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文档简介

,5.5 各种放大器件电路性能比较,5.5 各种放大器件电路性能比较,组态对应关系：,CE,BJT,FET,CS,CC,CD,CB,CG,BJT,FET,CE：,CC：,CB：,CS：,CD：,CG：,CE：,CC：,CB：,CS：,CD：,CG：,CE：,CC：,CB：,CS：,CD：,CG：,5.5 各种放大器件电路性能比较,解：,画中频小信号等效电路,例题,例题,则电压增益为,由于,则,end,（过好器件关）,阶段小结,一、半导体器件的特点,PN结为基本结构单元，为非线性器件；,参数的分散性；,对温度的敏感性；,结电容效应；,二、器件符号,三、器件的外特性,四、模拟电路中的三大电流方程,（1）PN结电流方程：,（2）JFET的转移特性方程：,（3）增强型MOSFET的转移特性方程：,五、这些器件各有什么功能特点？可以用于什么场合？,1、普通二极管具有单向导电性，正偏导通，反偏截止，导通时压降基本不变（0.7V / 0.3V）。,整流、限幅、箝位、电子开关等。,2、稳压管工作在反向击穿区时具有稳压作用。,稳压电路,3、工作在放大区的BJT具有电流放大作用，iC=iB；截止时相当于开关断开，饱和时相当于开关闭合。,放大电路、电子开关,4、工作在恒流区的FET具有电压控制电流的作用，iD=gmuGS；截止时相当于开关断开，在可变电阻区相当于开关闭合。,放大电路、电子开关,在不同的应用场合，我们要给半导体器件设置合适的工作状态。,六、如何判断电路中半导体器件的工作状态？,1、二极管,2、BJT,3、FET,看加在二极管两端的电压,看发射结和集电结的偏置情况,看栅源电压、栅漏电压与UGS(th)(或UGS(off)） 的关系,七、当电路中存在半导体器件时，如何去分析？,*利用叠加定理，交、直流分开计算，但两者有内在的联系。,1、画直流等效电路，求直流量（静态工作点）,3、画交流等效电路，求交流量。,2、求解工作点处半导体器件交流小信号模型的相关参数。,要熟悉各种半导体器件的外特性：,分析步骤：,要熟悉半导体器件的交流小信号模型及模型参数的确定：,FET与BJT的比较,5 场效应管放大电路,5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管,5.3 结型场效应管（JFET）,*
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