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模块六常用半导体材料测试卷卷（客观题）一、 单项选择题：（本大题共85个小题，每小题2分，共170分）1. 在焊接过程中要使用助焊剂，关于助焊剂的作用，下列说法错误的是A去除氧化物B使焊点不出现尖角C防止工件和焊料加热时氧化D减小焊料熔化后的表面张力，增加其流动性，有利于浸润2. 钎焊分离电子元器件最合适选用的电烙铁是A25WB75WC100WD150W3. 共晶焊锡的熔点为A327B232C183D2124. 焊接中焊点凝固前被焊元件移动容易形成A虚焊B夹生焊C漏焊D预焊5. 焊接电子元件最适合的焊剂是A焊锡膏B松香C稀盐酸D氯化锌6. 下面关于虚焊的说法错误的是A虚焊就是假焊B焊料与被焊物的表面没有互相扩散C虚焊主要是由于焊件金属表面不干净和焊剂用量过少造成的D虚焊主要由于烙铁温度不够高和留焊时间太短造成的7. 下面关于镀锡的说法错误的是A上锡B预焊C搪锡D焊件表面处理8. 下列关于焊接说法错误的是A电烙铁烧死是指焊头因氧化而不吃锡的现象B焊接时不能甩动电烙铁，以免锡液伤人C电烙铁的金属外壳必须接地D焊锡膏适用于电子器件的焊接9. 关于手工焊接，下列说法不正确的是A常用的焊锡丝的材料是锡铅合金B焊剂的作用是焊接时去除氧化物并防止金属表面两次氧化C焊接中要避免虚焊和夹生焊现象的发生D焊接时，先用烙铁头加热工件，然后把焊锡丝放在烙铁头上熔化10. 信号发生器的输出幅度每衰减20dB，输出信号的电压值即变为原来的A0.5B0.1C31.6%D111. 信号发生器输出信号时，输出衰减选40dB，当电压表示数值为5V时，则输出为A5VB0.5VC0.05VD50V12. 信号发生器的输出衰减有20dB和40dB，当按下20dB时，输出相对衰减10倍，当按下40dB时，输出相对衰减为A10B100C20D4013. 用示波器观察某标准正弦波的电压波形，若一个周期的距离为4div，示波器的扫描时间选择开关置于50msdiv，且使用了“扩展10”，则该电压的频率是A5HzB20HzC50HzD500Hz14. 要使示波器的显示波形向上移动，应调节旋钮AY轴移位BY轴增幅CX轴移位DX轴增幅15. 要使示波器显示波形亮度适中，应调节旋钮A聚焦B辉度C辅助聚焦DX轴衰减16. 若Y轴输入信号频率为200Hz，要在荧光屏上看到4个完整的波形，则扫描频率范围要置于A10100HzB1kHzC10 kHz D100 kHz17. 用示波器观察一正弦电压的波形，现屏中测出正弦波电压峰峰值为4div，档位为5Vdiv，探头不衰减，则正弦波电压的有效值为A20VB10VC5VD10V18. 下列关于示波器的说法错误的是A调整示波器的辉度钮，光点亮度不能太亮B调节聚焦钮，使示波器的光点成为小圆点，如果不行，可用辅助聚焦钮配合C示波器长期不用时，会导致内部的电解电容器失效D为调整示波器的亮度和清晰度，可以让光点长时间停在屏幕中央19. 使示波器的显示波形稳定，只显示两个完整波形，除调整垂直方向之外，还要调整A扫描范围BX轴衰减C扫描范围和X轴衰减DX轴位移20. 用示波器观察两个正弦信号如图1所示，已知X轴偏转因数置于0.5sdiv，Y轴偏转因数置于0.1Vdiv，则两信号的相位差A30oB90oC60oD45o21. 在P型半导体中A空穴是多数载流子，电子是少数载流子B没有电子C空穴的数量略多于电子D没有空穴22. 二极管两端加上正向电压时A一定导通B超过死区电压才能导通C超过0.7V才导通D超过0.3V才导通23. 在测量二极管反向电阻时，若用两手把管脚捏紧，电阻值将A变大B变小C不变化D无法判断24. 一个硅二极管的正向电压降在0.6V基础上增加10%，它的电流将A增加10%B增加10%以上C基本不变D不变25. 如图2所示，二极管是理想二极管，则电压UAB为A3VB5VC8VD8V26. 如图3所示，VD1、VD2的状态是AVD1导通、VD2截止BVD1截止、VD2导通CVD1、VD2都导通DVD1、VD2都截止27. 晶体二极管内部是由所构成的A一个PN结B两个PN结C两块N型半导体D两块P型半导体28. 当硅二极管加上0.4V的正向电压时，该二极管相当于A很小的电阻B很大的电阻C短路D中值电阻29. 如图4所示，当输入电压Ui12V时，输出电压U0为A12VB2VC5VD0V30. 下列硅二极管中质量最好的是A正向电阻为1k，反向电阻为100 kB正向电阻为50k，反向电阻为100 kC正反向电阻均为无穷大D正向电阻为20k，反向电阻为20k31. 用万用表欧姆挡测量小功率二极管性能好坏时，应把欧姆挡拨到AR100或R1k挡BR1挡CR10挡D任意挡32. 用万用表测得NPN型三极管各电极对地电位是VB4.7V，VC4.3V，VE4V，则该三极管的工作状态是A饱和状态B截止状态C放大状态D无法确定33. 在三极管放大电路中，三极管最高电位的一端是ANPN型管的发射极BPNP型管的发射极CPNP型的集电极D无法确定34. 一只三极管内部包含个PN结A1 B2C3D035. NPN型和PNP型晶体管的区别是A由两种不同的材料硅和锗制成B掺入的杂质不同CP区和N区的位置不同D电流的放大倍数不同36. 三极管各极电位如图所示，工作在放大状态的是37. 3DG6型晶体三极管的PCM100mW，ICM20mA，U（BR）CEO20V，将其接在电路中，IC5mA，UCE10V，则该管A击穿B工作正常C功耗太大，过热甚至烧坏D无法判断38. 在三极管放大电路中，测得某管脚1流进4.6mA的电流，某管脚2流进0.03mA的电流，则该管是ANPN管BPNP管C硅管D锗管39. 晶体管的参数是指A晶体管共发射极直流电流放大倍数B晶体管共发射极交流电流放大倍数C放大电路的电压放大倍数D放大电路的电流放大倍数40. 正常工作在放大电路中的某晶体管各极对地电位分别是9V、6.3V、6V，则该管管脚分别对应为AB、C、EBC、B、ECE、C、BDE、B、C41. 用万用表测得三极管任意两极间的正反向电阻均很小，则该管A两个PN结均开路B两个PN结均击穿C发射结击穿，集电结正常D发射结正常，集电结击穿42. 某PNP型晶体管50，IE2mA，则IC约等于A40AB1.98m A C98 m A D24.5 m A43. NPN型三极管处于放大状态时，各极电位关系是AVCVBVEBVCVBVECVCVEVBDVCVEVB44. 工作于放大状态的三极管在三个电极中，电流最大的是A集电极B基极C发射极D门极45. 三极管放大作用的实质是A三极管把小能量放大成大能量B三极管把小电流放大成大电流C三极管把小电压放大成大电压D三极管用较小的电流控制较大的电流46. 用万用表欧姆挡测量小功率三极管的极性与质量时，应把欧姆挡拨到AR1 BR10 CR100或R1k DR10k 47. 用万用表的红表笔接触三极管的一只管脚，黑表笔接触另两只管脚，测得电阻均较小，则该三极管为ANPN型BPNP型C不能确定D三极管已经损坏48. 焊接电子元件时，焊点表面粗糙不光滑，是因为A电烙铁功率太大或焊接时间过长B电烙铁功率太小或焊丝撤离过早C焊剂太多造成的D焊剂太少造成的49. 关于钎焊，下列说法正确的是A100W且带弯烙铁头的电烙铁应采用正握法B松香酒精溶液焊剂中，松香占67%，酒精占23%C被焊件达到一定温度后，应将焊锡丝放在烙铁头上熔化浸润焊点D焊锡全部浸润焊点后，应及时以25o角移开电烙铁50. 下列关于夹生焊的说法错误的是A虚焊和夹生焊是两种不同的现象B夹生焊是指CD51. 关于普通晶闸管结构，说法正确的是A4层3端半导体，有2个PN结B4层2端半导体，有3个PN结C4层3端半导体，有3个PN结D4层2端半导体，有2个PN结52. 晶闸管关断的三个条件中，关断的逻辑关系是A与B或C与非D或非53. 晶闸管关断的条件是A加反向控制极电压B去掉控制极电压C阳极加反向电压或降低正向阳极电压，使流过晶闸管的电流小于维持电流IHD以上说法都不对54. 晶闸管导通的两个条件中，导通时阳极和门极加正极性电压的逻辑关系A与B或C与非D或非55. 对螺栓式结构的晶闸管来说，螺栓是晶闸管的A阳极B阴极C门极D栅极56. 晶闸管控制极的作用是A只要控制极加正的触发脉冲，就能使晶闸管导通B只要在晶闸管存在阳极电压的同时，控制极加上足够功率的正脉冲，就可以使晶闸管导通，导通之后控制极就失去作用C控制极加负电压，可以使晶闸管关断D以上说法都不对57. 晶闸管是用来的电子元件A电流放大B电压放大C弱电控制强电D强电控制弱电58. 晶闸管导通后，流过晶闸管的电流取决于A晶闸管的管压降B晶闸管的额定电流C控制极电压D阳极电压和负载阻抗59. 用万用表R10挡，判别晶闸管的极性，黑表笔固定一只管脚，红表笔分别接另外两只管脚，当出现正向导通时A黑表笔接控制极B黑表笔接阴极C红表笔接控制极D红表笔接阳极60. 用万用表测试小功率晶闸管的极性时，某两个电极之间的正反向电阻相差不大，说明这两个电极是A阳极和门极B阴极和门极C阳极和阴极D无法确定61. 用于整流的二极管是A2AK4B2CW20AC2CZ14FD2AP962. 三极管极间电流满足ICIB关系时，三极管一定工作在A饱和区B截止区C放大区D击穿区63. 晶体管作开关使用时，是工作在其A放大区B饱和区C截止区D饱和区和截止区64. 大功率三极管的外壳往往做三极管的使用A基极B集电极C发射极D三个电极都可能65. 放大电路中某晶体管极间电压如图5所示，则该管类型及1、2、3极分别为ANPN型硅管，E、C、BBNPN型硅管，B、C、ECPNP型硅管，E、C、BDPNP型硅管，B、C、E66. XD7型低频信号发生器面板上用来选择输出信号频率范围的调节旋钮是A频率旋钮B波段旋钮C阻抗衰减旋钮D电压调节旋钮67. 关于示波器的说法正确的是A顺时针转动“辉度旋钮”，辉度变亮；反之减弱直至消失B第二阳极与第一阳极、控制栅极相比处于正电位，可实现辉度调节C控制栅极是顶端有孔的圆筒，套装在阴极之外，其电位比阴极电位高D“扩展拉10”按下时X轴扫描速度扩大10倍68. 在输入信号频率较高时实现双踪显示应选择的显示方式A断续BYAYBCYA或YBD交替69. 某一正弦交流电压在示波器上所显示的波形峰峰值为4div，此时示波器的输入灵敏度开关置于0.5Vdiv，被测信号经探极101接入，则该交流电的有效值为A10VB7.07VC14.14VD0.2V70. 2DW47是AP型锗材料稳压二极管BN型锗材料稳压二极管CN型锗材料普通二极管DP型硅材料稳压二极管71. 如图6所示晶体管测试电路中，合上开关S1、S2后，电压表读数为1.5V，毫安表没有指示，可能是下面原因的那一种A集电极内部开路B发射极内部开路CB、E间已击穿D发射结已击穿72. 测得晶体管电路三个电位如图7所示，其中二极管、三极管均为硅管，则晶体管的工作状态为A饱和B放大C截止D无法确定73. 3AX31是三极管ANPN型锗材料、高频小功率BNPN型锗材料、低频小功率CPNP型锗材料、低频小功率DPNP型硅材料、低频小功率74. 实践中判断三极管是否饱和、截止，最简单可靠的方法是测量AIBBICCUBEDUCE75. 关于穿透电流ICEO，下列说法正确的是AICEO是指发射极开路时，集电极和基极之间的反向电流BICEO越小，管子性能越稳定C硅管穿透电流比锗管大，因此硅管比锗管稳定性差DICEO随温度的升高而减小76. 晶闸管作为变流技术理想的可控开关元件，原因之一是其导通后的管压降很小，一般在A0.7V以下B0.4V以下C1V以下D0.3V以下77. 关于普通晶闸管和普通二极管的不同，说法正确的是A晶闸管具有单向可控导电性，二极管不具备B二极管有一个PN结，晶闸管有三个PN结C二极管有阳极、阴极两个电极，晶闸管有阳极、阴极和控制极D以上三种说法都正确78. 如图8所示，S1、S2闭合时，白炽灯正常发光；当S2断开时，白炽灯将A变亮B亮度不变C变暗D熄灭79. 用万用表判别普通晶闸管管脚极性时应选用挡AR1BR10CR100或R1kDR10k80. 由于晶闸管的过载能力有限，在选用时至少要考虑倍的电流裕量A12B1.52C1.82.5D33.581. 选取普通晶闸管额定电压的依据是A正向重复峰值电压B反向重复峰值电压C正向重复峰值电压和反向重复峰值电压二者中较小者D击穿电压82. 在晶闸管标准散热和全导通时，允许通过的工频最大阳极电流为A半波电流的峰值B半波电流的平均值C半波电流的有效值D全波电流的平均值83. 当晶闸管导通后，可以维持导通状态，是因为管子本身存在A放大作用B正反馈作用C负反馈作用D开关作用84. 要使导通的普通晶闸管关断，必须使其阳极电流减小到低于A额定电流B擎住电流C阳极电流D维持电流85. 在电路中，晶闸管承受的正反向峰值电压值为311V，为安全起见，晶闸管应选择AKP203BKP4004CKP7003DKP207卷（非选择题）姓名：考号：二、 分析题1. 用示波器测量正弦电压如图所示，已知“tdiv”置于“5msdiv”，X轴扩展（K10），“Vdiv”置于“1.5Vdiv”，则被测电压的周期、振幅、峰峰值、有效值分别为多少？2. 用示波器观察到某负载电压、电流的波形如图所示，垂直偏转因数为2Vdiv，水平偏转因数为1msdiv，探头衰减倍数为101，请说明该电压的峰值、周期、该负载的性质。3. 用示波器观察输入电压波形，时间灵敏度旋钮置于“5msdiv”，电压灵敏度旋钮置于“5Vdiv”，观察到的波形如图所示，调节哪些旋钮才能使示波器荧光屏上的波形达到如下要求：波形清晰；亮度适中；幅度适中；波形在荧光屏中央；若要在荧光屏上全屏显示5个完整的波形，时间灵敏度应为多少？4. 某同学用仿真软件EWB5观察电阻和电感两端