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文档简介

上次课主要内容回顾,1.双极集成电路的基本制造工艺什么是极？怎么做隔离？6次光刻和光刻目的2.MOS集成电路的基本制造工艺根据阱的导电类型进行的分类P（N）阱硅栅CMOS工艺和元件的形成过程（5次离子注入、10次光刻）,第二章集成电路中的晶体管及其寄生效应,2.1理想本征集成双极晶体管的EM模型2.2集成双极型晶体管的有源寄生效应2.3集成双极型晶体管的无源寄生效应,本次课主要内容回顾,2.1理想本征集成双极晶体管的EM模型,图2.1集成电路中的双极晶体管结构(a)剖面(b)符号表示(c)极性规定,(a),(C),工作晶体管,寄生晶体管,图2.2双极晶体管的四种工作状态,双极晶体管的四种工作状态的判断,2.2集成双极晶体管的有源寄生效应,2.2.1NPN管工作于正向工作区和截止区寄生PNP管截止。只增加IB，IC的反向漏电流，和衬底漏电流IS。2.2.2NPN管工作于反向工作区寄生PNP管工作区于正向工作区。定性分析：相当大的反向NPN管“发射极电流作为无用电流流向IS。解决寄生管影响的方法思路：IS减小SF减小：减小PNP管的集电极电流掺金工艺：少子的寿命减少；埋层工艺：少子基区渡越时间增加。,2.2.3NPN管工作于饱和区PNP管工作在正向工作区。解决方法：减小SF掺金工艺、埋层工艺。增大VSBC(V=VBE-VBC),2.3集成双极晶体管的无源寄生效应,图2.3-1标有无源电阻寄生元件的集成NPN晶体管结构图,C,B,E,N+-BL,N+,N+,P,N-epi,P+,P+,P-SUB,发射极串联电阻res集电极串联电阻rcs基区电阻rb,2.3.1集成NPN晶体管中的寄生电阻,寄生电阻的计算方法,发射极串联电阻res：见黑板集电极串联电阻rcs基区电阻rb,1.截锥体模型,20141012101010101012101420,101010,3.基区电阻rB的计算方法,B,E,图2.3-2标有无源电容寄生元件的集成NPN晶体管结构图,C,B,E,N+-BL,N+,N+,P,N-epi
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