第3章-半导体三极管放大电路(2+5)改.ppt

第三章半导体三极管及放大电路基础,返回,第三章半导体三极管及放大电路基础,对你的期望：,（1）掌握三极管工作原理，输入及输出特性；,（2）熟悉放大、饱和、截止三种工作状态及特点；,（3）了解三极管主要参数及其物理意义；,（4）掌握放大电路组成、原理及分析方法；,（5）熟悉放大电路三种基本组态；,第三章半导体三极管及放大电路基础,3.1半导体三极管,3.2共射极放大电路,3.3放大电路的分析方法,3.4放大电路工作点稳定问题,3.5共集电极放大电路与共基极放大电路,3.7多级放大电路,3.6差分放大电路,3.1半导体三极管,3.1.1基本结构及符号,基极,发射极,集电极,NPN型,B,E,C,符号：,NPN型三极管,PNP型三极管,基区：最薄，掺杂浓度最低,发射区：掺杂浓度最高,发射结,集电结,结构特点：,集电区：面积最大,3.1.2电流分配和放大原理,1.三极管放大的外部条件,发射结正偏、集电结反偏,PNP发射结正偏VBVB,实验线路,2.各电极电流关系及电流放大作用,结论:,1）三电极电流关系IE=IB+IC2）ICIB，ICIE,静态(直流)电流放大系数:,动态(交流)电流放大系数:,把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。实质:用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化，是CCCS器件。,3)当IB=0(基极开路)时,IC=ICEO,很小接近于。,4)要使晶体管起电流放大作用，发射极必须正向偏置，集电极必须反偏。,共集电极：集电极作为公共端，用CC表示；,共发射极：发射极作为公共端，用CE表示。,共基极：基极作为公共端，用CB表示。,3、三极管三种组态,3.1.3特性曲线,即管子各电极电压与电流的关系曲线，是管子内部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能，是分析放大电路的依据。,为什么要研究特性曲线：1）直观地分析管子的工作状态2）合理地选择偏置电路的参数，设计性能良好的电路,重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线,发射极是输入回路、输出回路的公共端,共发射极电路,输入回路,输出回路,测量晶体管特性的实验线路,1.输入特性,特点:非线性,死区电压：硅管0.5V，锗管0.1V。,正常工作时发射结电压：NPN型硅管UBE0.60.7VPNP型锗管UBE0.20.3V,2.输出特性,IB=0,20A,放大区,输出特性曲线通常分三个工作区：,(1)放大区,放大区曲线基本平行部分条件：发射结正偏，集电结反偏。特点：VCE较大iC=iB,饱和区,（2）饱和区,条件：发射结正偏，集电结正偏（或零偏）。,（2）截止区,IB=0以下区域为截止区，有IC0。,在截止区发射结处于反向偏置，集电结处于反向偏置，晶体管工作于截止状态。,截止区,ICEO,BJT能实现电流控制作用及放大作用。,双极型性器件：两种载流子（自由电子、空穴）参与导电。,结论：,NPN、PNP型三极管分别处于放大区时，其三个极电位有何关系？,思考题1,测量BJT三个电极对地电位如图所示，试判断BJT的工作区域？,放大,截止,饱和,思考题2,3.1.4主要参数,1.电流放大系数，,直流电流放大系数,交流电流放大系数,当晶体管接成发射极电路时，,表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数，晶体管的参数也是设计电路、选用晶体管的依据。,注意：,和的含义不同，但在特性曲线近于平行等距并且ICE0较小的情况下，两者数值接近。,常用晶体管的值在20200之间。,例：在UCE=6V时，在Q1点IB=40A,IC=1.5mA；在Q2点IB=60A,IC=2.3mA。,在以后的计算中，一般作近似处理：=。,Q1,Q2,在Q1点，有,由Q1和Q2点，得,二、极间反向电流,(1)集-基极反向截止电流ICBO,ICBO是由少数载流子的漂移运动所形成的电流，受温度的影响大。温度ICBO,(2)集-射极反向截止电流(穿透电流)ICEO,ICEO受温度的影响大。温度ICEO，所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。,三、极限参数：,1集电极最大允许电流ICM,过流区,ICICM时，管子性能将显著下降，甚至会损坏三极管。,2集电极最大允许损耗PCM,集电结上允许损耗功率最大值。PCMICVCE,3反向击穿电压：,V(BR)CEOb开路时c、e间的击穿电压,安全工作区,3.1.5温度对晶体管参数的影响,2.对VBE的影响：,3.对的影响：,1.对ICBO的影响：,1、BJT必须工作在安全工作区,2、要依使用要求：小功率还是大功率，低频还是高频，值大小等要求,3、注意对应型号选用。,4、要特别注意温度对三极管的影响。,3.1.6三极管的选择及注意事项,例：,思考题,1、可否用两个二极管背靠背地相联以构成一个BJT？,2、BJT符号中的箭头方向代表什么？,3、能否将BJT的e、c两电极交换使用？,4、要使BJT具有放大作用，Je和Jc的偏置电压应如何连接？,5、如何判断BJT的三种组态？,6、有哪几个参数确定BJT的安全工作区,第三章半导体三极管及放大电路基础,3.2共射极放大电路,3.3放大电路的分析方法,3.4放大电路工作点稳定问题,3.5共集电极放大电路与共基极放大电路,3.7多级放大电路,3.1半导体三极管,3.6差分放大电路,3.2.1放大电路基本知识（参考教材P719）,一、放大电路基本任务：,将微弱信号增强至所要求数值且保持不失真或失真尽量小。输出电压或电流在幅度上得到了放大，输出信号的能量得到了加强。,3.2基本共射极放大电路,包括：电压放大电路、功率放大电路等。,扩音机示意图,二、放大等效电路形式：,输入端等效为输入电阻。,输出端根据不同情况等效为不同电路形式。,三、放大电路主要技术指标：,1放大倍数（增益）：,电压放大倍数（电压增益）：,反映放大电路在输入信号控制下，将电源能量转换为输出信号能量的能力,2输入电阻Ri,ri越大越好。ri越大，ii就越小，ui就越接近uS,3输出电阻Ro表明放大电路带负载的能力。Ro大，表明放大电路带负载的能力差，反之则强。,4通频带BW放大电路的增益A(f)是频率的函数。在低频段和高频段放大倍数通常都要下降。当A(f)下降到中频电压放大倍数A0的时，即,A(fL)=A(fH)=,fL-下限频率fH-上限频率,带宽BW=fH-fL,中频区,3.2.2共发射极放大电路的组成,1、共发射极基本放大电路组成,共发射极基本电路,3.2.2共发射极放大电路的组成,2、基本放大电路各元件作用,晶体管T-放大元件,iC=iB。要保证集电结反偏,发射结正偏,使晶体管工作在放大区。,基极电源UBB与基极电阻RB-使发射结处于正偏，并提供大小适当的基极电流。,共发射极基本电路,3.2.2共发射极放大电路的组成,2、基本放大电路各元件作用,集电极电源UCC-为电路提供能量。并保证集电结反偏。,集电极电阻RC-将变化的电流转变为变化的电压。,共发射极基本电路,耦合电容C1、C2-隔离输入、输出与放大电路直流的联系，同时使信号顺利输入、输出。,信号源,负载,3.2.2共发射极放大电路的组成,单电源供电时常用的画法,共发射极基本电路,3.2.3共发射极放大电路的工作原理,1、符号表示规则：,总瞬时值：小大如iB,直流分量：大大如IB,交流分量：,瞬时值：小小如ib,峰值：大小m如Ibm,有效值：大小如Ib,=IB+ib,AX,A主要符号X下标符号,无输入信号(ui=0)时:,uo=0uC1=UBEuC2=UCE,+UCC,RB,RC,C1,C2,T,+,+,ui,+,uo,+,+,+,uBE,uCE,iC,iB,iE,3.2.3共发射极放大电路的工作原理,2、原理：,uBE,t,UBE,t,iB,uCE,t,无输入信号(ui=0)时:,uo=0uC1=UBEuC2=UCE,？,有输入信号(ui0)时,uCE=UCCiCRC,uo0uC1UBEuC2UCE,结论：,1）无输入信号电压时，三极管各电极都是恒定的电压和电流:IB、UBE和IC、UCE。,(IB、UBE)和(IC、UCE)分别对应于输入、输出特性曲线上的一个点称为静态工作点。,2)加上输入信号电压后，各电极电流和电压的大小均发生了变化，都在直流量的基础上叠加了一个交流量，但方向始终不变。,+,集电极电流,直流分量,交流分量,静态分析,动态分析,3)若参数选取得当，输出电压可比输入电压大，即电路具有电压放大作用。,4)输出电压与输入电压在相位上相差180,即共发射极电路具有反相作用。,实现放大的条件,1）晶体管必须工作在放大区。发射结正偏，集电结反偏。2）正确设置静态工作点，使整个波形处于放大区。3）输入回路将变化的电压转化成变化的基极电流。4）输出回路将变化的集电极电流转化成变化的集电极电压，经电容耦合只输出交流信号。,3、直流通路和交流通路,因电容对交、直流的作用不同。在放大电路中如果电容的容量足够大，可以认为它对交流分量不起作用，即对交流短路。而对直流可以看成开路。这样，交直流所走的通路是不同的。,直流通路：无交流信号时电流（直流电流）的通路，用来计算静态工作点。,交流通路：有交流信号时交流分量（变化量）的通路，用来计算电压放大倍数、输入电阻、输出电阻等动态参数。,叠加定理分析电路,例：画出下面放大电路的直流通路,直流通路,直流通路用来计算静态工作点Q(IB、IC、UCE),对直流信号电容C可看作开路（即将电容断开）,断开,断开,对交流信号(有输入信号ui时的交流分量),XC0，C可看作短路。忽略电源的内阻，电源的端电压恒定，直流电源对交流可看作短路。,短路,短路,对地短路,交流通路,用来计算电压放大倍数、输入电阻、输出电阻等动态参数。,第三章半导体三极管及放大电路基础,3.2共射极放大电路,3.3放大电路的分析方法,3.4放大电路工作点稳定问题,3.5共集电极放大电路与共基极放大电路,3.7多级放大电路,3.1半导体三极管,3.6差分放大电路,静态：放大电路无信号输入（ui=0）时的工作状态。,3.3.1放大电路的静态分析,分析方法：估算法、图解法。分析对象：各极电压电流的直流分量。所用电路：放大电路的直流通路。,设置Q点的目的：1)使放大电路不失真的放大信号；2)使放大电路工作在较佳的工作状态，静态是动态的基础。,静态工作点Q：IB、IC、UCE。,静态分析：确定放大电路的静态值。,3.3共发射极放大电路的分析,1、用估算法确定静态值,1)直流通路估算IB,根据电流放大作用,2)由直流通路估算UCE、IC,当UBEUCC时，,例1：用估算法计算静态工作点。,已知：UCC=12V，RC=4K，RB=300K，=37.5。,解：,注意：电路中IB和IC的数量级不同,例2：用估算法计算图示电路的静态工作点。,+UCC,由例1、例2可知，当电路不同时，计算静态值的公式也不同。,由KVL可得：,由KVL可得：,RE,条件：已知BJT的输入、输出特性曲线,共射极放大电路：,共射极放大电路,1画出直流通路：,2输入回路方程：,VCE=VCCICRC,VBE=VCCIBRb,3输出回路方程：,2、用图解分析法求静态工作点Q,直流通路,5在输出特性曲线上画出直线：VCE=VCCICRC（直流负载线）,与曲线IBQ的交点即为Q（ICQ、VCEQ）,4在输入特性曲线上画出直线：VBE=VCCIBRb交点为Q（IBQ）,3.3.2放大电路的动态分析,动态：放大电路有信号输入（ui0）时的工作状态。,分析方法：图解法，微变等效电路法。所用电路：放大电路的交流通路。,动态分析:计算电压放大倍数Au、输入电阻ri、输出电阻ro等。,分析对象：各极电压和电流的交流分量。,目的：找出Au、ri、ro与电路参数的关系，为设计打基础。,1、用图解法分析动态,由交流通路得纯交流负载线：,共射极放大电路,vce=-ic(Rc/RL),交流负载线必过Q点，同时斜率为Rc/RL的倒数,（1）交流通路及交流负载线,（2）输入交流信号时的图解分析,共射极放大电路,通过图解分析，可得如下结论：1.vo与vi相位相反；2.可以测量出放大电路的电压放大倍数；3.可以确定最大不失真输出幅度。,2、静态工作点对波形非线性失真的影响：,非线性失真：由于BJT存在非线性，使输出信号产生的失真。,截止失真-放大电路工作点达到了BJT的截止区，而引起的非线性失真。,饱和失真-放大电路的工作点达到了BJT的饱和区，而引起的非线性失真。,若Q设置合适,如果Q设置不合适，晶体管进入截止区或饱和区工作，将造成非线性失真。,若Q设置过高，,晶体管进入饱和区工作，造成饱和失真。,适当减小基极电流可消除失真。,注意：对于PNP管，由于是负电源供电，失真的表现形式，与NPN管正好相反。,若Q设置过低，,晶体管进入截止区工作，造成截止失真。,适当增加基极电流可消除失真。,如果Q设置合适，信号幅值过大也可产生失真，减小信号幅值可消除失真。,2、微变等效电路法分析动态,微变等效电路：把非线性元件晶体管所组成的放大电路等效为一个线性电路。即把非线性的晶体管线性化，等效为一个线性元件。,线性化的条件：晶体管在小信号（微变量）情况下工作。因此，在静态工作点附近小范围内的特性曲线可用直线近似代替。,微变等效电路法：利用放大电路的微变等效电路分析计算放大电路电压放大倍数Au、输入电阻ri、输出电阻ro等。,ib,晶体三极管,微变等效电路,（1）晶体管的微变等效电路,晶体管的B、E之间可用rbe等效代替。,晶体管的C、E之间可用一受控电流源ic=ib等效代替。,（2）放大电路的微变等效电路,将交流通路中的晶体管用晶体管微变等效电路代替即可得放大电路的微变等效电路。,交流通路,微变等效电路,分析时假设输入为正弦交流，所以等效电路中的电压与电流可用相量表示。,微变等效电路,（2）放大电路的微变等效电路,将交流通路中的晶体管用晶体管微变等效电路代替即可得放大电路的微变等效电路。,（3）电压放大倍数的计算,当放大电路输出端开路(未接RL)时，,放大倍数与静态IE有关。,负载电阻愈小，放大倍数愈小。,式中的负号表示输出电压的相位相反。,例1：,（3）电压放大倍数的计算,例2：,由例1、例2可知，当电路不同时，计算电压放大倍数Au的公式也不同。要根据微变等效电路找出ui与ib的关系、uo与ic的关系。,（4）放大电路输入电阻的计算,放大电路对信号源(或对前级放大电路)来说，是一个负载，可用一个电阻来等效代替。这个电阻是信号源的负载电阻,也就是放大电路的输入电阻。,定义：,输入电阻是对交流信号而言的，是动态电阻。,输入电阻是表明放大电路从信号源吸取电流大小的参数。电路的输入电阻愈大，从信号源取得的电流愈小，因此一般总是希望得到较大的输入电阻。,（5）放大电路输出电阻的计算,放大电路对负载(或对后级放大电路)来说，是一个信号源，可以将它进行戴维宁等效，等效电源的内阻即为放大电路的输出电阻。,定义：,输出电阻是动态电阻，与负载无关。,输出电阻是表明放大电路带负载能力的参数。电路的输出电阻愈小，负载变化时输出电压的变化愈小，因此一般总是希望得到较小的输出电阻。,共射极放大电路特点：1.放大倍数高;2.输入电阻低;3.输出电阻高.,例1：,求ro的步骤：1)断开RL，求开路电压,2)求短路电流,3)求Ro,分析的一般步骤：1放大电路的静态分析，求Q(IB、IC（IE）、VCE)，并求rbe,2画放大电路的小信号等效电路,3用线性电路分析法，求解放大电路的动态性能指标,用小信号模型法分析共射极放大电路：,小结：,3、分析方法总结：,图解分析法、小信号模型法是放大电路二种基本分析方法。它们形式上独立，但实质上互相补充、互相联系。,图解分析法特点：,真实反映非线性、全面反映放大电路交直工作情况。,小信号模型分析法特点：,分析小信号工作情况，用线性电路分析方法求解Ro、Ri、。可分析复杂线路。,（1）用工程估算法求Q。,（2）当vi较小时，或BJT工作在线性区时，用小信号模型法分析电路动态指标。,（3）当vi较大时，或BJT工作点到非线性区时，用图解分析法。当求电路的最大不失真输出电压范围或需合理安排Q时，也需用图解分析法。,4、选用分析方法的一般原则：,第三章半导体三极管及放大电路基础,3.1半导体三极管,3.2共射极放大电路,3.3放大电路的分析方法,3.4放大电路工作点稳定问题,3.5共集电极放大电路与共基极放大电路,3.7多级放大电路,3.6差分放大电路,3.4静态工作点的稳定,3.4.1温度变化对静态工作点的影响,3.4.1温度变化对静态工作点的影响,在固定偏置放大电路中，当温度升高时，UBE、ICBO。,上式表明，当UCC和RB一定时，IC与UBE、以及ICEO有关，而这三个参数随温度而变化。,温度升高时，IC将增加，使Q点沿负载线上移。,温度升高时，输出特性曲线上移,固定偏置电路的工作点Q点是不稳定的，为此需要改进偏置电路。当温度升高使IC增加时，能够自动减少IB，从而抑制Q点的变化，保持Q点基本稳定。,结论：当温度升高时，IC将增加，使Q点沿负载线上移，容易使晶体管T进入饱和区造成饱和失真。,2,4,6,8,3.4.2分压式偏置电路,1.稳定Q点的原理,基极电位基本恒定，不随温度变化。,VB,集电极电流基本恒定，不随温度变化。,3.4.2分压式偏置电路,1、稳定Q点的原理,VB,在估算时一般选取：I2=(510)IB，VB=(510)UBE，RB1、RB2的阻值一般为十几千欧到几十千欧。,参数的选择,VE,VB,2.静态工作点的计算,估算法:,VB,VE,3.动态分析,对交流：旁路电容CE将RE短路，RE不起作用，Au，ri，ro与固定偏置电路相同。,如果去掉CE，Au，ri，ro？,旁路电容,去掉CE后的微变等效电路,如果去掉CE，Au，ri，ro?,无旁路电容CE,有旁路电容CE,Au减小,ri提高,ro不变,分压式偏置电路,例1:,在图示放大电路中，已知UCC=12V,RC=6k,RE1=300，RE2=2.7K，RB1=60k，RB2=20kRL=6k，晶体管=50，UBE=0.6V,试求:(1)静态工作点IB、IC及UCE；(2)画出微变等效电路；(3)输入电阻ri、r0及Au。,【解】,(1)由直流通路求静态工作点。,直流通路,(2)由微变等效电路求Au、ri、r0。,微变等效电路,rbe,RC,RL,E,B,C,+,-,+,-,+,-,RS,RE1,3.4.3基本射极放大电路与分压式射极偏置电路的比较,共射极放大电路,分压式射极偏置电路,3.4.3基本射极放大电路与分压式射极偏置电路的比较,基本共射极放大电路,Ro=Rc,第三章半导体三极管及放大电路基础,3.1半导体三极管,3.2共射极放大电路,3.3放大电路的分析方法,3.4放大电路工作点稳定问题,3.5共集电极放大电路与共基极放大电路,3.7多级放大电路,3.6差分放大电路,3.5.1共集电极电路,因对交流信号而言，集电极是输入与输出回路的公共端，所以是共集电极放大电路。因从发射极输出，所以又称射极输出器。,求Q点：,1、静态分析,直流通路,2、动态分析,（1.）电压放大倍数,电压放大倍数Au1且输入输出同相，输出电压跟随输入电压，故又称电压跟随器。,（2.）输入电阻,射极输出器的输入电阻高，对前级有利。ri与负载有关,（3.）输出电阻,射极输出器的输出电阻很小，带负载能力强。,3、共集电极放大电路(射极输出器)的特点：,1.电压放大倍数小于1，约等于1;2.输入电阻高；3.输出电阻低；4.输出与输入同相。,4、射极输出器的应用,主要利用它具有输入电阻高和输出电阻低的特点。,1.因输入电阻高，它常被用在多级放大电路的第一级，可以提高输入电阻，减轻信号源负担。,2.因输出电阻低，它常被用在多级放大电路的末级，可以降低输出电阻，提高带负载能力。,3.利用ri大、rO小以及Au1的特点，也可将射极输出器放在放大电路的两级之间，起到阻抗匹配作用，这一级射极输出器称为缓冲级或中间隔离级。,例1:,.,在图示放大电路中，已知UCC=12V,RE=2k,RB=200k，RL=2k，晶体管=60，UBE=0.6V,信号源内阻RS=100，试求:(1)静态工作点IB、IE及UCE；(2)画出微变等效电路；(3)Au、ri和r0。,【解】,(1)由直流通路求静态工作点。,(2)由微变等效电路求Au、ri、r0。,3.5.3三种组态的比较P148,第三章半导体三极管及放大电路基础,3.1半导体三极管,3.2共射极放大电路,3.3放大电路的分析方法,3.4放大电路工作点稳定问题,3.5共集电极放大电路与共基极放大电路,3.7多级放大电路,3.6差分放大电路,零点漂移：指输入信号电压为零时，输出电压发生缓慢变化的现象。,产生的原因：晶体管参数随温度变化、电源电压波动、电路元件参数的变化。,危害：直接影响对输入信号测量的准确程度和分辨能力。严重时，可能淹没有效信号电压，无法分辨是有效信号电压还是漂移电压。,3.6差分放大电路,3.6.1差分放大电路的工作情况,电路结构对称，在理想的情况下，两管的特性及对应电阻元件的参数值都相等。,差动放大原理电路,两个输入、两个输出,两管静态工作点相同,1.零点漂移的抑制,uo=VC1VC2=0,uo=(VC1+VC1)(VC2+VC2)=0,静态时，ui1=ui2=0,当温度升高时ICVC（两管变化量相等）,对称差动放大电路对两管所产生的同向漂移都有抑制作用。,2.有信号输入时的工作情况,1)共模信号ui1=ui2大小相等、极性相同,共模信号需要抑制,差动电路抑制共模信号能力的大小，反映了它对零点漂移的抑制水平。,2.有信号输入时的工作情况,2)差模信号ui1=ui2大小相等、极性相反,差模信号是有用信号,两管集电极电位一减一增，呈等量异向变化，,uo=(VC1VC1)(VC2+VC)=2VC1,即对差模信号有放大能力。,3)比较输入,ui1、ui2大小和极性是任意的。,例1:ui1=10mV,ui2=6mV,ui2=8mV2mV,例2:ui1=20mV,ui2=16mV,可分解成:ui1=18mV+2mV,ui2=18mV2mV,可分解成:ui1=8mV+2mV,共模信号,差模信号,放大器只放大两个输入信号的差值信号差动放大电路。,这种输入常作为比较放大来应用，在自动控制系统中是常见的。,若电路完全对称，理想情况下共模放大倍数Ac=0输出电压uo=Ad（ui1ui2）=Aduid,若电路不完全对称，则Ac0，实际输出电压uo=Acuic+Aduid即共模信号对输出有影响。,（CommonModeRejectionRatio),全面衡量差动放大电路放大差模信号和抑制共模信号的能力。,差模放大倍数,共模放大倍数,KCMRR越大，说明差放分辨差模信号的能力越强，而抑制共模信号的能力越强。,3.共模抑制比,共模抑制比,第三章半导体三极管及放大电路基础,3.1半导体三极管,3.2共射极放大电路,3.3放大电路的分析方法,3.4放大电路工作点稳定问题,3.5共集电极放大电路与共基极放大电路,3.7多级放大电路,3.6差分放大电路,3.7多级放大电路,为获得足够大的放大倍数，,将若干单级放大器按一定方式串接，,组成多级放大器,耦合,级,3.7.1多级放大器概念,直接耦合：,将放大电路的前级输出端直接接至后级输入端。,缺点：各级Q互相影响，设计调试不便，有严重漂移问题。,优点：可放大低频甚至直流信号，利于集成。,应用：交直流集成放大器。,3.7.2耦合方式：级与级之间的连接方式,(1)直接耦合(2)阻容耦合(3)变压器耦合,将放大电路的前级输出端通过电容接至后级输入端。,缺点：只能传输交流信号，漂移信号和低频信号不能通过，不利于集成。,优点：各级Q独立，设计、调试方便，体积小、成本低。,应用：交流放大器。,阻容耦合：,变压器耦合,放大电路的前级输出端通过变压器接至后级输入端或负载上。,优点：各级Q独立，设计、调试方便，能实现阻抗变换。,缺点：低频特性差，不能放大缓变信号，笨重，不利于集成。,应用：分立器件功率放大电路。,四、电路分析：,一、静态分析：（以阻容耦合为例）,各级Q单独求解（方法同前）,二、动态分析：,一个n级多级放大电路的交流等效电路：,注意,Ri=Ri1,Ro=Ron,习题,*3.1.1测得某放大电路中BJT的三个电极A、B、C的对地电位分别为VA=9V，VB=6V，VC=6.2V，试分析A、B、C中哪个是基极b、发射极e、集电极c，并说明此BJT是NPN管还是PNP管。,3.1.2某放大电路中三极管三个电极的电流如图SK_01所示。已测出IA=1.5mA，IB=0.03mA，IC=1.53mA，试分析A、B、C中哪个是基极、发射极？该管的b为多大？,习题,3.1.3有两个BJT，其中一个管子的b=150，ICED=200A，另一个管子的b=50，ICED=10A，其他参数一样，你选择哪个管子？为什么？,*3.1.4某BJT的极限参数ICM=100mA，PCM=150mW，V(BR)CEO=30V，若它的工作电压VCE=10V，则Ic不得超过多大？若工作电流Ic=1mA，则工作电压的极限值应为多少？,习题,*3.2.1试分析图LX_01所示各电路对正弦交流信号有无放大作用，并简述理由（设各电容的容抗可忽略）。,习题,*3.2.1试分析图LX_01所示各电路对正弦交流信号有无放大作用，并简述理由（设各电容的容抗可忽略）。,习题,*3.2.2.电路如图LX_02所示，设BJT的b=80，VBE=0.6V，ICED、VCES可忽略不计，试分析当开头S分别接通A、B、C三个位置时，BJT各工作在其输出特性曲线的哪个区域，并求出相应的集