电子技术中期考试试题.doc

20122013学年度电子技术基础与技能中期考试试题一选择题 （每题2分） 1.最常见的半导体材料是( )A.铜 B. 铁 C. 硅和锗 D. 铝2二极管两端加正向电压时（ ）A一定导通 B超过死区电压才导通 C. 超过0.7V导通 D. 超过0.3V才导通 3某硅二极管反向击穿电压为150V，则其最高反向工作电压（ ）A. 约等于150V B.可略大于150V C. 不得大于40V D.等于75V4稳压二极管的稳压性能是利用二极管的（ ）特性实现A.单向导电 B.反向击穿 C.正向导通 D.反向截5如果在NPN型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的工作状态为 （ ） A、放大状态 B、饱和状态 C、截止状态 D、不能确定6在一个放大电路中，测得某三极管各极对地的电位为U1=3V，U2=3V，U3=2.7V，则可知该管为（ ）。A. PNP锗管 B. NPN硅管 C. NPN锗管 D. PNP硅管 7已知某三极管的三个电极电位为6V, 2.7V, 2V, 则可判断该三极管的类型及工作状态为（ ）。A、NPN型，放大状态 B、PNP型，截止状态C、NPN型，饱和状态 D、PNP型，放大状态8二极管的反向电阻（ ）。A小 B大 C中等 D为零9测得晶体管三个电极的静态电流分别为 0.06mA，3.66mA 和 3.6mA 。则该管的为（ ）。A70 B40 C50 D6010在单相桥式整流电路中，变压器次级电压为10V（有效值），则每只整流二极管承受的最大反向电压为（）A.10V B.10 V C. 10/ V D.20V11桥式整流加电容滤波电路，设整流输入电压为20V，此时，输出的电压约为( )A.24V B.18V C.9V D.28.2V12.分压式偏置电路利用（ ）的负反馈作用来稳定工作点。A电容 B.基极电阻 C.集电极电阻 D.发射极电阻13.下列器件中（ ）将电信号转化成光信号。A放光二极管 B.三极管 C. 二极管 D.光电二极管14.如果用万用表测得二极管的正、反向电阻都很大，则二极管（ ）。A特性良好 B.已被击穿 C.内部开路 D. 功能正常 15.整流的目的是（ ）A将交流变为直流 B. 将高频变为低频 C.将正弦波变为方波 D.将直流变为交流二 填空题（每空1分）1.三极管用来放大时，应使发射结处于_偏置，集电结处于_偏置。2.二极管加正向电压导通，反向电压截止，叫做二极管的_ 3.锗二极管的开启电压_，硅二极管的开启电压_4.有一锗二极管正反向电阻均接近于零，表明二极管_，又有一硅二极管正反向电阻接近无穷大，表明二极管_5.三极管具有电流放大作用的实质是利用_电流对_电流的控制6.半导体二极管2AP7是_半导体材料制成的，2CZ56是_半导体材料制成的。7._的半导体称为本征半导体。8晶体三极管在放大状态下，其集电极电流IC与基极电流IB的关系式为 _ 。9.稳压二极管主要工作在_区。在稳压时一定要在电路中加入 限流。10.光电二极管在电路中要 连接才能正常工作。11.半导体三极管按极性可分为_型和_型二类。12.用万用表“R1k”挡测试二极管，若所测的电阻较大，则黑表笔接触的是二极管的_极，与红表笔接触的是二极管的_极。三判断题（每题1分）1.半导体二极管都是硅材料制成的。（ ）2.半导体二极管只要加正向电压就能导通。（ ）3.稳压二极管工作在正向导通状态。（ ）4.利用二极管的正向压降也能起到稳压作用。（ ）5.二极管从P区引出的极是正极。（ ）6.二极管加反向电压一定是截止状态。（ ）7.三极管是一种电流控制器件。（ ）8.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。（ ）9.三极管无论工作在何种工作状态，电流IE=IB+IC=(1+)IB总是成立。（ ）10.三极管的发射区和集电区都是同类半导体材料，因此c、e极可以互换。（ ）四.作图题(每题4分)1.画出发光二极管和PNP型三极管的电路符号2.画出半波整流电路的原理图五.计算题（每题8分）1. 电路如下图所示，二极管是导通还是截止，R=10K，试求出AO两点间的电压UAO？(二极管为理想二极管) _2.桥式整流电容滤波电路如图示电路，设U0=24V，RL=300。求二次有效电压U2 求流过负载电流IL (3)求流经二极管的平均电流ID 3.三极管9011的参数为，问该型号管子在以下情况下能否正常工作