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MOVCD生长氮化物外延层的方法一种用MOVCD生长氮化物外延层和氮化物发光二极管结构外延片的方法，它采用MOCVD技术，利用高纯NH3做N源，高纯H2或N2做载气，三甲基镓（TMGa）或三乙基镓（TEGa）和三甲基铟（TMIn）和三甲基铝（TMAl）分别做Ga源和In源和Al源；衬底为蓝宝石（Al2O3）；该方法包括在MOCVD反应室中把蓝宝石衬底加热到500，在H2气氛下，通入三甲基镓（TMGa）生长一GaN层，在高温（1200）H2气氛下，GaN和衬底表层的蓝宝石（Al2O3）发生反应，可以更好地清除蓝宝石表面的损伤层及其表面的污染，也可以在蓝宝石表面腐蚀出纳米量级的微坑，这些微坑对改善外延层的质量有好处，更重要的是可以增加LED的出光效率。主权项一种MOVCD生长氮化物外延层方法，它采用MOCVD技术，利用高纯NH3做N源，高纯H2或N2做载气，三甲基镓（TMGa）或三乙基镓（TEGa）和三甲基铟（TMIn）和三甲基铝（TMAl）分别做Ga源和In源和Al源；衬底为蓝宝石（Al2O3）；其特征在于，该方法包括以下步骤： 步骤一，在MOCVD反应室中把蓝宝石衬底加热到500和900之间，用H2或N2气作载气，通入三甲基镓（TMGa）和NH3在蓝宝石表面生长一GaN牺牲层；其厚度在10纳米到200纳米之间； 步骤二，GaN牺牲层生长完毕之后，停止向反应室通入三甲基镓（TMGa），继续向反应室通入NH3,继续向反应室通入H2或N2气，同时将生长温度升高到1100以上； 步骤三，当生长温度升高到1100以上地某一设定的温度之后，停止向反应室通入NH3,只向反应室通入H2或H2和N2的混合气，使GaN牺牲层分解，同时和蓝宝石表面发生反应； 步骤四，在H2气氛下或H2和N2的混合气氛下或N2气氛下，把MOCVD反应室温度降低至500到900的某一设定温度，通入三甲基镓（TMGa）和NH3生长GaN成核层，其厚度控制在10纳米到50纳米之间； 步骤五，GaN成核层生长完毕之后，停止向反应室通入三甲基镓（TMGa），继续向反应室通入NH3,继续向反应室通入H2或N2气，同时将生长温度升高到1000以上的某一设定温度，使GaN成核层达到退火的目的； 步骤六，继续向反应室通入NH3,继续向反应室通入H2或N2气，将温度保持在1
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