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文档简介

数字电子技术DigitalElectronicsTechnology,第七章半导体存储器,许昌学院电子技术课程组（数字部分）,主要内容：7.1概述7.2只读存储器7.3随机存储器7.4存储容量的扩展7.5用存储器实现组合逻辑函数,教学内容及教学要求,1.掌握ROM、RAM相关概念、分类、特点2.掌握RAM的扩展方式3.熟悉RAM的结构和操作过程,一.重点掌握的内容：,二.一般掌握的内容：,1.了解二极管、晶体管ROM的基本结构和存储单元结构；2.会用ROM实现组合逻辑函数。,7.1概述,半导体存储器是一种能存储大量二值信息的半导体器件。,7.2只读存储器（ROM),优点：电路结构简单，断电后数据不丢失，具有非易失性。,缺点：只适用于存储固定数据的场合。,电路结构,ReadOnlyMemory,只读存储器分类：,掩膜ROM：出厂后内部存储的数据不能改动，只能读出。,PROM：可编程，只能写一次。,EPROM:用紫外线擦除，擦除和编程时间较慢，次数也不宜多。,E2PROM:电信号擦除，擦除和写入时需要加高电压脉冲，擦、写时间仍较长。,快闪存储器(FlashMemory)：吸收了EPROM结构简单，编程可靠的优点，又保留了E2PROM用隧道效应擦除的快捷特性，集成度可作得很高。,.,例12位地址输入，4位地址输出，二极管存储器如图所示。,.,例2MOS管ROM结构如图所示数据表为,.,熔丝型PROM存储单元的原理图如图所示。没使用前，全部数据为1要存入0：找到要输入0的单元地址，输入地址代码，使相应字线输出高电平在相应位线上加高电压脉冲，使DZ导通，大电流使熔断丝熔断,7.3随机存储器（RAM),优点：读、写方便,使用灵活。,缺点：一旦停电所存储的数据将随之丢失（易失性）。,基本结构：地址译码器、存储矩阵和读写控制电路构成。,P368图7.3.2,作业：7.17.2,.,1静态随机存储器SRAM,电路结构SRAM主要由存储矩阵、地址译码器和读/写控制电路三部分组成,.,2114RAM（10244位）的结构框图,.,2.动态随机存储器(DRAM),动态RAM的存储矩阵由动态MOS存储单元组成,下图是单管动态MOS存储单元，它只有一个NMOS管和存储电容器CS,CO是位线上的分布电容(COCS)。,7.4存储容量的扩展,存储容量字数位数,存储容量22444,位扩展,8片10241位RAM接成10248位的RAM。,字扩展,4片2568位的RAM接成10248位的RAM。,7.5用存储器实现组合逻辑函数,例7.
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