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文档简介
功函数的计算,一、热电子发射和功函数,A：常数W：功函数(或脱出功)，将固体中的电子移至其表面、并处于自由状态所需的最低能量。,热电子发射的电流密度为,Richardson定律,V0：真空能级（势阱的深度）,W:26eV。此值与晶体方向有关，变化范围约1eV。,二.功函数的计算模型,构造如右图所示的2维无限阵列，计算的材料就是图中的板，板间是真空层。用CASTEP计算此体系的EF和板间的静电势分布(r)，在平行表面的方向上对静电势取平均，从而在板间得到V0，进而得到W。由于功函数W的数值依赖于晶体结构和晶面取向，所以计算时需先优化体材料的晶体结构，再绘制2维阵列。可以优化块层表面和块层内部的原子坐标，也可以不优化。通过这些选择，人们可以研究表面弛豫对功,0.8-1nm,slab,函数的影响。一般建议利用constraints，固定块层中间的原子，使其保留体材料的结构。,对块层进行计算时，为了反映体材料的性质，块层的厚度至少在0.8-1nm。为了避免块层相邻表面间静电势的相互干扰，并使静电势达到其渐进值，真空层的厚度至少为3nm。,计算思路：对一定的晶体结构，求出总电子能量最低的电荷密度分布(x)，再根据右式计算位置x处的电势(x)。,显示成球棒结构,转化为原胞,性质不选,优化成功,Saveproject,closeall打开优化后的W,恢复为晶胞，准备切面,其它不变，改厚度至9埃,切出一个厚度约9埃的表面。足够厚，表示体性质。Saveproject，工作窗口仅保留表面结构。,30,斜拉鼠标，选中中间的一些原子。现在弛豫表面一层的原子。严格计算应该slab取厚,检查后，恢复按照Element显示颜色,w4d4,绿色，表层原子。,另一表层，两层等价，两边对称。找不对称的。,W4.39(111)4.56(001),不优化,人有了知识，就会具备各种分析能力，明辨是非的能力。所以我们要勤恳读书，广泛阅读，古人说“书中自有黄金屋。”通过阅读科技书籍，我们能丰富知识，培养逻辑思维能力；通过阅读文学作品，我们能提高文学鉴赏水平，培养文学情趣；通过阅读报刊，我们能增长见识
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