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文档简介

实验二存储器实验,实验目的、器材和内容,一、实验目的掌握半导体静态RAM6116特性和使用方法。掌握6116存储器的读写方法和片选技术。二、实验器材FD-CES-B实验仪一台，FD-CES-B存储器实验板一块，示波器一台。三、实验内容用两片6116构成一个4K8位的RAM。对RAM进行单步读写测试（每次向RAM的某一个特定单元中写入一个数据或每次从RAM的某一个特定单元中读出一个数据）对RAM进行连续读写测试（从04095对每一个单元进行读写测试）测量RAM的读写时间。,四、实验原理,6116为2K8bit的静态RAM，它为24线的双列直排式器件，其中有A0A10为11根地址线，D0D7为8根数据线，3个控制信号为片选、读写信号、数据选通信号，其工作方式选择见下表1。,存储器实验模块的电路图,见单独的幻灯片,五、验证,六、对RAM进行单步读写测试,先向RAM的某一个特定单元中写入一个数据，再从该特定单元中读出这个数据，将两者比较。将拨动开关KW1设置为置数状态（SEND），将拨动开关KW2设置为单步状态（STEP）。将K14、K15设置为11，使RAM处于既不读也不写状态。利用K16K23设置数据（8位），寄存在74LS244。数据可以通过实验装置上的灯L16L23发亮（该位为1）或熄灭（该位为0）看到。将K12、K13设置10，使计数器74163处于单步置数状态。利用K0K11设置地址线A0A11，按单脉冲开关S1将地址送RAM。将K14、K15设置为10，发出写控制信号，完成写操作。将K14、K15设置为01，发出读控制信号，完成读操作。,七、对RAM进行连续读写测试（从04095对每一个单元进行读写测试）,将拨动开关KW1设置为置数状态（SEND），将拨动开关KW2设置为连续状态（EXEC）。将K14、K15设置为11，使RAM处于既不读也不写状态。利用K16K23设置数据（8位），寄存在74LS244。数据可以通过实验装置上的灯L16L23发亮（该位为1）或熄灭（该位为0）看到。将K12、K13设置11，使计数器74163处于计数状态。将K14、K15设置为10，发出写控制信号，完成写操作。将K14、K15设置为01，发出读控制信号，完成读操作。,八、测量RAM的读写时间,将拨动开关KW1设置为读写时间状态（WRT），将拨动开关KW2设置为连续状态（EXEC）。置K15为0，K14、K13、K12为1，向6116偶数地址写入全0，奇数地址写入全1。置K15为1，K14为0，
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