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文档简介
真空培训教材编写:潘家荣 大部分半导体设备在真空状态下工作,因此,对从事半导体设备维修的设备人员来说,了解真空尤为重要,下文主要介绍一些真空方面的知识。一, 真空的概念 1, 什么是真空呢?一句话,就是当容器里的气压低于标准大气压时,即为真空现象。其标准的定义为: 在标准温度和压力下,当一升容积的容器里的气体分子数少于2.71022个时,就 产生了真空现象。2, 真空度密封容器里气体稀薄的程度。3, 真空度的几个常见单位Torr . mTorr . mbar . Pascals . PSI 等1ATM = 760 Torr = 14.7 PSI = 1013 mbar1Torr = 1000 mTorr1mbar = 100 Pascals具体看下表。4, 真空区域的划分 粗真空 760 10 Torr 低真空 10 10-3 Torr 高真空 10-3 10-8 Torr 超高真空 10-8 10-12 Torr 极高真空 10-12 Torr5, 高度与真空的关系一般认为,宇宙中的真空度为 极限真空。因此,高度与真空便有了对应关系。 50000 feet (15000米) = 100 Torr 300000 feet (90000 米) = 10-3 Torr (1 mTorr) (粗真空 ) 750000 feet (230000 米) = 10-6 Torr (高真空 ) 2000000 feet (600000 米) = 10-8 Torr (超高真空) 13000000 feet (4000000 米) 10-12 Torr (极高真空)二, 真空在半导体工业中的应用 随着半导体工业的发展,电路的集成度越来越高,线条越来越细,光刻的次数也越来 越多,生产中使用的真空设备也越来越多。 1, 分立器件工艺,所做电路比较简单,线条一般比较宽,线间距较宽,粉尘及杂质 气体对其影响较小,基本不用真空设备。2, 双极电路工艺,稍微复杂一些,线条也相对较细,线间距稍细,粉尘及杂质气体 的影响开始显现,所以,关键工序都使用了真空设备。3, MOS电路工艺,基本是目前最复杂的电路,线宽一般在1之下,线间距很 细,粉尘及杂质的影响很大,因此,除光刻之外,大部分使用了真空设备。 线宽 从十几个变化到1之下,真空在工艺中的重要作用,从下面的资料可见一斑:1, 在10-6Torr压力下,以每秒100层单分子层的速度淀积,污染气体同时也会在此 表面形成,杂质的最终淀积比例大约为1。2, 在10-5Torr压力下,以同样的速度进行的淀积,杂质的最终淀积比例大约为 10。3, 在10-4Torr压力下,以同样的速度进行的淀积,最终的产品带入的杂质大约为50。 真空在半导体工业中的主要应用如下:1, 增加主自由通道的安全性。(注入机)2, 减少反应腔体内的反应气体的密度。(P5K CVD,ETCH,LPCVD炉管)3, 减少分子碰撞的频率。(注入,渐射)4, 可以产生等离子体。(ETCH,P5K CVD,渐射)三, 实现真空的方法 真空泵依据可以实现真空的能力分为高真空泵和低真空泵: 低真空泵:1,真空油泵 2,干泵 3,吸附泵 高真空泵:1,分子泵 2,冷凝泵 3,扩散泵 4,钛泵: a, 热钛泵 b, 冷钛泵名词解释: 本底真空 能满足设备正常工作所需的最低真空。 漏率 设备腔体到达本底真空后,停止抽气,大气通过腔体的缺陷向 真空空间漏气的速度。 抽速 在一定温度和压力下,单位时间内,泵从被抽腔体抽走的气体 体积称作抽速。 极限真空 真空泵的入口端,经过充分抽气后,所能达到的稳定的最低压 强,称极限压强或极限真空。油泵的抽速: z n L S几= KV (D2 d2 )(升/秒) 24104 S几 泵的几何抽速,由泵的几何参数决定的抽速值; Z 旋片的数目; n 泵的转速,转/分; D 泵腔的直径,厘米; d 转子直径,厘米; L 泵腔的深度,厘米; KV 泵腔的容积利用系数。它表示吸气终止时吸气空间容积与泵腔几何 容气腔容积之比。分子泵的抽速: Smax = (RT/2M)1/2 F W R 气体常数; T 绝对温度; M 气体分子量; F 叶片通导面积,cm2; W 何氏系数。扩散泵的抽速: S = 1/4 c A c 分子的平均速度; 气体分子扩散到蒸汽中的全部扩散面积。冷凝泵的抽速:(单位面积) /av/4 f/(1f) S S 1/A 单位面积抽速; F 粘着系数; V1av 分子平均速度。四, 气体沿导管的流动1, 在高压强下气体沿导管的流动 气体尊守理想气体的基本定律,单位时间内流过道管的克分子数: d/dt = (P21P22) d4 / RT 256L 内摩擦系数; L 管长; d 管经; P1,P2 管两端的压强;2, 低压强下气体沿管道的流动 低压强下气体的流动规律与高压强下完全有别,单位时间内流过导管任意截面积的 气体流量 Q = PV = MRT/ = ( P1 P2)/W = U(P1 P2) 该公式完全象闭环电路的电路公式,因此,我们称:W为导管的流阻,U为导管的流 导,(P1 P2)为导管的压差,有: W = 1/U = (P1 P2)/Q 可以推导出: S0 = U /(1U/S泵) S0 容器出口处的抽速; S泵 泵的抽速。1, 当U S泵时,则S0 U 即容器
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