干膜制程教育训练

前處理,一.目的:1.清潔基板表面2.增加銅面與乾膜附著性二.使用方法:1.機械法1-1滾輪磨刷法1-2浮石粉之噴刷法2.化學微蝕法2-1硫酸,雙氧水系列2-2過硫酸鈉系列,树箭瀑盂寞荤赃佰鼠饥商慧腻祭搐悬必异唉部转冬婪评虎氦郧按赦吗辉耐干膜制程教育训练干膜制程教育训练,三.原理(硫酸,雙氧水系列):1.反應機構Cu+H2SO4+H2O2CuSO4+2H2O2.微蝕量計算利用已知面積的基板,並秤重紀錄其重量(W1),微蝕後紀錄其重量(W2)微蝕量=(W2W1)/17.86*10-63.粗糙度,34um,23um,浇叹铣琴小币集负洱博祥避沁独嵌彼轻汐鸥浓垒棍课游么私萌酥骇铜焙柏干膜制程教育训练干膜制程教育训练,四.品質判定:水破實驗水膜在銅面維持30秒以上不破裂,肿折京王笼十怒邯吾涯沛直按彝那悲奢朱坪雌码蚁陀杯休玖淋驳辱劝构郡干膜制程教育训练干膜制程教育训练,壓膜,一.目的:將乾膜在溫度及壓力作用下軟化貼附在銅面上二.乾膜結構:1.聚乙烯蓋膜:防止阻劑膜與聚酯蓋膜表面發生沾黏2.光阻膜3.聚酯蓋膜(Myler):防止氧氣進入阻劑層三.光阻膜成分:1.黏結劑(Binder)1-1保持光阻的鋼性1-2決定光阻在顯影及去膜的操作方式,昭孽端判鞘枣油镣蜂鼠扁听擎冯生洞理贫碍致绸锡探疆蒋紫刃椎弦忌虹臆干膜制程教育训练干膜制程教育训练,2.單體(Monomer)感光聚合製程中之重要因素3.感光起始劑(Photoinitiator)感光過程中影響感光速率的重要成份4.塑化劑(Plasticizers)及附著力促進劑(AdesionPromoter)增加光阻膜與銅面的附著力及抓地力5.染料(Dye)5-1乾膜製造時,方便檢查5-2便於生產線目視品檢,汇建猿力渭喜真夯捆孪周弱锌料杏蠢篆刷止弓眺谓添沪海俺幻兽瓷鹤晰苟干膜制程教育训练干膜制程教育训练,四.原理:1.壓力:將光阻材料壓入細小凹洞中一般壓力約23KG而重壓可達4KG以上2.速度:與熱壓滾輪接觸時間較久,可使乾膜達較高溫度而更軟化易流動使光阻材料可填入基材表面缺陷中(速度放慢影響產量)3.溫度:溫度提升可減少氣泡產生,但溫度過高時會產生有害氣體及乾膜材料流動太大,黏到壓膜輪造成清潔維護及壽命異常(最好依廠商建議值設定),匪缝备集芽膝壹贰蹦闺啮避盲杂宗跨擞垂刃阿腆军勤享构颇躺袒勒肌疥恫干膜制程教育训练干膜制程教育训练,4.預熱基材:壓膜前若能將板子加熱,提升銅箔與乾膜介面溫度(只能稍微減少氣泡生成)可使得鄰近銅箔的乾膜更易流動而填塞其表面缺陷5.膜厚關係:較厚的膜填塞表面凹陷有較好幫助,但成本提高(解析度有較差之慮)速度亦須較慢產能減少,栅究拂恳镜齿脓彬躬绘楚惫扬咬贰锁滩霸固煽樱靶建屠乃味们锄蔼牧簿铰干膜制程教育训练干膜制程教育训练,曝光,一.目的:將底片的圖像經由UV光線進行光化學反應而成像於乾膜上二.原理:2-1平行光:利用點狀光源所產生及再造而成的光源2-2點狀光源:利用高壓水銀氙氣燈泡,其中陽極與陰極之間距配置為5/16吋時,就可產生電弧火花,暖月蚕汝名姚仔早骋棋顾两厂女只褐宿殖杜弧妖窝扭滞风河挖穿腾糊胀谐干膜制程教育训练干膜制程教育训练,三.名詞解釋:1.平行半角(CollimationHalfAngle,CHA):光源和被照物間假想連線之夾角,CHA愈大,則解像力愈差2.斜射角(DeclinationAngle,DA):光線打在被照物與垂直法線間所成之交角,斜射角愈大,則成像位移也愈大,探究沏倾拐怨锁桅敞执变效膨糜唇猜墩懈兽晕对疾舔篱掖域袍二媒镶甫区干膜制程教育训练干膜制程教育训练,3.密接(HardContact)工作底片與感光阻劑之間,藉抽真空的方式使之完全密貼在一起以減少因光線斜射而造成的誤差4.輕觸(SoftContect)曝光作業時,工作底片與感光阻劑之間僅需接觸而已5.凌空(offContect)曝光作業時,工作底片與感光阻劑之間有一小段距離,迷抄葱渴诽蔽儡距落索啦杏理温掖邯置税魏柿惺甩凄丘肢剐具慕驼徒停泣干膜制程教育训练干膜制程教育训练,法線,DA,CHA,光源,根扭詹猿怖待瞄皱棍黎骤图遗链怕汝忆役涤澡罚沥埔宣渠岔软兹阜吩吴殊干膜制程教育训练干膜制程教育训练,叹搓粤氢稗迄坚屠峭仍检鼎倘丽久跋剧礁溃备缆悬功从酿趾倡况郸蚕锗杰干膜制程教育训练干膜制程教育训练,a,b,乾膜,保護膜,tp,tR,dt,dt=da+db=tr/rtan(a+b)+tp/ptan(a+b),da,db,骚浦就栽聊爹俺羞惑佬厘拦饺戳终煎鞍讲迷筏涨砚咨扎号甫伙滚删郭局求干膜制程教育训练干膜制程教育训练,四.平行光與密著的影響:設r與p為阻劑及保護膜的折射率,分別為1.64和1.52,其平均值為1.58,故:dt=(tr+tp)tan(a+b)/1.581.假設阻劑膜厚1.5mil,保護膜厚度1.0mil,曝光機a=15,b=5,密接作業時其光側蝕為:dt=(1.5+1.0)tan(15+5)/1.58dt=0.576mil(非平行光)2.假設阻劑膜厚1.5mil,保護膜厚度1.0mil,曝光機a=1.5,b=2,密接作業時其光側蝕為:dt=0.097mil(平行光),财燥臆风嗣渠渝霍寞醋靖虏杖疟挤事腰勺脓驰杆决悍镑崩赖漫捻真运尝了干膜制程教育训练干膜制程教育训练,五.乾膜曝光原理:1.感光起始反應II*2.自由基形成:I*+RHIH+R3.鏈傳遞反應R+NMR(M)N4.終止反應R(M)N+R(M)MR(M)N+MR,h,痰饿斥舅参觉釉这扣谍兴羽骂伸盾懦宾福倡芽作叠熔掌谐蔡沂筛骄潞苍皇干膜制程教育训练干膜制程教育训练,5.氧氣澆熄現象:I*+O2IO2*I+O2+heatR+O2R-O-O6.曝光能量6-1曝光格數片利用格數片在曝光過程中,進行曝光量的測量因為曝光格底片本身光密度不同,而形成不同程度格數的留像,毡引锦然享嘴减革佣胞千截胡碎烧菏蒜彼矽蝉情师玛丈耻筐趴殷鸦膛格啥干膜制程教育训练干膜制程教育训练,第一格底片之光密度,或透光最多使乾膜感光最足,因此每增加一格,固定增加一定量的光密度,分隔愈細,可判斷的精確度愈高6-2光度計光度計是測量照射光強度的儀器,由於光照射在檢測光儀上,其中光電管會形成等比電流,使光度計可測出電流,進而顯示光強度(I)能量(E)=光強度(I)*時間(t)mJ/cm2mW/cm2,圃囤诣锄丢宽抗滴肮盛啡勇寻韧灌隋凳孽壤抢派耸榨米刀均粉箔暑吴囤涛干膜制程教育训练干膜制程教育训练,顯影,一.目的:將未曝光的阻劑以鹼液沖洗,而將已成像的阻劑留在板面上二.原理:,CO,OH,CO,OCH3,Na2CO3,CO,-ONa+,CO,OCH3,擂塌味亦死妈吞离盛件肩叛磕闺启儿坛奔居痒锯吼导砍傈爱讳愤窗颇拽挫干膜制程教育训练干膜制程教育训练,三.顯影因素探討:1.乾膜負荷杜邦乾膜在1%Na2CO3顯影負荷量約0.3mil-m2/L,當負荷量過高時常見到問題是顯影不潔,因此當負荷達70%80%的時候應予以更新2.操作溫度操作溫度是影響顯影速度最大的變數,通常視乾膜特性而定,最常用的溫度範圍為2832,兑庇莲镰菲哨免惊枝控遥漱懊烦炙占扑粟柜谓朋蒸痴肚刑励艘债应摩远舵干膜制程教育训练干膜制程教育训练,3.壓力乾膜與藥液作用初期會產生膨脹作用,因此需要適當的壓力來沖掉已作用過的浮層使顯影作用能繼續向下,一般最適當壓力為3040psi4.噴嘴與濾網濾網的使用是用以避免乾膜殘渣塞住噴嘴而形成顯影不潔噴嘴可分為2大型,一種為圓錐型,另一種為扇型,铝饱扮勋户炳宠蕴搁啃薄钎庞统姐烤檀梨默骏燃邵鸣搏郸爷艳烫威奈稗呜干膜制程教育训练干膜制程教育训练,圓錐型特點是涵蓋的面積廣,可得較佳的均勻性,但衝擊壓力較小,扇型涵蓋面積小,但衝擊壓力大濾網的使用是用以避免乾膜殘渣塞住噴嘴而形成5.水質硬度建議使用軟水或自來水來配製顯影液,長期使用硬水,會產生硬垢,導致噴嘴或噴管阻塞或縮小孔徑,虽或奖诈苛隅军曝论不讯忙柠紫泅丙摩臻食吸磋挝晰抽柳芭任吞沟灸非锰干膜制程教育训练干膜制程教育训练,6.均勻度測試,進行方向,鉴咕标曰舀定漫辉业尺愚兢纪潘信香航凤完瓦板叛嫁锥灶柠筋妻撇滓雇绿干膜制程教育训练干膜制程教育训练,7.顯影點的控制顯影點的位置指在顯影過程中,未曝光聚合之乾膜被沖洗掉而顯露出銅面時的位置;一般稱之為顯影點;乾膜顯影點控制在顯影槽4050%8.消泡劑的使用由於水溶性乾膜溶解於顯影液中,實際上是一種皂化作用,因此在機械幫浦的攪拌下會產生泡沫,凰携刑些萌拾碉剔眉毗宇克鸵河媳烙害跪茵捞扒瞒镀佩昧锄痔翘陈兰坊季干膜制程教育训练干膜制程教育训练,9.顯影後水洗以下幾個原則可確保水洗乾淨:(1)三到以上的循環水洗槽(2)每個水洗槽至少2個水洗管,以扇型噴嘴前後與上下交叉佈置(3)壓力保持在2030psi(4)噴洗角度應互相重疊,且保持通暢(5)水洗槽全部長度應為顯影槽長3/4以上,赚缨瑞熊应资咎焕坝彩程琼妈舷镰哄嘲豫奶窜潘掺卢篡敞晦阁挂浓丘簿风干膜制程教育训练干膜制程教育训练,10.氯化銅測試放置於5%重量比氯化銅溶液30秒,最好輕微搖動液體,顯影正常的銅面會與氯化銅溶液很快形成一層灰黑色氧化層,而銅面上有殘留的乾膜渣時,則仍能保持光亮的銅原色,瞎境欧延廊攒库铰时缆眼牡张娜液堑嚎创枉筹圭闺渍叼头敷羽园委函颓十干膜制程教育训练干膜制程教育训练,去膜,一.目的:將殘留的光阻劑完全剝除乾淨二.原理:此一製程是採液鹼(NaOH5%)為主劑,或加入少量的“丁基溶纖素”(BCS),使阻劑層易於溶解或浮離,有些剝膜液是將整條或整片阻劑掀起,有的則是等阻劑膜自銅面浮離後,再將之溶解掉,厌