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文档简介

设计规则N-well,设计规则active,设计规则active,设计规则active,设计规则poly,设计规则poly,设计规则Select,设计规则Select,设计规则Select,设计规则Polycontact,定义为金属1与多晶硅的所有连接！,设计规则Activecontact,定义为金属1与有源区的所有连接,设计规则metal1,设计规则Via,定义为两层金属之间的连接孔,设计规则Via,设计规则metal2,可用于电源线、地线、总线、时钟线及各种低阻连接,设计规则总结：大绘图层对小绘图层的最小围绕，例如：阱对有源区的最小围绕；n_select/p_select对有源区的最小围绕；n_select/p_select对有源区接触孔的最小围绕；有源区对有源区接触孔的最小围绕；多晶硅对多晶硅接触孔的最小围绕；金属1对有源区接触孔的最小围绕；金属1对多晶硅接触孔的最小围绕；金属对通孔的最小围绕。,绘图层的最小宽度，例如：阱的最小宽度；有源区最小宽度；多晶硅最小宽度；n_select/p_select最小宽度；多晶硅接触孔最小宽度；有源区接触孔最小宽度；金属1最小宽度；金属2最小宽度；通孔最小宽度。,绘图层与绘图层的最小间距，例如：阱跟阱的最小间距；有源区最小间距；阱跟阱外有源区最小间距；多晶硅最小间距；n_select/p_select最小间距；有源区接触孔最小间距；多晶硅接触孔最小间距；有源区接触孔与栅最小间距；金属1最小间距；通孔间距。等等,练习：用该设计规则，分别设计NMOS管和PMOS管的版图，并组装成CMOS反相器的版图。要求：1、版图面积最小2、NMOS管和PMOS的沟道宽度均为22,NMOS晶体管：多晶硅：2*26有源区：13*22N-select：17*26有源区接触孔：2*2NMOS晶体管衬底：有源区接触孔：2*2有源区：5*5P-select：9*9,PMOS晶体管：多晶硅：2*26有源区：13*22P-select：17*26N-well：23*32有源区接触孔：2*2PMOS晶体管衬底：有源区接触孔：2*2有源区：5*5P-select：9*9
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