开题报告-基于tersoff势金刚石表面粒子作用势的拟合

-1-内蒙古科技大学本科毕业论文开题报告科目：基于tersoff势金刚石表面粒子作用势的拟合学院：专业：班级：学号：姓名：指导老师：-2-一、本课题研究背景.-4-一、本课题研究背景.-4-二、本课题研究意义.-6-三、文献综述.-6-1.金刚石.-7-1)、金刚石薄膜的制备工艺.-7-（1）、热丝CVD法(HFCVD)24.-7-（2）、激光辅助CVD法(LACVD)5.-7-（3）、直流电弧等离子喷射CVD法(DAPCVD)6,7.-7-（4）、MPCVD法的特点.-7-（5）、电子回旋共振等离子体CVD法(ECRMWCVD).-7-（6）、微波等离子体CVD法(MWPCVD).-8-（7）、电子加速CVD法.-8-2）、金刚石的一些性能指标.-8-3）、应用.-9-（1）、工具领域.-9-（2）、热沉领域.-10-（3）、光学应用领域.-10-（4）、电子学应用领域.-11-（5）、医学方面.-11-3-（6）、其他方面应用.-11-2、计算机仿真研究.-12-1)、原子尺度模拟方法.-12-(1)动力学蒙特卡洛(KinetieMonteCarlo,简称KMC)方法.-12-(2)分子动力学(MoleeularDynamicS,简称MD)方法.-13-2)、薄膜计算机模型.-14-（1）、LG模型.-14-(2)Eden模型.-14-(3)DLA模型.-15-(4)RLA模型.-16-3、TERSOFF势.-16-（1）、Tersoff势中用到的一些参数如下.-19-（2）、角度之余弦.-19-（3）、角度的函数.-20-四、研究方案.-20-五、研究内容及进度安排.-21-研究内容.-21-进度安排.-21-六、参考文献.-22-七、指导老师审查意见.-25-4-一、本课题研究背景金刚石是自然界已知物质中硬度最高的材料,莫氏硬度为10，维氏硬度高于98GPa，其耐磨性和研磨能力超过了所有磨削材料。金刚石的弹性模量极大，约为980GPa左右，抗压强度为120GPa，抗拉强度为3.4GPa。金刚石在空气中的摩擦系数极低只有0.1左右。金刚石(碳)和同族元素硅、锗一样是优良的半导体材料。金刚石的禁带宽度为5.5eV,大约是硅的5倍,是一种良好的绝缘体，室温下其电阻率为。金刚石电学性能的最大特点是可掺杂性，通过适510当的掺杂可使金刚石获得半导体材料的性能。而且，金刚石的电子迁移率、空穴迁移率分别为200和1600/vS,饱和电子速度为2cm2.7/s。金刚石电学性质品质，即Johnson价质数远高于半导cm710体材料硅、锗和GaAs。因此可以用于制作在高温和强辐射条件下工作的电子器件，或用于高频率，高功率固体微波器件，性能远远优于硅、锗、砷化镓及其它化合物半导体材料。纯净的金刚石电阻率很高(1016.cm)，但室温热导率却是所有已知物质中最高的(20W.cm-1.K-1)大约是良导热体铜的5倍。金刚石的熔点在3000以上,其热膨胀系数与温度成正比关系，随温度的上升而线性增大，一般为1.54.8/。这一性质使金刚石可以用作超大规610模集成电路和高功率激光二极管列阵的热沉(散热片)。金刚石的光学性质也同样十分优异。金刚石是透光波段最宽和透光性能最好的材料,从紫外到可见光以及红外光(除26m处吸收外)其透光率都-5-很高，还能透过X射线和微波。这一卓越性质加上其无与伦比的硬度，最高的热导率，极低的热膨胀系数和极佳的化学稳定性，使其成为最佳的光学窗口材料，可用于高马赫数飞行的导弹头罩和红外焦平面热成像装置的窗口及光学涂层。金刚石还具有最高的弹性模量(1050GPa)和纵波声速(18200m/s)，可用于高保真扬声器和其它高性能声学器件。金刚石的化学性质也极其稳定。纯氧中72080OC开始氧化，室温下几乎不与酸、碱等腐蚀介质发生反应，只是在高温下，会受某些金属溶液的侵蚀。但是，由于天然金刚石十分稀少，而用高温高压法(5050kbar及数千度高温)人工合成的金刚石颗粒非常细小，且一般含有催化剂杂质。只能用作磨粒磨料和工具(如PCD)。而采用低压化学气相沉积(CVD)方法制备的金刚石膜。可以提供充分利用金刚石各种优异物理化学性质，实现在上述一系列高技术领域应用的机会。正因为如此，化学气相沉积金刚石膜20世纪80年代初取得突破以来，一直受到世界各先进工业化国家(日，美，欧等)的重视，金刚石热(DiamondFever)曾一度袭卷全球。近年来，化学气相沉积金刚石膜研究的进展已经把金刚石膜这种特殊的多功能材料推到了大规模产业化应用的前夜，这更激起了各国政府和开发厂商的热情。然而像任何新材料和新技术的产业化进程一样，CVD金刚石膜的产业化也不象许多研究者和开发商所想象的那样顺利。目前尽管已有一些产品已在国内外市场上出现，一个崭新的金刚石膜产业群正在涌现，但距离大规模工业化的目标仍有很大距离，仍有许多技术关键问题至今仍未取得突破，还需要扎实的基础理论研-6-究和进一步的应用技术开发以及更大的资金投入。二、本课题研究意义：薄膜科学已逐渐成为一门研究薄膜制备技术、生长机理、控制方法和物性分析的科学。薄膜材料的制备归根到底是一个表面动力学过程，它集中地表现为原子在表面上的扩散、粘接、成核、生长，以及原子岛之间的相互作用、兼并、失稳、退化等一系列的表面原子过程。这方面研究的重要性将表现在如下两个方面。从基础研究的角度来看，薄膜制备的质量与生长初期沉积原子在亚单层的扩散及成岛的形状有关。因此，对形核机理的研究将涉及到吸附原子之间及其与基底原子之间的相互作用等诸多表面科学的基本问题。从技术应用的角度来看，人造材料的力学、电学和磁学性质完全依赖于纳米微结构的界面理想程度。对各种制造工艺的控制和改进，极大地体现在对原子水平上薄膜生长中各种复杂原子过程的了解。因此，在原子尺度上去研究这些物理现象，对理解生长过程、控制生长条件、提高多层膜制备质量、掌握纳米结构的形成和稳定性规律、验证其对薄膜物理和化学性质的影响从而改善薄膜和低维结构的制造工艺具有直接的重要意义。三、文献综述：关于金刚石沉积的仿真属于物理、材料、计算机等交叉学科，具体涉及到粒子相互作用势、薄膜表面动力学、粒子迁移（反应）-7-过程、薄膜沉积理论、分子动力学、计算机编程等学科。以下将从下面几个方面介绍其研究情况。1.金刚石：1)、金刚石薄膜的制备工艺：（1）、热丝CVD法(HFCVD)24:此方法是合成金刚石薄膜的热解法的发展。H2通过高熔点金属热丝(如钨丝,加热到18002300)很容易得到原子氢,产生的原子氢可以有效的刻蚀石墨。（2）、激光辅助CVD法(LACVD)5:利用激光作辅助源,通过激光束促进原料气的分解、激发,同时有适当高能量的电子作用于基体表面。基体表面温度较高,生长初期成核密度高,膜的生长速度可达3600m/h。（3）、直流电弧等离子喷射CVD法(DAPCVD)6,7:该方法的装置由等离子炬、电源系统、真空系统及水冷系统构成,利用直流电弧放电所产生的高温等离子射流(温度可达30004000K),使得碳源气体和氢气离解,造成沉积金刚石薄膜所需要的气相环境。由于等离子体炬工作压力一般低于大气压力,因此得到的是一种偏离平衡状态的低温热等离子体。（4）、MPCVD法的特点:无内部电极,可以避免电极放电污染;运行气压范围宽;等离子体密度高;能量转化效率高;微波与等离子体参数可以方便地控制;可以产生大体积均匀等离子体等。-8-（5）、电子回旋共振等离子体CVD法(ECRMWCVD):该方法8是在微波等离子体装置上附加磁场。微波功率6001300W。它既保持了微波等离子体的优点使金刚石薄膜不受电极的污染,提高了膜的质量与纯度,又降低了工作气压,可降到13.3Pa,故有利于等离子体的测量与控制,并可进行大面积沉积金刚石薄膜。火焰沉积法(FlameDeposition)9,10:日本学者Hirose等采用C2H2-O2燃烧火焰法在大气中合成金刚石。该方法所用的碳源气体是乙炔,助燃气体是氧气。乙炔和氧气发生燃烧时产生的等离子气流在基体表面沉积形成金刚石薄膜。（6）、微波等离子体CVD法(MWPCVD)1115:前MPCVD装置从反应室来分类可以分为:石英管式、石英钟罩式和带有微波耦合窗口的金属腔式。从微波等离子体耦合方式分类,有直接耦合式、表面波耦合式和天线耦合式。（7）、电子加速CVD法4:此法是在用热丝CVD法沉积金刚石薄膜过程中,用热电子轰击基片表面,加速金刚石在基片上沉积。与热丝CVD法不同的是,该法把电压正极接在用钼制成的基片架上,经加热的钨丝发射电子,电子在电场作用下轰击阳极的基片。CH4和H2的混合气体被输送到基片表面,由于热反应和热电子轰击的双重作用,使气体发生分解,形成各种具有活性的碳氢基团,促使具有双键和三键的碳离解,加速金刚石的成核和生长。-9-2）、金刚石的一些性能指标：、极端的机械硬度(约为：90Gpa)和耐磨性、最高的体积模量（1.2）1202.1mN、最低的可压缩性()38、最高的导热系数()1(kW、在室温下非常低的热膨胀系数()K60、具有很强的光学透明度特别是红外线和紫外线、最强的声音传播速度()15.7skm、很好的绝缘性（室温电阻率是)103c、可以掺入具有广泛的半导体、具有抗化学腐蚀、生物相容性、一些表面具有非常低的电子亲和力、摩擦系数为0.050.1、带隙（eV）为5.45、良好的化学惰性、杨氏模量大于100Gpa、很高的剪切模量3）、应用（1）、工具领域：-10-随着汽车、航空和航天工业的发展以及对材质轻量化、高比强度的要求日益提高,有色金属、炭纤维增强塑料(CFRP)、玻璃纤维增强塑料(GFRP)、纤维增强金属(FRM)以及石墨、陶瓷等新材料在工业中的应用日益广泛,对加工这些材料的刀具提出了更高的要求。金刚石的高硬度,耐磨损,高热导,低热膨胀系数,低摩擦系数,化学惰性等优点使得金刚石是加工非铁系材料的理想工具材料。但由于其制备工艺复杂,价格昂贵,刀具种类受限而限制了其在工业上的广泛应用;将金刚石薄膜直接沉积在刀具表面,能极大地延长刀具的使用寿命,加工质量也大为提高。（2）、热沉领域：采用金刚石热沉(散热片)的大功率半导体激光器已经用于光通信,在激光二极管、功率晶体管、电子封装材料等方面都有应用;金刚石热沉商品也已在国外市场出现。金刚石热沉的另一应用前景是用于正在发展之中的多芯片技术(MCMs,Multichipmodules),这一技术的目标是把许多超大规模集成电路芯片以三维的方式紧密排列结合成为超小型的超高性能器件,而这些芯片的散热则是该技术的关键,显然金刚石薄膜是解决这一技术难题最理想的材料。（3）、光学应用领域：金刚石的光学吸收在0.22Lm左右,相当于真空紫外光波段,从此位置直到毫米波段,除位于-11-5Lm附近由于双声子吸收而造成的微弱吸收峰(吸收系数12.3cm-1)外,不存在任何吸收峰。金刚石膜作为光学涂层的应用前景非常好。在军事上可用作红外光学窗口和透镜的涂层。在民用方面可用作在恶劣环境(如冶金,化工等)下工作的红外在线监测和控制仪器的光学元件涂层。（4）、电子学应用领域：金刚石与现有半导体材料相比,具有最低的介电常数,最高的禁带宽度,极好的电子及空穴及最高的热导率。它有可能制备微波甚至于毫米波段超高速计算机芯片,高电压高速开关及固体功率放大器,它们的工作温度可达600e。金刚石制备电子器件的应用已取得了初步的结果,目前实现的金刚石薄膜半导体器件有金刚石薄膜发光管、金刚石薄膜场效应管、金刚石薄膜热敏电阻等。（5）、医学方面：作为一种种植材料，类金刚石膜具有广泛的应用前景。目前，越来越多的人将目光投向了类金刚石膜在生物医学领域的应用，如：在聚乙烯的人工股骨关节头上镀一层类金刚石膜，其抗磨损性能可以和镀陶瓷和金属的制品相比；镀有TiN/Ti/DLC多层膜的钛制人工心脏瓣膜，由于其疏水性和光滑表面，也取得了较好的效果!$,#；在用于骨科内固定机械的Ti-Ni形状记忆合金，镀一层类金刚石膜-12-3其具有良好的抗氧化性以及良好的生物学摩擦特性。在人造牙根上镀制一层类金刚石膜可以改善其生物相容性。（6）、其他方面应用:与硅、锗薄膜相比，类金刚石薄膜具有高的热导率，可以作为太阳能吸收薄膜。随着核技术的发展及应用范围的进一步扩大，研究在核辐射环境下器件类金刚石涂层的抗辐射性能研究也一直在紧张的进行着。具有高的弹性模量的类金刚石膜，已经成功地应用到扬声器中，作为发声器件的涂层，以提高其音质。2、计算机仿真研究：1)、原子尺度模拟方法:(1)动力学蒙特卡洛(KinetieMonteCarlo,简称KMC)方法:原子尺度模拟方法主要有动力学蒙特卡洛方法及分子动力学方法基本的蒙特卡洛方法(MnoteCarlo)501属于试验数学的分支它的基本思想是:首先建立一个概率模型或随机过程,使它的参数为问题的解;然后通过对模型或过程的观察或抽样试验来计算所求参数的统计特征;最后给出所求解的近似值动力学蒙特卡洛方法(KMC)是将微观粒子动力学同MC方法结合而产生的一类模型主要是将一个小的原子体系的能量计算,结合MC方法用于一个范围较大的原子随机过程运动在薄膜沉积生长过程中,粒子在基片上沉积!迁移等都可看成一个个随机运动过程,在不同的条件下有着不同的随机性,以及相应事件的发生概率,很适合用MKc来进行模拟研究,也得到了许多-13-研究者的青睐如早期salik5-!Burschi52等对薄膜沉积过程进行了KMC模拟,较好地处理了薄膜表面原子扩散运动及薄膜生长模式与沉积温度等工艺条件之间的关系Ynag等531在全部反应途径都知道的情况下,用KMC模拟了薄膜的化学气相沉积生长Knizhniksl4对zro沉积在Si衬底时的生长模式进行了模拟,也取得了与实验相类似的结果KMC方法能够处理较大体系,但其非确定性和不可逆性限制了它在微观结构演变过程研究中的应用,如使用蒙特卡洛方法无法得到位错的原子成核过程等这也是本文没有采用这一方法的主要原因.(2)分子动力学(MoleeularDynamicS,简称MD)方法:分子动力学方法的基本思想是通过求解体系内原子的运动方程,得到各原子在每个时刻的位置和速度,从而得到体系结构及其演变的全部信息MD方法发展至今已形成了两个主要分支:一个是从头计算分子动力学(bainitoiMD,最早由acr和Parrinell两人提出,也常称为Pc方法55,防),另一个是经典分子动力方法(ClaSSicalMD)区别在于计算体系中原子受力的方法不同从头计算分子动力学基于量子力学理论计算受力情况;而经典分子动力学基于经验或半经验的原子间相互作用势函数来近似计算原子间相互作用从头计算分子力学方法不依赖于势函数及其准确性,极大地扩展了分子动力学模拟研究的广度和深度但其计算量过大,目前为止仍局限于几十个原子以下体系和皮秒(ps)级时间范围以内的过程在薄膜领域中,它适合处理运算单个增原子到薄膜表面时的细节分析或薄膜表面原子构型-14-分析等,而对于处理涉及成千上万个原子的薄膜沉积生长与结构形成问题,从头计算分子动力学方法和电子尺度方法一样仍无能为力经典分子动力学模拟方法可处理的原子数远比从头计算分子动力学方法的要多,加上高效的运动方程求解算法及周期性边界条件的使用,完全可以模拟处理薄膜沉积生长过程中微结构的演变过程和动力学蒙特卡洛方法一样,经典分子动力学模拟方法计算原子间相互作用的经验与半经验势本身有一定的局限性,它丢失了局域电子结构之间存在着的强相关作用信息,也就是说,不能得到成键性质,以及原子动力学过程中的电子性质另外要获得一个特定体系的经验势本身是一件很难的事然而,大量模拟结果表明,对于位错!表面和界面等原子层次的结构问题而言,采用经验势函数特别是采用镶嵌原子法等多体势的分子动力学可以获得可靠的结果,在能够通过实验验证的条件下都得到了很好的验证值得一提的是近期一项晶界结构的分子动力学研究证实:采用AEM势和基于第一性原理计算的势进行的模拟结果完全相同t57,这进一步有力地证实了经典分子动力学方法的可靠性许多与原子运动有关的微观细节,在实际实验中无法获得,而在分子动力学模拟中可以方便地得到这种优点使经典分子动力学模拟在薄膜乃至整个材料科学中都非常有吸引力经典分子动力学方法至今仍然是在分子动力学方法中占主流地位,一般都被直接称为分子动力学.2)、薄膜计算机模型:（1）、LG模型：-15-主要考虑了单晶衬底上粒子的扩散和凝聚问题,没有考虑入射及解吸过程。以后相应的计算机模拟一般考虑不同的影响因素,如衬底形貌的影响,外延生长随衬底温度的变化,原子间作用势和晶格失配数的影响等,对LG模型做了改进(2)Eden模型：这是早期用来研究微粒形成过程的一种模型,如胶体的凝聚、尘埃的形成等。它首先设定个种子位置(即被占据的位置),然后随机地往种子位置附近沉积粒子,当粒子遇到一个被占据的位置时就在其旁边的空位处凝聚下来。在Eden模型中,由于粒子被沉积在种子附近,所以吸附在衬底后就基本固定下来,不再扩散,因此模拟中能产生较致密的稳定岛,且薄膜生长初期聚集体的密度与其尺寸无关,所以薄膜几乎不会出现分形生长。这种模型显然过于简单,与实际差别比较大。(3)DLA模型：为了解释薄膜的分形生长现象,1981年Witen等在Eden模型的基础上考虑了粒子的扩散,提出了表面扩散限制聚集模型(压ffusion一Lim:ted一Aggregation)。DLA模型是晶格气体模型的一种发展,它随机地往衬底上离种子较远的位置沉积粒子,粒子吸附后就在衬底上随机扩散直至遇到被占据的位置就在其附近的空位处凝聚下来,不再扩散,然后下一个粒子被沉积到衬底;若粒子在扩散过程中到达衬底边界,则从衬底上去除,接着沉积下一个粒子.用DLA模型可以明显地模拟出分形生长图像,这说明衬底上成膜粒子的扩散运-16-动是成膜过程的一个关键环节。DLA模型考虑了成膜过程中粒子扩散这一基本动力学过程,能够很好地解释和模拟薄膜的分形生长,所以是一个普遍适用的模型,一经提出就被广泛使用。但DLA模型也较简单,如其假设粒子一旦被聚集体吸收就固定下来,停止扩散,但没有考虑入射粒子的剩余动能衬底温度和形貌晶格结构和缺陷杂质等因素对粒子扩散的影响,所以用来模拟室温或更低温度下的薄膜生长才与实际比较相符。(4)RLA模型：在一般的半导体异质外延系统中.对于有表面活性剂介入的薄膜外延生长情况,沉积原子需要与表面活性剂原子发生交换才能成核或成为稳定岛的一部分。在这种情况下,岛的生长是交换作用限制的,而不是扩散作用限制的。因此,提出了反应限制聚集模型(Reactlon一Limited-Aggregatlon),简称RLA模型。RLA模型包括3个最基本的原子过程,(a)沉积原子在表面活性剂原子层上快速扩散;(b)沉积原子与表面活性剂原子交换位置成为形核中心;(c)“粘”在核或岛边缘的沉积原子与表面活性剂原子交换位置从而成为稳定岛的一部分,以使岛继续增大。RLA模型是一个描述由反应过程控制生长的普适的模型.在DLA模型中,形核过程是一个运动过程,并且后来的沉积原子只需沿着岛边缘弛豫很短时间就会立即加入岛的生长。相对于DLA模型,RLA模型的形核过程是反应过程,后到来的沉积原子会“粘”到岛上并经过一段较长的时间后才会参与生长过程,成为岛-17-的一部分。目前,通过DLA模型和RLA模型应该可以解释薄膜生长初期原子聚集的基本规律。3、Tersoff势半经验多体势tersoff势是一种键级势(用以描述键之强弱，具体说来，如果与某个原子相近邻的原子增多，则该原子与其它原子间所成的键就会减弱)，其最原始的解析表示形式是由tAbell根据化学赝势理论导出.Tersoff势的有关表达式如下：，jiiiiVE21;)()()(ijAijijRijcijrfbrffV);exp()(),exp()(ijijijijijijRrBfArf,),/(,0)(cos21,)(ijijijijijijijijijijijijcSrRSrRrrf,iiinjnijijb2/1)1(ikijikcijrf)(,)(ijkg;)os(/)(222ijkiiiiiijkhdcg,)(,/)(,/)(21jiijjiijjiijA-18-;)(,)(,)(212121jiijjiijjiijSRB其中E是结合能，Ei是体系中第i个原子对体系结合能的贡献部分；上式中Vij的值是要受到i原子所处的局域环境影响的；且V日不是指i原子与j原子成键的键能(表示键能的应是另外，2/)(jiij一般情况下。(这是因为i原子与j原子所处的局域环境往jijV往不同)。是i原子与j原子间的距离；将对相互作用限定ijr)(ijcrf在最近邻之内阻。由于不连续的截断会使得截断处的力为无穷，从而可能会使得模拟进行的不顺利。S是截断半径。若体系中涉及到不止一种元素，则近邻列表中的截断半径应取众S。中的最大者。-19-（1）、Tersoff势中用到的一些参数如下：CSiGeA(eV)1.39363103108.310769.B(eV)2467.274243.48792.47992.4451)(1A2.21191.73221.7047710524.610.7106.9n.8734.52.C4108935109510643d4.348462.h175.18518R(A)1.82.72.8S(A)2.13.03.1-20-976.0iCS061.isGi其中：；1ijk（2）、角度之余弦jikcos:设三个位置均不相同的点j、i、k构成的一个角度为(i在顶角位置)，则该角度的余弦为：或ikjiijjikrcosikjjiijjikrr2cos2单独计算角度的余弦当然式及式都是可以的，但是在计算Tersoff势及Tersoff力的时候，两个公式对长方体模拟单元的尺寸与截断半径之间的关系的要求是不同的：式要求模拟单元的最短棱要大于两倍的截断半径，而式则要求要大于四倍的截断半径。（3）、角度的函数:)(jikg设g为的函数，即；若中的以的形jik(jik)(jikgjikcosjiks式出现，那么求偏导时可以直接利用下面公式：ljikjikjiljikrgrcoscos)()(若中的不仅以的形式出现，那么求偏导时可以)(jikgjijikcs直接利用下面公式：ljikjikjikjiljikrrcossn1)()(-21-四、研究方案：1、金刚石结构2、tersoff推导（结合能E和tersoff力F的推导）3、用C#语言编程，完成原子间作用力程序4、第一原子计算，金刚石表面粒子动力学行为5、对比tersoff势作用力和第一原子的区别6、利用分子动力学完成金刚石沉积仿真五、研究内容及进度安排本课题研究金刚石沉积过程，重点考察沉积C粒子在金刚石表面动力学行为。基于分子模拟技术考虑，本课题采用tersoff势描述C原子之间作用关系。根据文献综述内容的认识，现制定研究内容及进度安排如下：研究内容:一、综述金刚石薄膜研究进展及存在问题；二、综合考虑计算材料学中不同尺度的仿真方法，即第一原理、分子动力学和动力学蒙特卡罗，选定计算仿真方法。三、参阅文献选定C的tersoff势参数，解析tersoff公式，推导势函数一阶导形式（原子间力的公式）。-22-四、对照试验参数，采用第一原理方法计算C在金刚石结构表面的迁移行为；五、编写基于tersoff势分子仿真程序，计算C在金刚石结构表面的迁移行为，并与第一原理计算结果对比，分析仿真结果。六、实现金刚石沉积过程的分子模拟。进度安排：(1)、确定论文题目（基于tersoff势的金刚石沉积仿真）（2）、撰写开题报告（3）、撰写研究方案（4）、撰写毕业论文（5）、毕业答辩六、参考文献1朱建勇,梅炳初,李力,柴欣CVD金刚石薄膜的制备方法及应用(武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室2002年第3期2吕反修化学气相沉积金刚石膜的研究与应用进展(北京科技大学材料科学与工程学院,北京100083)2010年底31卷第-23-1期3王丽军金刚石薄膜CVD制备方法及其评述(郑州航空工业管理学院应)用科学系,河南郑州450052)2000年6月第6卷第2期4满卫东1,2,汪建华1,王传新1,2,马志斌1金刚石薄膜的性质、制备及应用(1.武汉化工学院等离子体技术与薄膜材料重点实验室,湖北武汉430073;2.中国科学院等离子体物理研究所,安徽合肥230031)2002年第17卷第1期5窦瑞芬,潘俊德金刚石薄膜的研究进展(太原理工大学表面工程研究所)2000年11月第31卷6期6李敬财何玉定胡社军黄拿灿类金刚石薄膜的应用广州工业大学2004年第124期7（日）田中章浩类金刚石薄膜和金刚石薄膜的最新制备技术与各种特性200