多晶硅基础知识点

1. 块状硅多晶具有无规则的形状和随机尺寸分布，其线性尺寸最小为（6mm）最大为(100mm).2. 探针绝缘性，一探针（包括连接弹簧和外部引线）与任何其他探针或装置任一部分之间绝缘电阻大于（109）。3. 对于P型单晶，在（6）倍熔区处读取电阻率值，该值即为样品的基硼电阻率值。4. 对于N型单晶，在（8）倍熔区处读取电阻率值，该值即为样品的基磷电阻率值。5. 热探笔上所用的电阻丝的功率一般只需（1015W）.6. 冷热探笔法一般适用于室温电阻率在（1000.Cm）以下的硅单晶。7. 整流法一般适用于室温电阻率在（11000.Cm）的硅单晶。8. 单晶在测试过程中应保证环境温度（232），温度（65%），（电磁屏蔽，无强光照射）。9. 四探针恒流源的光流范围为(10-110-6A),稳定度优于（0.05%）。四、简答题1.国标中太阳能级与电子级产品等级的划分基磷电阻率（.cm）基硼电阻率（.cm）N型少数载流子寿命（s）国标电子级一级5003000500国标电子级二级3002000300国标电子级三级2001000100太阳能级一级100500100太阳能级二级4020050太阳能级三级20100302. 物理性能检测中样品制备的事故判断处理及预防 1.为避免机械对人造成伤害，上班前，按规定穿戴好劳保用品，使用酸碱时，穿戴好防护用品，在通风良好的条件下操作。2.若发现机器电机转动声音异常，应立即停止进行检查，正常后即可投入使用。3.若酸碱液溅在皮肤上，立即用大量清水冲洗。4.使用耐酸手套前要检查是否完好。5.钻取样品时，若出现松动，应立即停机，紧固后方可进行加工，手动进刀时，一般按照均匀进给的原则进行，以免用力过猛造成事故。3. 物理性能检测中区熔制备硅单晶的控制要点1.在装炉时，原料棒及籽晶要做到安放平整、对中、稳定可靠。2.在对磷检炉操作过程中，通入氩气时要控制号氩气的阀门，流量由小到大，逐步接近工艺规定值。3.熔接时，要选择合适的功率，升温不能过急，注意熔区在感应线圈中的位置是否得当。4.初始拉速不能由零突越至拉制速度，应缓慢增大。5.选择适当的供料速度，确保熔区体积不变，熔区稍微饱满为好。6.在单晶生长过程中，要控制好硅熔区，避免熔区流垮，同时尽力保持拉制棒材直径的均匀性。7.在进行收尾工作时，控制好速度，不能过快，以免产生位错。4. 简述物理性能检测的工艺流程图用大型切断机切取温圈氧化夹层片（线1）用大型切断机对样品进行切断（线2）产品取样 样品退火 线1 腐蚀清洗 送检测岗位检测线2 用大型切断机对样棒进行去应力切割 取硅芯层和生长层棒样 腐蚀清洗 区熔 检测导电类型 检测样品电阻率检测样品少子寿命 对单晶棒样进行红外样片切割 对切割片样进行研磨抛光、制备成红外样 将红外样片送质监进行后续检测5.单晶硅中间隙氧样品要求：（1）样品的厚度范围为0.04 cm0.4 cm；（2）单晶硅样片，样片经双面研磨抛光。（3）加工后样片的两个面应尽可能平行，所成角度小于1（4）其厚度差应小于等于0.5%，（5）表面平整度应小于所测杂质谱带最大吸收处波长的1/4。样品表面不应有氧化层。5.四探针法测量电阻率的测准条件有哪些？（1）样品的几何尺寸必须近似满足半无限大，具体的说即样品的厚度必须大于3倍针距，探针头中任一探针离样品边缘的最近距离不得小于3倍针距（纵向、横断面电阻率测试的选择均由此而来）。（2）测量区域的电阻率应是均匀的，为此针距不宜过大，一般采用12mm左右的针距较适宜。（3）四根探针应处于同一平面的同一直线上，为此要求四根探针严格的排成一直线，还要求样品表面平整。（4）四探针与试样应有良好的欧姆接触，为此探针应当比较尖，与样品的接触点应是半球形，使电流成放射状发散（或汇拢），且接触半径应远远小于针距，一般要求接触半径不大于50微米左右，针头应有一定压力，一般取29.8N较适宜。（5）电流通过样品不应引起样品的电导率发生变化。干扰因素：1）陷阱效应影响：室温下的硅和低温下的锗，载流子陷阱会产生影响。如果试样中存在电子或空穴陷阱，脉冲光停止后，非平衡少数载流子将保持较高浓度并维持相当长时间，光电导衰减曲线会出现一条长长的尾巴。在这段衰减曲线上进行测量将错误的导致寿命值增大。2）表面复合影响：表面如果处理不好，会影响少子寿命3）注入量的影响：测量时试样电导率条幅必须很小，这样试样上电势差的衰减才等价于光生载流子的衰减。4）光生伏特效应的影响：试样电阻率不均匀会产生衰减信号扭曲的光电压光生伏特效应。5）光源波长的影响：光生载流子大幅度衰减会影响曲线的形状，尤其在衰减初期使用脉冲光时，这种现象会更为显著。6）电场的影响：如果少数载流子被电流产生的电场扫描出试样的一端，少数载流子就不会形成衰减曲线。7）温度的影响：半导体中杂质的复合特性受温度强烈影响，控制测量时的温度非常重要，在相同的温度下进行测量才能进行比较。8）杂质复合中心的影响：不同的杂质中心具有不同的复合特性，当