的在线路板上的其它电气行为 干扰 总谐波失真和噪声越小越好 3 POCM最大输出功率 反映了一个音频功率放大器的负载能力 通常音频放大器厂家会提供产品的在工作电压一定条件和额定负载下的的最大输出功率 4 转换效率 反映出功放在同样的输出功率下的能量损耗 音频功放 二 选择电源模块时应该注意的几点 1 PSRR电源纹波抑制比D类功放是数字功放 AB类功放2 转换效率D类功放是数字功放 AB类功放3 价格D类功放是数字功放 AB类功放 音频功放 三 AB类功放应用框图 音频功放 AB类 CP2290GITLX 类功放应用框图 音频功放 2 1W D类 YDA145 PZ 带 功能 防破音 类功放应用框图 音频功放 2 5W D类 A7013M ESD破坏大多数明显的影响是器件失效 从手指或其它导体上突然的静电释放能够破坏静电敏感器件或者微电路 ESD保护对高密度 小型化和具有复杂功能的电子设备而言具有重要意义 ESD器件主要有两种 TVS和MLVTVS TransientVoltageSuppresser瞬态电压抑制器 二极管TVS二极管是和被保护电路并联的 当瞬态电压超过电路的正常工作电压时 二极管发生雪崩 为瞬态电流提供通路 使内部电路免遭超额电压的击穿或超额电流的过热烧毁 MLV Multi LayerVaristor 多层变阻器 MLV是一种基于ZnO压敏陶瓷材料 采用特殊的制造和处理工艺而制得的高性能电路保护元件 其伏安特性符合I kVa 能够为受保护电路提供双向瞬态过压保护 ESD器件选择 一 ESD器件选择需要注意的几点 1 限制电压限制电压小 保护性能好 但限制电压不能低于或者太接近与工作电压 这样容易引起误动作 2 响应速度响应速度越快 电压的冲击的影响就越小 MLV TVS3 能量耐受能力和通流能力这个反映出ESD器件的功率等级 功率越大 所能承受的ESD冲击越前 保护也就越好了 4 电容大小一般来说 电容越小越好5 价格TVS MLV ESD器件选择 二 1 电阻电阻一般关心的精度和功率 一般来说 采用的0402的1 8W电阻2 电容RF选用电容一般关心的是精度和温度特性 对于BB 电容器的等效串联电阻 ESR 会影响其稳定性 一般越越小越好 钽电容 陶瓷电容3 晶振晶振的主要参数有标称频率 负载电容 频率精度 频率稳定度等 4 M