光刻胶ppt课件.ppt

集成电路用光刻胶 2018 06 溶剂 Resin Polymer 惰性的聚合物 用于把光刻胶中的不同材料聚在一起的粘合剂 给予光刻胶机械和化学性质 PhotoactiveCompound 光刻胶材料中的光敏成分 对光能发生光化学反应 Additive 控制光刻胶材料的化学物质 用来控制和改变光刻胶材料的特定化学性质 Solvent 使得光刻胶具有流动性 易挥发 对于光刻胶的化学性质影响较低 树脂型聚合物 光引发剂 添加剂 光刻胶组分 光刻胶分类 在正性光刻中 正胶的曝光部分结构被破坏 被溶剂洗掉 使得光刻胶上的图形与掩模版上图形相同 相反地 在负性光刻中 负胶的曝光部分会因硬化变得不可溶解 掩模部分则会被溶剂洗掉 使得光刻胶上的图形与掩模版上图形相反 集成电路光刻胶基本情况 为满足集成电路对密度和集成度水平的更高要求 半导体光刻胶通过不断缩短曝光波长的方式 不断提高极限分辨率 目前 世界芯片工艺水平已跨入微纳米级别 光刻胶的波长由紫外宽谱逐步至g线 436nm i线 365nm KrF 248nm ArF 193nm F2 157nm 以及最先进的EUV 13 5nm 线水平 从市场看 g线和i线光刻胶的市场份额最大 随着未来功率半导体 传感器 LED市场的持续扩大 i线光刻胶市场将持续增长 而精细化需求的增加将推动KrF光刻胶的增长并逐渐替代i线光刻胶 ArF光刻胶对应的IC制程节点最为先进 且随着双 多重曝光技术的使用 ArF光刻胶的市场将快速成长 半导体光刻胶分类 点击输入您的标题内容 分辨率 resolution 区别硅片表面相邻图形特征的能力 一般用关键尺寸 CD 来衡量分辨率 形成的CD越小 光刻胶的分辨率越好 分辨率 对比度 敏感度 对比度 Contrast 光刻胶从曝光区到非曝光区过渡的陡度 对比度越好 形成图形的侧壁越陡峭 分辨率越好 敏感度 Sensitivity 光刻胶上产生一个良好图形所需一定波长光的最小能量值 或最小曝光量 光刻胶的敏感性对于波长更短的深紫外光 DUV 极深紫外光 EUV 等尤为重要 半导体核心技术参数 点击输入您的标题内容 粘滞性 黏度 Viscosity 衡量光刻胶流动特性的参数 黏滞性随着光刻胶中溶剂的挥发减少而增加 粘滞性越低 光刻胶厚度就越均匀 粘滞性 粘度 粘附性 表面张力 粘附性 Adherence 光刻胶与晶圆衬底之间的粘着强度 光刻胶的粘附性不足会导致硅片表面的图形变形 同时要承受后续工艺的影响 抗蚀性 Anti etching 光刻胶必须保持一定粘附性 在后续的刻蚀工序中保护衬底表面 这种性质被称为抗蚀性 半导体核心技术参数 抗蚀性 存储和传送能力 表面张力 SurfaceTension 液体中将表面分子拉向液体主体内的分子间的吸引力 小的表面张力 使光刻胶具有较好的流动性和覆盖能力 存储和传送 StorageandTranslation 光刻胶受能量 光和热 的影响 一旦存储超出温度范围 负胶会发生交联 正胶会发生感光延迟 集成电路光刻胶基本情况 光刻胶的质量和性能是影响集成电路 成品率以及可靠性的关键性因素 光刻胶工艺的成本约占整个芯片制造工艺的35 在整个芯片工艺时长中占据40 60 是半导体制造中的核心材料 光刻胶产品约占集成电路制造材料总成本的4 2017年 全球半导体光刻胶销售额达到12 05亿美元的市场规模 从全球半导体光刻胶分类市场份额占比来看 g i线光刻胶市场份额占比为24 0 KrF光刻胶市场份额占比为22 0 ArF 液浸ArF光刻胶市场份额占比为41 0 集成电路光刻胶国产化情况 中国大陆本土光刻胶产品主要集中在低端产品 集成电路光刻胶市场份额不足5 从国内整体来看 目前市场主流的四种中高端光刻胶 g线 i线 KrF ArF 我国已经实现了其中g i线的量产 并将逐步