第三讲HSPICE.ppt

1,第三讲HSPICE网表的语法(续),2,纲要,3,电路描述语句,元件描述语句激励源描述语句子电路描述语句模型描述语句(.MODEL语句)库文件调用及定义语句(.LIB语句),4,有源器件,晶体二极管(D)双极型晶体三极管(Q)结型场效应管JFET或金属半导体场效应管MESFET(J)MOS场效应管(M),5,双极型晶体三极管(1),决定三极管性能的因素：三极管面积：决定电流，电容，寄生电阻等掺杂浓度及材料：导通电压等温度：影响电流，势垒电容等,6,晶体二极管一般形式(回忆),一般形式:DXXXnplusnminusmname+注释：1：元件名称2：节点3：模型名称4参数值4a：几何参数；4b：初始值设定；4c：温度设定,1,2,3,4a,4a,4b,4c,4a,7,双极型晶体三极管(2),一般形式:QXXXncnbnemname+注释：QXXX：三极管元件名，必须以Q开头，后面最多跟15个字符。nc/nb/ne/ns:三极管的集电极、基极、发射极以及基底节点mname:三极管模型名,8,双极型晶体三极管(3),一般形式:QXXXncnbnemname+注释(续)：avalue：三极管面积。也可以用areaA=?、areaB=?以及areaC=?来定义。其中areaA,areaB以及areaC分别为发射区，基区，集电区的面积倍增因子。缺省值为1.,9,双极型晶体三极管(4),一般形式:QXXXncnbnemname+注释(续)：OFF：规定在进行直流分析时忽略初始条件，缺省值为ON。IC:瞬态分析的初始条件两种表达方式。M:多重三极管模拟时的倍增因子，缺省值为1DTEMP:元件温度与电路温度直接的差额，缺省值0,10,双极型晶体三极管(5),一般形式:QXXXncnbnemname+例子：Q11CXBXEXQPNPAREAA=1.5AREAB=2.5AREAC=3.0Q22101812QMODIC=0.5,5.0Q3311265420MOD,11,有源器件,晶体二极管(D)双极型晶体三极管(Q)结型场效应管JFET或金属半导体场效应管MESFET(J)MOS场效应管(M),12,结型场效应管JFET或MESFET(1),决定JFET性能的因素：面积：决定电流，电容，寄生电阻等掺杂浓度及材料：导通电压等温度：影响电流，势垒电容等,MESFET：将金属半导体接触势垒(肖特基势垒)代替了PN结作为栅极,13,结型场效应管JFET或MESFET(2),一般形式:JXXXndngnsmname+|W=valL=val+注释：JXXX：元件名，必须以J开头，后面最多跟15个字符。nd/ng/ns/nb:漏极、栅极、源极以及基底节点mname:管模型名,14,结型场效应管JFET或MESFET(3),一般形式:JXXXndngnsmname+；W=valL=val+注释(续)：AREA：面积倍增因子。可以用AREA=?或者直接?来表示。或者用栅极宽W和栅极长L代替。缺省值为1.,15,结型场效应管JFET或MESFET(4),一般形式:JXXXndngnsmname+|W=valL=val+注释(续)：OFF：规定在进行直流分析时忽略初始条件，缺省值为ON。IC:瞬态分析的初始条件，两种表达方式。M:多重管模拟时的倍增因子，缺省值为1DTEMP:元件温度与电路温度直接的差额，缺省值0,16,结型场效应管JFET或MESFET(5),一般形式:JXXXndngnsmname+|W=valL=val+例子：J11DXGXSXJM1AREA=1.5J22101812JMODIC=0.5,5.0J33112654MODOFF,17,有源器件,晶体二极管(D)双极型晶体三极管(Q)结型场效应管JFET或金属半导体场效应管MESFET(J)MOS场效应管(M),18,MOS场效应管(1),决定JFET性能的因素：面积：决定电流，电容，寄生电阻等掺杂浓度及材料：导通电压等温度：影响电流，势垒电容等,19,MOS场效应管(2),一般形式:MXXXndngnsnbmname+注释：MXXX：元件名，必须以M开头，后面最多跟15个字符。nd/ng/ns/nb:漏极、栅极、源极以及基底节点mname:管模型名,20,MOS场效应管(3),一般形式:MXXXndngnsnbmname+注释(续)：L/W：沟道长度和宽度；AD/AS：漏扩散区和源扩散区的面积；PD/PS：漏结和源结的周长,21,MOS场效应管(4),一般形式:MXXXndngnsnbmname+注释(续)：NRD/NRS：用以计算漏、源极寄生串联电阻的漏扩散区等效方块数RDC/RSC：漏极、源极与连线的接触电阻,22,MOS场效应管(5),一般形式:MXXXndngnsnbmname+注释(续)：OFF：规定在进行直流分析时忽略初始条件，缺省值为ON。IC:瞬态分析的初始条件。M:多重管模拟时的倍增因子，缺省值为1DTEMP:元件温度与电路温度直接的差额，缺省值0,23,MOS场效应管(6),一般形式:MXXXndngnsnbmname+例子：M11DGSBMM1M221018121MODML=0.5W=2U(0.5U2U)M331126541MODOFF10U5U2P2P,24,课堂小结,有源器件包括：二极管D，三极管Q，结型场效应管J，以及MOS管M描述方法：元件名，节点名，模型名，几何参数，初始值设定，温度设定,25,休息一会儿,26,电路描述语句,元件描述语句激励源描述语句子电路描述语句模型描述语句(.MODEL语句)库文件调用及定义语句(.LIB语句),27,激励源,独立源独立电压源(V)和独立电流源(I)源控源电压控制电压源(E)电流控制电流源(F)电压控制电流源(G)电流控制电压源(H),28,直流源,一般形式:VXXXn+n-valueIXXXn+n-value例子：V1120DC=5VV11205VI1130DC3mAI11303mA,29,交流源,一般形式:VXXXn+n-ACIXXXn+n-AC例子：V1120AC=10V90V1120AC10V90I1130AC=3mA0I1130AC3mA,30,脉冲源,一般形式:VXXXn+n-PULSE(V0Vatdtrtfpwper)IXXXn+n-PULSE(I0Iatdtrtfpwper),例子：VIN30PULSE-112ns2ns2ns50ns100ns,31,正弦源,一般形式:VXXXn+n-SINV0VaIXXXn+n-SINI0Ia,例子：VIN30SIN01.8500MEG1ns1e100表达式：,注释：V0：初始值Va：峰值freq：频率td：延迟时间：阻尼因子：相位,32,指数源,一般形式:VXXXn+n-EXPV0VaIXXXn+n-EXPI0Ia,例子：VIN30EXP042ns30ns60ns40ns,注释：V0：初始值(V0Va,先下降后上升)td1：下降(上升)延迟时间t1：下降(上升)时间常数td2：上升(下降)延迟时间t2：上升(下降)时间常数,33,分段线性源,一般形式:VXXXn+n-PWLt1V1IXXXn+n-PWLt1I1,例子：VIN30PWL60n0V80n5V120n5V140n0V+160n0V180n5VR300n,注释：tnVn/In：时间电压/电流对R：是否周期重复td：重复时延迟时间,34,单频调频源,一般形式:VXXXn+n-SFFMV0VaIXXXn+n-SFFMI0Ia,例子：VIN30SFFM0.01V0.4V100MEG0.320K表达式：,注释：V0/I0：电压/电流初始值Va/Ia：电压/电流峰值fc/fs：载频/调频mdi：调制指数,35,单频调幅源,一般形式:VXXXn+n-AMsaocfmfctdIXXX