第十六章固体中的电子分析.ppt_第1页
第十六章固体中的电子分析.ppt_第2页
第十六章固体中的电子分析.ppt_第3页
第十六章固体中的电子分析.ppt_第4页
第十六章固体中的电子分析.ppt_第5页
免费预览已结束,剩余13页可下载查看

下载本文档

版权说明:本文档由用户提供并上传,收益归属内容提供方,若内容存在侵权,请进行举报或认领

文档简介

固体指具有确定形状和体积的物体。分为:晶体、非晶体和准晶体,一、晶体结构和晶体分类,1、晶体结构,外观上:具有规则的几何形状微观上:晶体点阵(晶格),基本特征:规则排列,表现出长程有序性,晶体中的重复单元称为晶胞,立方,体心立方,面心立方,二、固体的能带,1、电子共有化,由于晶体中原子的周期性排列而使价电子不再为单个原子所有的现象,称为电子的共有化。,2、能带的形成,电子的共有化使原先每个原子中具有相同能级的电子能级,因各原子间的相互影响而分裂成一系列和原来能级很接近的新能级,形成能带。,能带的一般规律:,2.越是外层电子,能带越宽,E越大。,1.原子间距越小,能带越宽,E越大。,3.两个能带有可能重叠。,禁带:两个相邻能带间可能有一个不被允许的能量间隔。,电子在能带中的分布:,1、每个能带可以容纳的电子数等于与该能带相应的原子能级所能容纳的电子数的N倍(N是组成晶体的原子个数)。,2、正常情况下,总是优先填能量较低的能级。,满带:各能级都被电子填满的能带。满带中电子不参与导电过程。,价带:由价电子能级分裂而形成的能带。价带能量最高,可能被填满,也可不满。,空带:与各原子的激发态能级相应的能带。正常情况下没有电子填入。,三、导体和绝缘体,当温度接近热力学温度零度时,半导体和绝缘体都具有满带和隔离满带与空带的禁带。,一个好的金属导体,它最上面的能带或是未被电子填满,或虽被填满但填满的能带却与空带相重叠。,四、半导体,本征半导体是指纯净的半导体。,杂质半导体是指掺有杂质半导体。,电子导电半导体的载流子是电子,空穴导电半导体的载流子是空穴(满带上的一个电子跃迁到空带后,满带中出现的空位),电子共有化是指电子在不同原子的相同能级上转移而引起的,电子不能在不同能级上转移,因为不同能级具有不同的能量。,而杂质原子与原组成晶体的原子不一样,因而杂质原子的能级和晶体中原子的能级不相同,在这些能级上的电子由于能量的差异,不能过度到其他原子的能级上去,即不参与电子的共有化。量子力学证明,杂质原子的能级处于禁带中,不同类型的杂质,其能级在禁带中的位置也不同。有些杂质能级离导带较近,有些离导带较远。杂质能级的位置不同,杂质半导体的导电结构也不同,按其导电结构,杂质半导体可分为两类:一类以电子导电为主,称n为型半导体.另一类以空穴导电为主,称p为型半导体.,1、n型半导体,在四价元素(硅、锗)中掺入少量五价元素(磷、砷),形成n型半导体。,2、p型半导体,在四价元素(硅、锗)中掺入少量三价元素(硼、镓),形成p型半导体。,3、p-n结的形成,由于n区的电子向p区扩散,p区的空穴向p区扩散,在p型半导体和n型半导体的交界面附近产生了一个电场,称为内电场。,p-n结的单向导电性,在p-n结的p型区接电源正极,n区接负极,阻挡层势垒被削弱、变窄,有利于空穴向n区运动,电子向p区运动,形成正向电流。,在p-n结的p型区接电源负极,n区接正极。,阻挡层势垒增大、变宽,不利于空穴向n区运动,也不利于电子向p区运动。,4、半导体的其他特征和应用,热敏电阻,半导体的电阻随温度的升高而指数下降,导电性能随变化十分灵

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明,都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等,如果需要附件,请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸,网页内容里面会有图纸预览,若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间,仅对用户上传内容的表现方式做保护处理,对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑,并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容,请与我们联系,我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

评论

0/150

提交评论