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文档简介

MOCVD实物图,Hallmeasurement,强度计数,位错密度：8107/cm2。,材料所的外延片,通过对GaN的生长模式、光、电、结晶性能、缺陷和位错进行分析，获得位错密度低于1108/cm2的未掺杂GaN材料。,图形衬底生长GaN,衬底截面,生长GaN截面,GaN表面,采用图形衬底，进一步提高了GaN质量。,在Si衬底上生长出了表面无裂纹的GaN材料。,x100,LED外延片产品,AlGaInP红光LED外延片,GaN基蓝光LED外延片,LED外延片电致发光,Roomtemperaturepropertiesofsemiconductors,LED芯片主要工序,后段,前段,激光切割痕迹,LED芯片详细工序,LED工作原理,
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