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文档简介
1 微电子器件原理 第3章晶体管的频率特性 哈尔滨工业大学 威海 微电子中心罗敏cn minLuo TEL 5687574 804 2 第3章晶体管的频率特性 在实际运用中 晶体管大多数都是在直流偏压下放大交流信号 随着工作频率的增加 晶体管内部各个部位的电容效应将起着越来越重要的作用 因而致使晶体管的特性发生明显的变化 本章讨论在高频信号作用下晶体管的哪些特性参数发生什么样的变化以及这些这些变化与工作频率的关系等 以便能更好地认识高频下晶体管特性的变化规律 更重要的是了解应设计制造什么样的晶体管以满足高频工作条件的要求 为此 首先介绍晶体管高频工作下的特殊参数 然后再讨论这些参数与结构 工作条件的关系等 3 3 1基本概念 4 5 3 1 2描述BJT频率特性的参数 6 7 8 9 3 2电流增益的频率变化关系 截止频率和特征频率 3 2 1交流小信号电流的传输过程 发射结势垒电容充放电效应 基区电荷存储效应或发射结扩散电容充放电效应 集电结势垒区渡越过程 集电结势垒电容充放电效应 10 11 12 13 14 15 3 2 2共基极电流增益和 截止频率 16 17 18 19 20 21 22 3 2 3共射极电流增益 截止频率和特征频率 23 24 利用矢量图分析ic与ib的变化 25 二 特征频率 26 三 特征频率与截止频率的关系 27 四 特征频率与晶体管工作点的关系 28 五 提高特征频率的措施 同样结构下npn和pnp谁fT大 29 3 3高频功率增益和最高振荡频率 30 一 晶体管的功率增益 31 二 最佳功率增益 32 33 三 晶体管的高频功率增益 34 35 36 37 3 功率增
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