DDR原理简介及相关测试ppt课件

.,1,学习报告,一、DDR2简介二、DDREA量测,.,2,一DDR原理简介,DDRSDRAM全称为DoubleDataRateSDRAM，中文名为“双倍数据流SDRAM”。DDRSDRAM在原有的SDRAM的基础上改进而来。下图即为简单的DDR的数据传递方式。,.,3,InputandoutputfunctiondescriptionDDR2,.,4,InputandoutputfunctiondescriptionDDR2,.,5,Bank：Bank表示一个存储阵列。在对一个存储单元进行寻址的时候，首先制定一个行地址，再制定一个列地址然后对其进行读写操作。Page:对于Bank里面的每一行的存储单元的总和即叫做Page。,COLBITS:thenumberofcolumnaddressbitsORG:thenumberofI/O(DQ)bits,.,6,在DDR2初始化时候首先需要进行MRS(ModeRegisterSet)以及EMRS(ExtendedModeRegisterSet)的配置。其中MRS主要是对CASlatency,burstlength,burstsequence,testmode,DLLreset,WRandvariousvendorspecificoptions实现DDR2的各种应用。EMRS主要是对DLLdisablefunction,driverimpedance,additiveCASlatency,ODT(OnDieTermination),single-endedstrobe,andOCD(offchipdriverimpedanceadjustment)。,.,7,CASLatency:CAS潜伏期。CAS为列地址选通脉冲，在列地址确定之后就可以传输数据，但是仍需要经过一段时间才会有数据发出，这段间隔的时间即为CAS潜伏期，简写为CL。AdditiveLatency:简称AL。在RAS命令之后会立即执行CAS命令，CAS命令发出到被设备执行的时间则成为AL。延时参数越小，内存运行速度越快，但是有的内存不能运行较低的延时，可能会丢失数据RL：ReadLatencyWL:WriteLatency.RL=AL+CL.WL=RL-1,.,8,BurstLength:突发长度。简称为BL，Burst模式是数据连续传输的方式，连续传输周期的数量就是突发长度BL。,.,9,DM(DATAMask)即为数据屏蔽。前面所提的数据传输的突发长度，如果连续写入数据其中有不需要的数据，就是通过DM信号来对其进行屏蔽。1个DM信号对应8个数据位(DQ)，当DM为高电平时，则同一DQS/DQS#触发的数据被屏蔽。,.,10,Prechargeoperation:预充电操作。预充电就是在对某一行进行完读写操作后，要对另一行进行寻址，就需要将原来的有效行关闭，重新发送行列地址，因此precharge命令就是关闭现有的工作行并开始新的行操作。Precharge命令在Clock的上升沿被触发，条件为CS,RASandWEareLOWandCASisHIGH。Precharge可以对一个Bank进行操作或者对所有的Bank进行同步操作，具体的设定通过A10,BA0,BA1,BA2来实现,.,11,从Read到Precharge命令的最小时间为AL+BL/2+max(RTP,2)-2CLKPrecharge命令必须在tRAS满足之后才能执行。同时read到precharge的最小时间还需要满足=tRTP。tRTP:在Read命令后，从Clock的上升沿到最后的四位预读取的时间就是tRTP(ReadtoPrecharge)tRAS:DDR行有效至有效预充电的最短时间叫做tRAS.tRP:在发出Precharege命令之后还需要经过一段时间才允许发送RAS行有效命令打开新的工作行，这段时间被称为tRP。tRP越小，DDR运行速度越快。从Write到Precharge命令的最小时间为WL+BL/2+tWR在DDR进行写的时候，从Burstwrite完成到Precharge命令执行的时间被称为tWR,Prechargeoperation,.,12,Prechargeoperation,ReadtoPrecharge,WritetoPrecharge,.,13,AutoPrechargeoperation,当A10设定为高的情况下，AutoPrechargeoperation被使能。当Read命令后，在大于tRAS和tRTP被满足的条件下，在Read命令AL+BL/2的周期的CLK的边沿触发时出开始进行AutoPrecharge。当Write命令后，在大于tWR满足的情况下，在CLK的边沿触发时开始AutoPrecharge,.,14,ODTOnDieTermination,OnDieTermination功能即可以对DQ,DQS/DQS,RDQS/RDQS,andDM的终端电阻进行开关，可以改善信号完整性。ODT通过EMRS来进行控制,.,15,Refreshoperation,当CLK的边沿触发到CS,RASandCASLOWandWEHIGH，Chip开始进入Refreshoperation，在Refresh之前所有的Bank都必须被预充电，从预充电命令到Refresh命令执行的时间必须大于tRP。从一个refresh命令到另一个refresh命令的时间要大于tRFC(Refresh周期)，,.,16,SelfRefreshoperation,SelfRefreshCommand(SRC)可以在其他的系统关闭电源的情况下保持DDR中的数据，且此时也不需要外部时钟。CS,RAS,CASandCKE保持LOWwith，WEHIGH时在CLK的边沿触发SRC，此时ODT必须关闭.在进入SelfRefresh模式后，除了CKE信号其他信号都不需要关注，但是电源必须稳定。在推迟SelfRefresh模式之前必须保证外部时钟已经稳定,.,17,二DDREA量测,RecommendedDCoperationconditions,DDR3,DDR2,.,18,ACandDCinputLogiclevelforsingle-endedsignals-DDR2,.,19,ACandDCinputLogiclevelforsingle-endedsignals/DifferentialsignalsDDR3,.,20,VIH(AC),VIH(DC),VIL(AC)andVIL(DC)都受Vref的影响，Vref也有AC/DC之分，对于VIH(AC),VIH(DC),VIL(AC)andVIL(DC)计算式中的Vref应该被理解为Vref(DC).如下图所示。,.,21,DifferentialCrosspointvoltage-DDR2,Crosspointvoltage是指CLK/CL#DQS/DQS#交叉点处的电压值，实际的测试值到VDD/2处的值标示为Vix(inputsignal)/Vox(outputsignal).CLK/CLK#,DQS/DQS#,LDQSLDQS#,UDQSUDQS#的Vix,Vid须满足如下SPEC的要求,.,22,DifferentialCrosspointvoltage-DDR3,Crosspointvoltage是指CLK/CL#DQS/DQS#交叉点处的电压值，实际的测试值到VDD/2处的值标示为Vix.如下图所示。CLK/CLK#和DQS/DQS#的Vix必须满足SPEC的要求,.,23,SetuptimeandHolduptime,Setuptime:接收端需要数据提前于时钟沿稳定存在的时间Holdtime:数据信号在被时钟触发后保持的时间,定义：Addressandcontrolsetuptime(tIS)Addressandcontrolholdtime(tIH)DataandDMsetuptime(tDS)DataandDMholdtime(tDH),.,24,SetuptimeandHolduptimeSPECforDDR2,注：tIS(base),tIH(base)的值为当CLK/CLK#的Diffslewrate为2V/ns,adress/CMD的slewrate为1V/ns的时候的基本值tDS(base),tDH(base)的值为当DQS/DQS#的Diffslewrate为2V/ns,DQ的single-endslewrate为1V/ns的时候的基本值,.,25,SetuptimeandHolduptimederatingvaluesforDDR2,对于实际的setuptime和holdtime参照的SPEC的值因如右边公式,其中的derating值应按照实际量测的slewrate值从下表查出,.,26,SetuptimeandHolduptimeSPECforDDR3,注：tIS(base),tIH(base)的值为当CLK/CLK#的Diffslewrate为2V/ns,adress/CMD的slewrate为1V/ns的时候的基本值tDS(base),tDH(base)的值为当DQS/DQS#的Diffslewrate为2V/ns,DQ的single-endslewrate为1V/ns的时候的基本值,.,27,SetuptimeandHolduptimederatingvaluesforDDR3,对于实际的setuptime和holdtime参照的SPEC的值因如右边公式,其中的derating值应按照实际量测的slewrate值从下表查出,.,28,Single-endedsignalsSlewrate,Slewrate即为信号上升和下降时的斜率值。,S