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文档简介
,5.3 结型场效应管,5.3.1 JFET的结构和工作原理,5.3.2 JFET的特性曲线及参数,5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法,5.3.1 JFET的结构和工作原理,1. 结构,# 符号中的箭头方向表示什么？,2. 工作原理, vGS对沟道的控制作用,当vGS0时,（以N沟道JFET为例）,当沟道夹断时，对应的栅源电压vGS称为夹断电压VP （ 或VGS(off) ）。,对于N沟道的JFET，VP 0。,PN结反偏,耗尽层加厚,沟道变窄。,vGS继续减小，沟道继续变窄。,2. 工作原理,（以N沟道JFET为例）, vDS对沟道的控制作用,当vGS=0时，,vDS,iD ,g、d间PN结的反向电压增加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔形分布。,当vDS增加到使vGD=VP 时，在紧靠漏极处出现预夹断。,此时vDS ,夹断区延长,沟道电阻,iD基本不变,2. 工作原理,（以N沟道JFET为例）, vGS和vDS同时作用时,当VP vGS0 时，导电沟道更容易夹断，,对于同样的vDS ， iD的值比vGS=0时的值要小。,在预夹断处,vGD=vGS-vDS =VP,综上分析可知,沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电， 所以场效应管也称为单极型三极管。,JFET是电压控制电流器件，iD受vGS控制。,预夹断前iD与vDS呈近似线性关系；预夹断后， iD趋于饱和。,# 为什么JFET的输入电阻比BJT高得多？,JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因 此iG0，输入电阻很高。,5.3.2 JFET的特性曲线及参数,2. 转移特性,1. 输出特性,(VPvGS0),与MOSFET类似,3. 主要参数,5.3.2 JFET的特性曲线及参数,5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法,1. JFET小信号模型,（1）低频模型,（2）高频模型,2. 动态指标分析,（1）中频小信号模型,2. 动态指标分析,（2）中频电压增益,（
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