华师电子电路基础作业.doc

精品文档1第1题当PN结外加反向电压时，扩散电流（ ）漂移电流，耗尽层变宽。A.大于B.小于C.等于D.不确定您的答案：A题目分数：2.0此题得分：0.02第2题影响放大器高频特性的原因是（ ）。A.极间耦合电容B.发射极旁路电容C.三极管结电容D.温度您的答案：C题目分数：2.0此题得分：2.03第3题硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（ ）。A.大B.小C.相等D.无法判定您的答案：A题目分数：2.0此题得分：2.04第4题在本征半导体中掺入3价元素就成为（ ）型半导体。A.P型半导体B.N型半导体C.PN结D.纯净半导体您的答案：C题目分数：2.0此题得分：0.05第5题测得某放大电路正常工作的晶体管三电极直流电位分别为12.2V、12V、0V, 则三极管的三个电极分别是（ ）。A.(E、B、C)B.(C、B、E)C.(B、C、E)D.(B、E、C)您的答案：A题目分数：2.0此题得分：2.06第6题测得NPN型三极管三个电极的电位分别为UC=3.3V，UB=3.7V，UE=3V，则该管工作在（ ）A.放大区B.截止区C.饱和区D.击穿区您的答案：C题目分数：2.0此题得分：2.07第7题在放大电路中,测得三极管三个电极电位分别为3.2V、3V、6V，则该管属于（ ）A.锗NPN型B.锗PNP型C.硅NPN型D.硅PNP型您的答案：A题目分数：2.0此题得分：2.08第8题图示电路是（ ）电路。A.微分电路B.积分电路C.指数电路D.对数电路您的答案：A题目分数：2.0此题得分：2.09第9题在固定偏置放大电路中，当RC、RB的参数分别为（ ）时，该电路的静态工作点处在放大区。设三极管的=100。A.5.6k、10kB.5.6k、510kC.5.6k、10MD.100k、1M您的答案：B题目分数：2.0此题得分：2.010第10题锗二极管的死区电压是（ ）。A.0.10.2VB.0.5VC.0.7VD.0.6V您的答案：A题目分数：2.0此题得分：2.011第11题在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（ ）A.晶体缺陷B.温度C.杂质浓度D.掺杂工艺您的答案：C题目分数：2.0此题得分：2.012第12题N型半导体可以在纯净半导体中掺入( )价元素实现。A.3B.4C.5D.6您的答案：C题目分数：2.0此题得分：2.013第13题测得三极管发射结正偏，集电结反偏，此时该三极管处于( )A.放大状态B.截止状态C.饱和状态D.击穿状态您的答案：C题目分数：2.0此题得分：0.014第14题测某放大电路中三极管各极电位分别是0V、-6V、0.2V，则三极管的三个电极分别是（ ）。A.(E、C、B)B.(C、B、E)C.(B、C、E)D.(B、E、C)您的答案：C题目分数：2.0此题得分：2.015第15题影响多级放大器低频特性的原因是（ ）。A.极间耦合电容B.三极管放大倍数C.三极管结电容D.温度您的答案：A题目分数：2.0此题得分：2.016第16题在放大电路中测得三极管三个电极的电位分别为6V、11.8V、12V，则这只三极管属于（ ）A.硅PNP型B.硅NPN型C.锗PNP型D.锗NPN型您的答案：C题目分数：2.0此题得分：2.017第17题PN结具有（ ）导电特性。A.双向B.单向C.不确定您的答案：B题目分数：2.0此题得分：2.018第18题基本微分电路的电容器接在运放电路的（ ）。A.反向输入端B.同向输入端C.反向端与输出端之间D.输出端您的答案：C题目分数：2.0此题得分：2.019第19题当PN结外加正向电压时，扩散电流（ ）漂移电流，耗尽层变窄。A.大于B.小于C.等于D.不确定您的答案：A题目分数：2.0此题得分：2.020第20题半导体中的少数载流子产生的原因是( )A.外电场B.内电场C.掺杂D.热激发您的答案：D题目分数：2.0此题得分：2.021第21题测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三极管的三个电极分别是（ ）。A.（B、C、E）B.（C、B、E）C.（E、C、B）D.（B、E、C）您的答案：B题目分数：2.0此题得分：0.022第22题PNP型晶体管工作在放大区时，三个电极直流电位关系为 （ ）A.UC UE UBB.UB UC UEC.UC UB UED.UB UE UC您的答案：C题目分数：2.0此题得分：2.023第23题在放大电路中,测得三极管三个电极电位分别为12V，11.3V，0V，则该管属于（ ）A.硅PNP型B.硅NPN型C.锗PNP型D.锗NPN型您的答案：A题目分数：2.0此题得分：2.024第24题在放大电路的耦合方式中，（ ）级间静态工作点会影响。A.变压器耦合B.直接耦合C.阻容耦合D.光电耦合您的答案：B题目分数：2.0此题得分：2.025第25题二极管两端电压大于（ ）时，二极管才导通。A.击穿电压B.死区电压C.饱和电压D.放大电压您的答案：B题目分数：2.0此题得分：2.026第26题负反馈使放大电路增益( )。A.增大B.下降C.不变D.不确定您的答案：B题目分数：2.0此题得分：2.027第27题电源电路中滤波的作用是（ ）A.将正弦波变方波B.将交流电变直流电C.将高频信号变成低频信号D.使脉动直流电压变为平滑的直流电压您的答案：D题目分数：2.0此题得分：2.028第28题并联型稳压电路通常应用于（ ）场合。A.电压固定、负载电流小、负载变化不大B.电压固定、负载电流大C.负载变化大D.稳压范围宽您的答案：A题目分数：2.0此题得分：2.029第29题图示电路为（ ）电路。A.甲乙类OCLB.甲乙类OTLC.乙类OCLD.甲类您的答案：B题目分数：2.0此题得分：0.030第30题在固定偏置放大电路中，调小偏置电阻Rb的数值，将使静态工作点（ ）。A.升高B.降低C.不变D.不定您的答案：A题目分数：2.0此题得分：2.031第31题在固定偏置放大电路中，调大偏置电阻Rb的数值，容易出现（ ）失真。A.饱和B.截止C.低频D.交越您的答案：B题目分数：2.0此题得分：2.032第32题在固定偏置放大电路中，调小偏置电阻Rb的数值，容易出现（ ）失真。A.饱和B.截止C.低频D.交越您的答案：A题目分数：2.0此题得分：2.033第33题整流的目的是（ ）A.将正弦波变方波B.将交流电变直流电C.将高频信号变成低频信号D.将非正弦信号变为正弦信号您的答案：B题目分数：2.0此题得分：2.034第34题固定输出的三端稳压器内部采用（ ）型稳压电路结构。A.开关B.串联C.并联D.复合您的答案：B题目分数：2.0此题得分：2.035第35题OCL功率放大电路如图示，T2、R1、R2的作用是（ ）。A.充当T1的集电极负载B.消除交越失真C.增大输出功率D.减少三极管的穿透电流您的答案：B题目分数：2.0此题得分：2.036第36题整流滤波后输出直流电压不稳定的主要因数是（ ）。A.温度的变化B.负载电流的变化C.电网电压的波动D.电网电压的波动和负载电流的变化两个方面您的答案：D题目分数：2.0此题得分：2.037第37题电路中稳压的作用是（ ）A.正弦波变方波B.将交流电变直流电C.将滤波后的电压进一步稳定D.使脉动直流电压变为平滑的直流电压您的答案：C题目分数：2.0此题得分：2.038第38题OCL功率放大电路如图示，T4、R1、R2的作用是（ ）A.充当T1的集电极负载B.消除交越失真C.增大输出功率D.减少三极管的穿透电流您的答案：B题目分数：2.0此题得分：2.039第39题硅二极管的死区电压是（ ）。A.0.10.2VB.0.5VC.0.7VD.0.6V您的答案：A题目分数：2.0此题得分：0.040第40题在放大电路的耦合方式中，（ ）低频特性最好。A.变压器耦合B.直接耦合C.阻容耦合D.光电耦合您的答案：B题目分数：2.0此题得分：2.041第41题当PN结外加正向电压时，内外电场方向（ ）。A.相反B.相同C.不确定您的答案：A题目分数：2.0此题得分：2.042第42题在本征半导体中掺入5价元素就成为（ ）型半导体。A.P型半导体B.N型半导体C.PN结D.纯净半导体您的答案：C题目分数：2.0此题得分：0.043第43题测得某放大电路中三极管各极电位分别是3V、2.3V、12V则三极管的三个电极分别是（ ）。A.(E、B、C)B.(B、C、E)C.(B、E、C)D.(C、B、E)您的答案：C题目分数：2.0此题得分：2.044第44题在放大电路中测得三极管三个电极的电位分别为2.8V、3.5V、6V，则这只三极管属于（ ）A.硅PNP型B.硅NPN型C.锗PNP型D.锗NPN型您的答案：B题目分数：2.0此题得分：2.045第45题当PN结外加反向电压时，内外电场方向（ ）。A.相反B.相同C.不确定您的答案：B题目分数：2.0此题得分：2.046第46题欲将方波转换成三角波，应选用（ ）。A.微分运算电路B.积分运算电路C.差分输入运算电路D.乘法电路您的答案：B题目分数：2.0此题得分：2.047第47题在开关型稳压电路中，调整管工作在（ ）状态。A.放大B.饱和C.截止D.开关您的答案：D题目分数：2.0此题得分：2.048第48题在固定偏置放大电路中，调大偏置电阻Rb的数值，静态工作点将（ ）。A.升高B.降低C.不变D.不定您的答案：B题目分数：2.0此题得分：2.049第49题在桥式整流电