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第二章 光纤通信参考答案11. 半导体激光器发射光子的能量近似等于材料的禁带宽度,已知GaAs材料的Eg=1.43eV,某一InGaAsP材料的Eg=0.96eV,求它们的发射波长。(eV是能量单位,表示一个电子在1伏特电压差下所具有的能量)解: InGaAsP材料,12. 一半导体激光器,谐振腔长L=300m,工作物质的损耗系数=1mm-1,谐振腔两端镜面的反射率R1R2=0.330.33,求激光器的阈值增益系统th。若后镜面的反射率提高到R2=1,求阈值时的增益以及阈值电流的变化。解: R2=1时,阈值电流变小13. 一半导体激光器,阈值电流, , ,注入幅度为90mA的阶跃电流脉冲,求:瞬态过程中张弛震荡的频率和衰减时间;电光延迟时间解:震荡的角频率 衰减系数 ,衰减时间 电光延迟时间 16.对于双异质结激光器,为自发复合的寿命时间,自发辐射速率。求解稳态速率方程组,证明下列关系式是其稳态解。(1)当 (2)当解:速率方程组为达到稳态时,可以写为其中, 和 分别表示电子密度和光子密度的稳态值。时,受激复合与自发复合项相比较小,光场很弱,有,则有因此有时,有,当激光器激射以后,受激辐射占主导地位,通常很小,大约为 量级,因而可以忽略自发复合项,即有因此有表明激光器达到阈值以后,增益函数达到饱和,不再随注入电流而变化。而增益函数的饱和说明腔内电子密度被锁定在饱和值,因而使自发发射速率也达到饱和。时,因为g饱和,故有两个式子相加并忽略自发复合项后,有将代入后得到 因此有1.已知某LD 的特征温度为720K(开氏温度),而且在20 0C 时,阈值
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