第一章---半导体二极管测试题.docx

第1章 半导体二极管班级：_姓名：_分数：_一、填空题（1分/空，共30分）1.导电性能介于导体和绝缘体之间的物质是_。2.半导体具有_特性、_特性和_特性。3.PN结正偏时，P区接电源的_极，N区接电源的_极；PN结反偏时，P区接电源的_极，N区接电源的_极。4.PN结具有_的特性，即加正向电压时，PN结_，加反向电压时，PN结_.5.PN结正向偏置时，应该是P区的电位比N区的电位_。6.二极管P区的引端叫_极或_极，N区的引出端叫_极或_极。7.按二极管所用的材料不同可分为_和_两类。8.二极管的正向接法是_接电源的正极，_接电源的负极；反向接法则相反。9.硅二极管导通时的正向管压降约为_V，锗二极管导通时的管压降约为_V。10.二极管最主要的特性是_，它是指：PN结正偏时呈_状态，正向电阻很小，正向电流很_（小，大）；PN结反偏时呈_状态，反向电阻很大；反向电流很_（小，大）。11.二极管是用一个PN结制成的半导体器件，它的最基本的性质是_。12.有一锗二极管正反向电阻均接近于零，表明该二极管已_；有一硅二极管正、反向电阻均接近于无穷大，表明二极管已_。二、判断题（2分/题，共22分）1.N型半导体又称为空穴型半导体。 （ ）2.PN结正向偏置时电阻小，反向偏置时电阻大。 （ ）3.二极管是线性元件。 （ ）4.一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。 （ ）5.不论是那种类型的半导体二极管，其正向电压都为0.3V左右。（ ）6.二极管具有单向导电性。 （ ）7.二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。 （ ）8.二极管加正向电压时一定导通。 （ ）9.二极管加反向电压时一定截止。 （ ）10.有两个电极的元件都叫二极管。 （ ）11.用数字万用表测试二极管时，显示“000”，说明该二极管内部开路。 （ ）三、选择题（2分/题，共40分）1.PN结的最大特点是具有（ ）。A 导电性 B. 绝缘性 C. 单向导电性 D. 负阻性2.半导体受光照，导电性能（ ）。A. 增强 B. 减弱 C. 不变 D.不一定3.当外界温度升高时，半导体的导电能力（ ）。A. 不变 B. 增加C. 显著增加 C. 先减小后增加4.PN结正向偏置时( )。A P区接电源正极，N区接电源负极 B. N区接电源正极，P区接电源负极C. 电源极性可以任意调换 D. 不接电源5.PN结的主要特征为（ ）。A. 正向导电特性 B. 单向导电性C. 反向击穿特性 B. 可控的单向导电特性6.在电路中测得某二极管正负极电位分别为3V与10V，判断二极管应是（ ）A. 正偏 B.反偏 C.零偏 D.损坏7.硅二极管加正向电压（ ） A.立即导通 B.超过0.3V导通 C.超过0.7V导通 D.超过死区电压导通8.用万用表直流电路挡分别测出V1、V2和V3正极与负极对地的电位如图1-1所示，V1.V2和V3的偏置状态为（ ）V2V1图1-1+13VV3A.V1、V2和V3均正偏 B.V1反偏，V2和V3正偏C.V1、V2反偏，V3正偏 D.V1、V2和V3均反偏9.某二极管反向击穿电压为150V，则其最高反向工作电压（ ）A约等于150V B略大于150VC.等于75V D等于300V10.下列（ ）不是二极管的主要参数。A电流放大倍数 B最大整流电流C.最高反向工作电压 D反向电流11.当环境温度升高时，二极管的反向电流将（ ）A.增大 B.减小 C.不变 D.先大后小12.2AP9表示（ ）A.N型材料整流管 B.N型材料稳压管C.N型材料普通管 D.N型材料开关管13.判断二极管的极性用万用表（ ）挡A.直流电压 B.直流电流 C.交流电流 D.欧姆14.测量小功率二极管的好坏时，一般把万用表欧姆挡拨到（ ）A.R100 B.R10k C.R1 D.R1015.用万用表R100挡来测试二极管，其中（ ）说明管子是好的A.正、反向电阻都为零B.正、反向电阻都为无穷大C.正向电阻为几百欧，反向电阻为几百千欧D.反向电阻为几百欧，正向电阻为几百欧16.用万用表的电阻档判断小功率二极管管脚极性时，应选用（ ）挡A.R1 B.R1k C.R10k D.R1017.在测量二极管正向电阻时，若用两手把管脚捏紧，电阻值将会（ ）A.变大 B.变小 C.不变化 D.不能确定18.二极管正反向电阻相差（ ）A.越小越好 B.越大越好 C.无差别最好 D.无要求19.用数字式万用表测试二极管时，显示0.5500.700V，则该二极管（ ）A.是锗管 B.短路 C.开路 D.是硅管20.用万用表不同的电阻档测量一个正常二极管的正向电阻，测量结果（ ）A.相同 B.不同 C.可能相同也肯可能不同 D.