模拟电子技术试卷及答案.doc

模拟电子技术试卷一.填空题(每空1分,共30分)1P型半导体掺入 三 价元素，多子是 自由电子 ，少子是 空穴 。2PN结主要特性是具有单向导电性 ，即正 导通，反向 截止 。3三极管工作在放大状态的外部条件是发射结正向偏置，集电结 反向偏置 。4在模拟放大电路中，三极管一般工作在输出特性的 放大 区；在数字电路中三极管一般工作在 截止 区或 饱和 区，此时也称它工作在 开关 状态。5幅度失真和相位失真统称为 频率 失真，它属于 线性 失真。6功率放大电路的主要作用是 向负载上提供足够大的输出功率 ， 乙类 功率放大电路的效率最高。7放大电路中为了稳定静态工作点，应引入 a （a.直流负反馈，b.交流负反馈）。8三极管串联型稳压电路由 取样电路 、 基准电路 、 比较电路 和 调整电路 四大环节组成。9分压式偏置电路具有 稳定静态工作点 作用，其原理是构成 电压串联 负反馈。10集成运算放大器是 直接 耦合放大电路。集成运算放大器的两个输入端分别为 同相输入 端和 反相输入 端，前者的极性与输出端 同相 ；后者的极性同输出端 反相 。11根据MOS管导电沟道的类型，可分为 PMOS 和 NMOS 型。二、单项选择题（每题2分，共20分，将答案填在下表中）12345678910CDAB1常温下，硅二极管的开启电压约_V，导通后在较大电流下的正向压降约_V；锗二极管的开启电压约_V，导通后在较大电流下的正向压降约_V。CA) 0.3，0.5，0.5，0.7 B) 0.5，0.7，0.3，0.5C) 0.5，0.7，0.1，0.2 D) 0.3，0.5，0.1，0.22下图中的3种特性曲线，依次属于哪种场效应管？正确的说法是（ D ） A) P沟道耗尽型MOSFET；N沟道结型；N沟道增强型MOSFETB) P沟道耗尽型MOSFET；N沟道增强型MOSFET；结型N沟道耗尽型C) N沟道耗尽型MOSFET；N沟道结型；N沟道增强型MOSFETD) N沟道耗尽型MOSFET；N沟道增强型MOSFET； N沟道结型3在共射基本放大电路中，当一定时，在一定范围内增大IE，电压放大倍数将（ A）A) 增加 B) 减小C) 不变 D) 不能确定4如图所示差分放大电路中，为提高抑制零点漂移的能力，试问采用下列（ B ）措施好。A) 提高电源电压 B) 采用恒流源差分电路C) 减小工作点电流 D) 加大RC窗体顶端5功率放大电路按（ A ）原则分为甲类，甲乙类和乙类三种类型。A) 按三极管的导通角不同 B) 按电路的最大输出功率不同C) 按所用三极管的类型不同 D) 按放大电路的负载性质不同6理想集成运算放大器的放大倍数Au，输入电阻Ri，输出电阻Ro分别为（ C ）A) ，0， B) 0， C) ，0 D) 0，07正弦波振荡电路的起振条件是（ B ）。A) ； B)； C) ； D) ；8共模抑制比KCMR是（ D ）A) 输入差模信号与共模信号之比的绝对值B) 输入共模信号与差模信号之比的绝对值 C) 输出交流信号与输出直流信号之比的绝对值 D) 差模放大倍数与共模放大倍数之比的绝对值9下列说法中正确的是（ D ）A) 任何放大电路都有功率放大作用B) 只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真C) 若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈D) 若放大电路引入电压负反馈，则负载电阻变化时，输出电压基本不变10放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（B ）。A) 耦合电容和旁路电容的存在B) 半导体管极间电容和分布电容的存在C) 半导体管的非线性特性D) 静态工作点不合适三（8分）计算下图放大器的静态工作点及电压放大倍数，已知Ucc=12V，Rb1=20K，Rb2=10K，Re=2K ,Rc=2K，RL=6K，=40,rbe=1K。 四（6分）设硅稳压管D1和D2的稳定电压分别为5V和10V，正向压降均为0.7V，求：稳压管接法如图，求输出电压。若两只稳压管方向均相反，求。若D1方向不变，D2方向相反，求。 UO = 5+10 = 15V UO = 0.7+0.7=1.4V UO = 5+0.7=5.7V五（9分）下图中三极管均为硅管，RB和RC的电阻值选取合适，从偏置情况分析判断下图中各三极管的工作状态。（1） （2） （3）（1）UBE=1-0.5=0.5V0.7V，发射结反偏，所以三极管工作在截止状态（2）发射结正偏，集电结反偏，所以三极管工作在放大状态 （3）发射结正偏，集电结正偏，所以三极管工作在饱和状态六、（9分）设图中的运算放大器都是理想的，试写出uo1、uo2和uo的表达式。七(10分)计算下图二级放大器的电压放大倍数，输入、输出电阻。已知：Rb1 = Rb2 = 280K，Rc1 = Rc2 = 3K，RL = 3K，UCC = 12V，= 50，rbe1 = rbe2 = 950。 八（8分）在图示的单相桥式整流电路中，分析：如果VD3接反，则会出现什么现象? 如果VD3被开路, 则会出现什么现象? 在电源负半周将出现电源短路，电源烧坏 只能在电源负半周整流，出现半波整流现象。模拟电子技术试卷答案一.填空题(每空1分,共30分)1P型半导体掺入 3 价元素，多子是 自由电子 ，少子是 空穴 。2PN结主要特性是 单向导电性 ，即正向 导通 ，反向 截止 。3三极管工作在放大状态的外部条件是发射结 正偏 ，集电结 反偏 。4在模拟放大电路中，三极管一般工作在输出特性的 放大 区；在数字电路中三极管一般工作在 饱和 区或 截止 区，此时也称它工作在 开关 状态。5幅度失真和相位失真统称为 频率 失真，它属于 线性 失真。6功率放大电路的主要作用是 向负载提供足够大的输出功率 ， 乙类 功率放大电路的效率最高。7放大电路中为了稳定静态工作点，应引入 a （a.直流负反馈，b.交流负反馈）。8三极管串联型稳压电路由 取样电路 、 基准电压 、 比较电路 和 调整电路 四大环节组成。9分压式偏置电路具有 稳定静态工作点 作用，其原理是构成 电流串联 负反馈。10集成运算放大器是 直接 耦合放大电路。集成运算放大器的两个输入端分别为 同相输入 端和 反相输入 端，前者的极性与输出端 同相 ；后者的极性同输出端 反相 。11根据MOS管导电沟道的类型，可分为 NMOS 和 PMOS 型。二、单项选择题（每题2分，共20分，将答案填在下表中）12345678910CDABACBDDB三（8分） 四（6分） UO = 5+10 = 15V UO = 0.7+0.7=1.4V UO = 5+0.7=5.7V五（9分）（1）UBE=1-0.5=0.5V0.7V，